Element 2
+49 30 641 670 100
Element 1
info@microresist.de
ma-N 1400 Serie
Negativ-Photoresiste
PVD & Lift-off
Element 25weqwf
ma-N 1400 - Negativphotoresistserie
für Strukturübertragungs- und Einschicht-Lift-off-Prozesse
Merkmale/ Eigenschaften
  • verschiedene Resistviskositäten verfügbar
  • wässrig-alkalisch entwickelbar
  • Einstellbares Strukturprofil: vertikal bis unterschnitten
  • Hohe Nass- und Trockenätzstabilität
  • Gute thermische Stabilität der Resiststrukturen
  • leicht entfernbar
Anwendungen
  • Mikroelektronik und Mikrosystemtechnik
  • Maske für Lift-off Prozesse
  • Ätzmaske für Halbleiter und Metalle
  • geeignet für Ionenimplantationsprozesse
  • Galvanoform
Resist Schichtdicke [µm] @ 3000 rpm Spektrale Empfindlichkeit Eigenschaften
ma-N 1405 0,5 300 - 410nm

i-line - 365 nm

(h-line - 405 nm)

Novolakharzbasiert, thermische Stabilität der Resiststrukturen bis 160°C für Aufdampf- und Sputterprozesse 
ma-N 1407 0,7
ma-N 1410 1,0
ma-N 1420 2,0
ma-N 1440 4,0
ma-N 402 0,2 300 - 380nm

i-line - 365 nm

Novolakharzbasiert, thermische Stabilität der Resiststrukturen bis 110°C für Aufdampfprozesse 
ma-N 405 0,5
ma-N 415 1,5
ma-N 420 2,0
ma-N 440 4,1
ma-N 490 7,5

Empfohlende Prozesschemikalien:

für ma-N 1400 Serie
Verdünner: ma-T 1046
Entwickler: ma-D 533/S (TMAH basiert)
Entferner: mr-Rem 700 (NMP & NEP frei), mr-Rem 500 (NMP frei), ma-R 404/S (stark alkalisch)
Lift-off: mr-Rem 700 (NMP & NEP frei), mr-Rem 500 (NMP frei)

für ma-N 400 Serie
Verdünner: ma-T 1049
Entwickler: ma-D 331/S, ma-D 332/S (NaOH basiert), 531/S, ma-D 532/S (TMAH basiert)
Entferner: mr-Rem 700 (NMP & NEP frei), mr-Rem 500 (NMP frei), ma-R 404/S (stark alkalisch)
Lift-off: mr-Rem 700 (NMP & NEP frei), mr-Rem 500 (NMP frei)

Angebotsanfrage

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ma-N 400 Serie
Negativ-Photoresiste
PVD & Lift-off
Element 25weqwf
ma-N 400 - Negativphotoresistserie
für Strukturübertragungs- und Einschicht-Lift-off-Prozesse
Merkmale/ Eigenschaften
  • verschiedene Resistviskositäten verfügbar
  • wässrig-alkalisch entwickelbar
  • Einstellbares Strukturprofil: vertikal bis unterschnitten
  • Hohe Nass- und Trockenätzstabilität
  • Gute thermische Stabilität der Resiststrukturen
Anwendungen
  • Mikroelektronik und Mikrosystemtechnik
  • Maske für Lift-off Prozesse
  • Ätzmaske für Halbleiter und Metalle
  • geeignet für Ionenimplantationsprozesse
  • Galvanoform
Resist Schichtdicke [µm] @ 3000 rpm Spektrale Empfindlichkeit Eigenschaften
ma-N 402 0,2 300 - 380nm

i-line - 365 nm

Novolakharzbasiert, thermische Stabilität der Resiststrukturen bis 110°C für Aufdampfprozesse 
ma-N 405 0,5
ma-N 415 1,5
ma-N 420 2,0
ma-N 440 4,1
ma-N 490 7,5
ma-N 1405 0,5 300 - 410nm

i-line - 365 nm

(h-line - 405 nm)

Novolakharzbasiert, thermische Stabilität der Resiststrukturen bis 160°C für Aufdampf- und Sputterprozesse 
ma-N 1407 0,7
ma-N 1410 1,0
ma-N 1420 2,0
ma-N 1440 4,0

Empfohlende Prozesschemikalien:

für ma-N 400 Serie
Verdünner: ma-T 1049
Entwickler: ma-D 331/S, ma-D 332/S (NaOH basiert), 531/S, ma-D 532/S (TMAH basiert)
Entferner: mr-Rem 700 (NMP & NEP frei), mr-Rem 500 (NMP frei), ma-R 404/S (stark alkalisch)
Lift-off: mr-Rem 700 (NMP & NEP frei), mr-Rem 500 (NMP frei)

für ma-N 1400 Serie
Verdünner: ma-T 1046
Entwickler: ma-D 533/S (TMAH basiert)
Entferner: mr-Rem 700 (NMP & NEP frei), mr-Rem 500 (NMP frei), ma-R 404/S (stark alkalisch)
Lift-off: mr-Rem 700 (NMP & NEP frei), mr-Rem 500 (NMP frei)

Angebotsanfrage

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ma-N 2400 Serie
Negativ-Photoresiste
Ätzmaske
Element 25weqwf
ma-N 2400 - Negativphotoresistserie
E-Beam und Tief-UV empfindlich
Merkmale/ Eigenschaften
  • verschiedene Resistviskositäten verfügbar
  • wässrig-alkalisch entwickelbar
  • Exzellente Strukturauflösung bis 30nm
  • Hohe Nass- und Trockenätzstabilität
  • Gute thermische Stabilität der Resiststrukturen
  • leicht entfernbar
Anwendungen
  • Halbleiterfertigung
  • Mikro- und Nanoelektronik
  • Ätzmaske für z.B. Si, SiO2, Si3N4 oder Metalle
  • geeignet für Ionenimplantationsprozesse
  • Stempelherstellung für NIL
Resist Schichtdicke [µm] @ 3000 rpm Empfindlichkeit Belichtungsdosis Eigenschaften
E-beam

@ 20keV

E-beam

@ 50keV

Deep UV

@ 365 nm

ma-N 2401 0,1 E-beam

Deep UV: 248nm / 254nm

120 - 250 µC/cm2 100 - 350 µC/cm2 350 – 1900 mJ/cm2 Novolakharzbasiert, hohe Nass- und Trockenätzstabilität
ma-N 2403 0,3
ma-N 2405 0,5
ma-N 2410 1,0

Empfohlene Prozesschemikalien:

Verdünner: mr-T 1090
Entwickler: ma-D 525 (TMAH based), ma-D 331, ma-D 332 (NaOH based)
Entferner: mr-Rem 700 (NMP & NEP free), mr-Rem 500 (NMP free), ma-R 404/S (strongly alkaline)

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mr-DWL Serie
Negativ-Photoresiste
Mastering, Mikrooptik
Element 25weqwf
mr-DWL - Negativphotoresistserie
Für Laserdirektschreiben (DLW) @ 405 nm & Zwei-Photonen-Polymerisation (2PP)
Merkmale/ Eigenschaften
  • Designed für Belichtung mit Wellenlängen oberhalb 400 nm
  • Geeignet für Laserdirektschreiben (z.B. @ 405 nm) & 2PP
  • Hohe Empfindlichkeit
  • Exzellente thermische und chemische Stabilität
  • Hohe Nass- und Trockenätzstabilität
Anwendungen
  • Schnelles und kontaktloses Prototyping durch DLW & 2PP
  • Ätzmaske für Nass- und Trockenätzprozesse
  • Galvanoform
  • Form zur Stempelherstellung durch Thermo- oder UV-Replikation
  • Optische Anwendung in MST
Resist Schichtdickenbereich

[µm] @ 1000 - 6000 rpm

Spektrale Empfindlichkeit Eigenschaften
mr-DWL 5 3 - 15 350 nm - 410 nm

i-line/ h-line

designed für die Strukturierung mittels Laserdirektschreiben (LDW) und 2PP,

hohe Nass- und Trockenätzstabilität für Nicht-und Permanente, optische Anwendungen

mr-DWL 40 10 - 100
mr-DWL 100 20 - 150

Empfohlene Prozesschemikalien:

Verdünner: kein Verdünner verfügbar
Entwickler: mr-Dev 600 (lösungsmittelbasiert)
Entferner: mr-Rem 700 (NMP & NEP frei), mr-Rem 500 (NMP frei), O2-Plasma

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EpoCore & EpoClad Serien
Negativ-Photoresiste
Wellenleiter
Element 25weqwf
EpoCore & EpoClad - Negativphotoresistserien
Für die Herstellung von optischen, Single Mode (SM) & Multi Mode (MM) Polymerwellenleitern
Merkmale/ Eigenschaften
  • Standard UV Lithography & PCB Technologie
  • UV Strukturierung von Wellenleiterkern- und Mantel
  • Hohe Transparenz @ 850 nm
  • Hohe thermische (> 230 °C) und Druckstabilität
  • Einstellbarer Brechungsindex (Kern-/ Mantelmaterial)
Anwendungen
  • Optische SM & MM Polymerwellenleiter
  • Biosensorik
  • Mikrofluidik
Resist Schichtdicke [µm] @ 3000 rpm  Spektrale Empfindlichkeit Besonderheit des gefertigten Wellenleiters
EpoCore 2 2 i-line - 365nm Brechungsindex @ 830 nm: EpoCore: 1,58, EpoClad: 1,57; geringer Schrumpf,
hohe thermische Stabilität bis zu 230°C, geringe optische Dämpfung   ̴0,2dB/cm @ 850nm
EpoCore 5 5
EpoCore 10 10
EpoCore 20 20
EpoCore 50 50 (@ 1.500 rpm)
EpoClad 2 2
EpoClad 5 5
EpoClad 10 10
EpoClad 20 20
EpoClad 50 50 (@ 1.700 rpm)

Empfohlene Prozesschemikalien:

Verdünner: kein Verdünner verfügbar
Entwickler: mr-Dev 600 (lösungsmittelbasiert)
Entferner: mr-Rem 700 (NMP & NEP frei), mr-Rem 500 (NMP frei), O2-Plasma

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mr-EBL 6000 Serie
Negativ-Photoresiste
Ätzmaske
Element 25weqwf
mr-EBL 6000 - Negativresistserie
Hohe E-beam-Empfindlichkeit
Merkmale/ Eigenschaften
  • E-Beam-Empfindlichkeit:
    • 2 - 5 μC/cm2 @ 10 keV
    • 4 - 6 μC/cm2 @ 20 keV
    • 20 - 40 μC/cm2 @ 50 keV
  • Post exposure bake (PEB) erforderlich
  • Entwicklung mit organischen Lösemitteln
  • Exzellente thermische Stabilität
  • Hohe Nass- und Trockenätzstabilität
  • Strukturauflösung: 80 nm
  • Mikro- und Nanoelektronik
  • Halbleiterfertigung
  • Ätzmaske für z.B. Si, SiO2, Si3N4 oder Metalle
  • Stempelherstellung für NIL
Resist Schichtdicke [µm] @ 3000 rpm Empfindlichkeit Eigenschaften
mr-EBL 6000.1 0,1 E-beam exzellente thermische Stabilität, hohe Nass- und Trockenätzstabilität
mr-EBL 6000.3 0,3
mr-EBL 6000.5 0,5

Empfohlene Prozesschemikalien:

Verdünner: ma-T 1045
Entwickler: mr-Dev 600 (lösungsmittelbasiert)
Entferner: mr-Rem 700 (NMP & NEP frei), mr-Rem 500 (NMP frei), O2-Plasma

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InkEpo Serie
Negativ-Photoresiste, Inkjet Materialien
Element 25weqwf
InkEpo-Serie - UV curable material for inkjet-printing
Merkmale/ Eigenschaften
  • UV-härtbare, lösemittelbasierte Tinten
  • Geringe Viskositäten
  • Kompatibel zu Standard-Druckköpfen
  • Ausgezeichnete thermische, mechanische und chemische Stabilität der vernetzten Strukturen
  • Hohe Transparenz im nahen UV und Vis
Anwendungen
  • Mikrolinsen und Mikrolinsen-Arrays
  • Wellenleiter und Mikrofluidik
  • Abstandshalter und Schutzschichten
  • Material zum Permanentbonden
  • Prozessierbar auf großen Substraten
Material Viskosität

[mPas]

Sauerstoffinhibierung Brechungsindex (589 nm, ausgehärtetes Material) Thermische Stabilität (nach Aushärtung) Anwendungsgebiete
InkEpo Serie 5 ± 0.3

8 ± 0.5

12 ± 1

25 ± 1

Ja 1.555 bis zu 180 °C Permanente optische Anwendungen (z. B. Mikrolinsen, Wellenleiter)
Alternative Inkjet Materialien:
InkOrmo Serie 7 ± 1

12 ± 1.5

18 ± 2

Nein 1.517 – 1.520 bis zu 270 °C Permanente optische Anwendungen (z. B. Mikrolinsen)
mr-UVCur26SF 15 ± 2

(lösungsmittelfrei)

Ja 1.518 bis zu 180 °C Ätzmaske, Step & Repeat NIL-Prozesse, large-area structuring of flexible substrates

InkEpo Serie

Resist Viskosität [mPas]

@ r.t.

Spektrale Empfindlichkeit Eigenschaften
InkEpo 5 5 i-line - 365nm Lösemittelhaltige Tinte, für permanente, optische Anwendung 
InkEpo 8 8
InkEpo 12 12
InkEpo 25 25

Empfohlene Prozesschemikalien:

Verdünner: kein Verdünner vorhanden
Entwickler: nicht benötigt
Entferner: mr-Rem 700 (NMP & NEP frei), mr-Rem 500 (NMP frei), O2-Plasma

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Element 32
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Negative Photoresiste

Photoresiste für UV (Mask Aligner, Laser)/ Elektronenstrahl- und Tief-UV-Lithographie

  • Geeignet für Breitband- und i-Linien-Belichtung, Tief-UV- oder Elektronenstrahlbelichtung,  oder Laserdirektschreiben @ 405 nm
  • Lift-off Resiste mit einstellbarem Kantenprofil, hohe Temperaturstabilität bis zu 160 °C
  • ​Verschiedene Viskositäten für unterschiedliche Schichtdicken in einem Schleuderbeschichtungsschritt
     
  • Für die Strukturübertragung: Physical vapour deposition (PVD) und Lift-off als Einschichtsystem, Ätzmaske, Galvanikform 
  • Für die Permanentanwendung: Polymerbasierte Wellenleiter
  • Anwendung in Mikrosystemtechnik, Mikroelektronik, Mikro-Optik – Herstellung von z. B. LEDs, ICs, MEMS, Flachbildschirmen, Glasfaserkommunikations-Bausteinen

Positive Photoresiste

Positiv-Photoresiste für die UV-Lithographie (Mask Aligner-, Laser-, Grauton-Belichtung) und Elektronenstrahllithographie

  • Verschiedene Viskositäten für 0,1 µm – 60 µm Schichtdicke in einem Schleuderbeschichtungsschritt
  • Geeignet für Breitband-, g-Linien- , h-Linien-oder i-Linien-Belichtung, Laser-Direktschreiben bei 350…450 nm und Elektronenstrahllithographie
  • Kein Post Exposure Bake
  • Leichte Entfernbarkeit
     
  • Für die Strukturübertragung: Ätzmaske, Galvanikform, Form für die UV-Abformung
  • Anwendung in Mikrosystemtechnik, Mikroelektronik, Mikro-Optik – Herstellung von z.B. MEMS, LEDs, IC-Bausteinen, MOEMS, Glasfaserkommunikations-Bausteinen, Flachbildschirmen

Hybridpolymere

micro resist technology bietet ein breites Portfolio an UV-härtbaren Hybridpolymer Produkten für mikrooptische Anwendungen. Durch ihre ausgezeichnete optische Transparenz  und hohe thermische Stabilität sind diese besonders geeignet zur Herstellung polymerbasierter optischer Komponenten und Wellenleiter. Die Hauptanwendungsgebiete sind die Herstellung von Mikrolinsen, diffraktiven optischen Elementen (DOE), Gitterstrukturen sowie Singlemode- oder Multimode-Wellenleitern.

OrmoComp®: DE 30 210 075 433; IR 1 091 982 ; TW 100030626; OrmoClear®: DE 30 210 075 434; IR 1 091 359 ; TW 100030628; OrmoStamp®: DE 30 210 075 435; IR 1 092 621 ; TW 100030629; OrmoPrime®: DE 30 210 075 436

Nanoimprint-Resiste

Resiste für die Nanoimprint-Lithographie (NIL)

Die Nanoimprint Lithographie (NIL) ist eine sehr einfache und kostengünstige Technologie zur Herstellung von Strukturen mit Größen weniger Nanometer, die effizient in einem Prozessschritt auch auf großen Flächen realisiert werden kann. Hauptanwendungsfelder der NIL sind photonische Komponenten, unterschiedliche Bauelemente für die nächste Generation der Verbraucherelektronik, sowie Bio- und Life-Science-Sensoren.

Die micro resist technology GmbH bietet seit 1999 maßgeschneiderte Resistformulierungen für die Nanoimprint-Lithographie (NIL) an. Wir legen dabei besonderen Wert auf herausragende Filmbildungs- und Prägeeigenschaften sowie eine exzellente Plasmaätzstabilität und Strukturtreue. Weiterhin bieten wir hochinnovative Materialien, die eng an dem technischen Fortschritt in der Industrie entwickelt wurden. Wir sind in der Lage unsere Materialien an die Kundenwünsche anzupassen, sowohl in den gewünschten Schichtdicken, als auch in deren intrinsischen Materialeigenschaften. Die Nanoimprint-Resiste werden meist als Ätzmaske zur Strukturübertragung in unterschiedliche Substrate wie Si, SiO2, Al oder Saphir, eingesetzt.

Prinzipiell existieren zwei unterschiedliche NIL-Technologien: die thermische NIL (T-NIL), in der thermoplastische Polymere Verwendung finden, und die Photo-NIL bzw. UV-NIL, in der photo-vernetzbare Formulierungen eingesetzt werden. Mit unserer langjährigen Erfahrung sind wir in der Lage, den für Sie passenden Prozess und das am besten geeignetste Material für Ihre Anwendung zu finden. Kontaktieren Sie uns für tiefergehende Informationen.

Funktionelle Materialien für Inkjet-Printing

Spezielle Funktionsmaterialien aus den Produktgruppen Hybridpolymere, Photoresiste und Nanoimprint Polymere für die Beschichtung und alternative Strukturierung mittels Inkjet-Printing-Verfahren

  • Verfügbar in verschiedenen Viskositäten (einstellbar)
  • Anwendbar in kommerziellen Inkjet-Printing Geräten
  • Ausgerichtet auf stabile Reproduzierbarkeit in der Tropfengeneration
  • UV-aushärtende Formulierungen
  • Anwendung als Permanentmaterial für optische Anwendungen (Linsen, Wellenleiter, optische Koppler, diffraktive Elemente, …)
  • Als Packagingmaterial in der Mikroelektronik
  • Beschichtung / Strukturierung auf Substraten mit Oberflächentopographie 
  • Imprintmaterial in der Nanostrukturierung mit hoher Dosiergenauigkeit

Trockenfilmresiste

Trockenfilme sind anwendungsfertige Polymerfilme als Laminat mit einer hohen Schichtdickengenauigkeit und exzellenten Haftungseigenschaften auf verschiedensten Untergründen. Sie sind einfach in der Verarbeitung, foto-strukturierbar und sowohl als zugeschnittene Bögen als auch als Rollenmaterial verfügbar.

  • Verfügbar in verschiedenen Dicken
  • UV-vernetzend – wie negativ Fotoresiste
  • Hohe Aspektraten möglich
  • Senkrechte Seitenwände
  • Mehrfachlaminierung möglich – bis zu 6 Schichten  komplexe Multilayer-Designs
  • Hohe chemische Resistenz
  • Anwendung als Permanentmaterial für optische Anwendungen (Linsen, Wellenleiter …), in der Mikrofluidik

Resist Alliance

micro resist technology ist in Europa zentrale Anlaufstelle für Spezialchemikalien mit Anwendung in der Mikro- und Nanofabrikation. Das Portfolio der eigengefertigten Produkte wird durch den strategischen Vertrieb assoziierter Produkte ergänzt, die durch unsere internationalen Partner hergestellt werden. Hier agieren wir als High-Service-Distributor und bieten dem europäischen Mittelstand ein breites Spektrum an komplementären Produkten aus einer Hand, die sowohl für etablierte als auch für innovative Produktions- und Fertigungsverfahren eingesetzt werden können.

DuPont Electronic Solutions (ehm. DOW Electronic Materials / Rohm and Haas Europe Trading ApS)
Wir bieten Produkte für Semiconductor Technologies, Advanced Packaging und Trockenfilmresiste unseres Partners DuPont an, mit dem wir seit mehr als 20 Jahren zusammenarbeiten. 

Kayaku Advanced Materials, Inc. (ehm. MicroChem Corp.)
Wir bieten Photoresiste und Spezialchemikalien für MEMS und Mikroelektonik-Anwendungen unseres Partners Kayaku Advanced Materials an, mit dem wir seit mehr als 20 Jahren zusammenarbeiten.

DJ MicroLaminates, Inc.
Wir bieten Trockenfilmresiste für MEMS, Mikrofluidik und Packaging-Anwendungen unseres Partners DJ MicroLaminates an, mit dem wir seit über zwei Jahren kooperieren.