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ma-N 1400 Serie
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Merkmale/ Eigenschaften
  • verschiedene Resistviskositäten verfügbar
  • wässrig-alkalisch entwickelbar
  • Einstellbares Strukturprofil: vertikal bis unterschnitten
  • Hohe Nass- und Trockenätzstabilität
  • Gute thermische Stabilität der Resiststrukturen
  • leicht entfernbar
Anwendungen
  • Mikroelektronik und Mikrosystemtechnik
  • Maske für Lift-off Prozesse
  • Ätzmaske für Halbleiter und Metalle
  • geeignet für Ionenimplantationsprozesse
  • Galvanoform
ma-N 1400 - Negativphotoresistserie
für Strukturübertragungs- und Einschicht-Lift-off-Prozesse
Resist ma-N 1405 ma-N 1407 ma-N 1410 ma-N 1420 ma-N 1440
Schichtdicke [µm] @ 3000 rpm 0,5 0,7 1,0 2,0 4,0
dyn. Viskosität [mPas]

(@ 25 °C, 1000 s-1)

4,3 6,2 10 27 100
Prebake 100 - 105°C
Spektrale Empfindlichkeit 300 - 410nm

i-line - 365 nm

(h-line - 405 nm)

Belichtungsdosis @ 365 nm

UV Mercury Lamp/ Breitband

UV-LED, Stepper, Laser

300 – 700 mJ/cm2
Entwickler ma-D 533/S 

(TMAH based)

Entferner mr-Rem 700 (NMP & NEP free)

mr-Rem 500 (NMP free)

ma-R 404/S (strongly alkaline)

Lift-off mr-Rem 700 (NMP & NEP free)

mr-Rem 500 (NMP free)

Empfohlende Prozesschemikalien:
für ma-N 1400 Serie für ma-N 400 Serie
Verdünner  ma-T 1046 ma-T 1049
Entwickler ma-D 533/S (TMAH basiert) ma-D 331/S, ma-D 332/S (NaOH basiert)

531/S, ma-D 532/S (TMAH basiert)

Entferner mr-Rem 700 (NMP & NEP frei)

mr-Rem 500 (NMP frei)

ma-R 404/S (stark alkalisch)

mr-Rem 700 (NMP & NEP frei)

mr-Rem 500 (NMP frei)

ma-R 404/S (stark alkalisch)

Lift-off mr-Rem 700 (NMP & NEP frei)

mr-Rem 500 (NMP frei)

mr-Rem 700 (NMP & NEP frei)

mr-Rem 500 (NMP frei)

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Negativresist, Positivresist
Homogene Beschichtung von Substraten mit Topographie
Homogene Beschichtung von Substraten mit Topographie
Eine materialsparende Methode zur homogenen Beschichtung von Substraten, insbesondere von Substraten mit Topographie oder unförmigen, teilweise schweren Substraten ist die Sprühbeschichtung.
Negativresist
Positivresist
UV-Lithography
Galvanik
Trockenätzen
Naßätzen
3 D Mikrostrukturen
Halbleiterbauelemente
ma-N 1400
ma-N 400
ma-P 1200
ma-P 1200G
18. Juni 2020
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Resist Alliance

micro resist technology ist in Europa zentrale Anlaufstelle für Spezialchemikalien mit Anwendung in der Mikro- und Nanofabrikation. Das Portfolio der eigengefertigten Produkte wird durch den strategischen Vertrieb assoziierter Produkte ergänzt, die durch unsere internationalen Partner hergestellt werden. Hier agieren wir als High-Service-Distributor und bieten dem europäischen Mittelstand ein breites Spektrum an komplementären Produkten aus einer Hand, die sowohl für etablierte als auch für innovative Produktions- und Fertigungsverfahren eingesetzt werden können.

DuPont Electronic Solutions (ehm. DOW Electronic Materials / Rohm and Haas Europe Trading ApS)
Wir bieten Produkte für Semiconductor Technologies, Advanced Packaging und Trockenfilmresiste unseres Partners DuPont an, mit dem wir seit mehr als 20 Jahren zusammenarbeiten. 

Kayaku Advanced Materials, Inc. (ehm. MicroChem Corp.)
Wir bieten Photoresiste und Spezialchemikalien für MEMS und Mikroelektonik-Anwendungen unseres Partners Kayaku Advanced Materials an, mit dem wir seit mehr als 20 Jahren zusammenarbeiten.

DJ MicroLaminates, Inc.
Wir bieten Trockenfilmresiste für MEMS, Mikrofluidik und Packaging-Anwendungen unseres Partners DJ MicroLaminates an, mit dem wir seit über zwei Jahren kooperieren.

 

Trockenfilmresiste

Trockenfilme sind anwendungsfertige Polymerfilme als Laminat mit einer hohen Schichtdickengenauigkeit und exzellenten Haftungseigenschaften auf verschiedensten Untergründen. Sie sind einfach in der Verarbeitung, foto-strukturierbar und sowohl als zugeschnittene Bögen als auch als Rollenmaterial verfügbar.

  • Verfügbar in verschiedenen Dicken
  • UV-vernetzend – wie negativ Fotoresiste
  • Hohe Aspektraten möglich
  • Senkrechte Seitenwände
  • Mehrfachlaminierung möglich – bis zu 6 Schichten  komplexe Multilayer-Designs
  • Hohe chemische Resistenz
  • Anwendung als Permanentmaterial für optische Anwendungen (Linsen, Wellenleiter …), in der Mikrofluidik

Funktionelle Materialien für Inkjet-Printing

Spezielle Funktionsmaterialien aus den Produktgruppen Hybridpolymere, Photoresiste und Nanoimprint Polymere für die Beschichtung und alternative Strukturierung mittels Inkjet-Printing-Verfahren

  • Verfügbar in verschiedenen Viskositäten (einstellbar)
  • Anwendbar in kommerziellen Inkjet-Printing Geräten
  • Ausgerichtet auf stabile Reproduzierbarkeit in der Tropfengeneration
  • UV-aushärtende Formulierungen
  • Anwendung als Permanentmaterial für optische Anwendungen (Linsen, Wellenleiter, optische Koppler, diffraktive Elemente, …)
  • Als Packagingmaterial in der Mikroelektronik
  • Beschichtung / Strukturierung auf Substraten mit Oberflächentopographie 
  • Imprintmaterial in der Nanostrukturierung mit hoher Dosiergenauigkeit

Nanoimprint-Resiste

Resiste für die Nanoimprint-Lithographie (NIL)

Die Nanoimprint Lithographie (NIL) ist eine sehr einfache und kostengünstige Technologie zur Herstellung von Strukturen mit Größen weniger Nanometer, die effizient in einem Prozessschritt auch auf großen Flächen realisiert werden kann. Hauptanwendungsfelder der NIL sind photonische Komponenten, unterschiedliche Bauelemente für die nächste Generation der Verbraucherelektronik, sowie Bio- und Life-Science-Sensoren.

Die micro resist technology GmbH bietet seit 1999 maßgeschneiderte Resistformulierungen für die Nanoimprint-Lithographie (NIL) an. Wir legen dabei besonderen Wert auf herausragende Filmbildungs- und Prägeeigenschaften sowie eine exzellente Plasmaätzstabilität und Strukturtreue. Weiterhin bieten wir hochinnovative Materialien, die eng an dem technischen Fortschritt in der Industrie entwickelt wurden. Wir sind in der Lage unsere Materialien an die Kundenwünsche anzupassen, sowohl in den gewünschten Schichtdicken, als auch in deren intrinsischen Materialeigenschaften. Die Nanoimprint-Resiste werden meist als Ätzmaske zur Strukturübertragung in unterschiedliche Substrate wie Si, SiO2, Al oder Saphir, eingesetzt.

Prinzipiell existieren zwei unterschiedliche NIL-Technologien: die thermische NIL (T-NIL), in der thermoplastische Polymere Verwendung finden, und die Photo-NIL bzw. UV-NIL, in der photo-vernetzbare Formulierungen eingesetzt werden. Mit unserer langjährigen Erfahrung sind wir in der Lage, den für Sie passenden Prozess und das am besten geeignetste Material für Ihre Anwendung zu finden. Kontaktieren Sie uns für tiefergehende Informationen.

Hybridpolymere

micro resist technology bietet ein breites Portfolio an UV-härtbaren Hybridpolymer Produkten für mikrooptische Anwendungen. Durch ihre ausgezeichnete optische Transparenz  und hohe thermische Stabilität sind diese besonders geeignet zur Herstellung polymerbasierter optischer Komponenten und Wellenleiter. Die Hauptanwendungsgebiete sind die Herstellung von Mikrolinsen, diffraktiven optischen Elementen (DOE), Gitterstrukturen sowie Singlemode- oder Multimode-Wellenleitern.

OrmoComp®: DE 30 210 075 433; IR 1 091 982 ; TW 100030626; OrmoClear®: DE 30 210 075 434; IR 1 091 359 ; TW 100030628; OrmoStamp®: DE 30 210 075 435; IR 1 092 621 ; TW 100030629; OrmoPrime®: DE 30 210 075 436

Positive Photoresiste

Positiv-Photoresiste für die UV-Lithographie (Mask Aligner-, Laser-, Grauton-Belichtung) und Elektronenstrahllithographie

  • Verschiedene Viskositäten für 0,1 µm – 60 µm Schichtdicke in einem Schleuderbeschichtungsschritt
  • Geeignet für Breitband-, g-Linien- , h-Linien-oder i-Linien-Belichtung, Laser-Direktschreiben bei 350…450 nm und Elektronenstrahllithographie
  • Kein Post Exposure Bake
  • Leichte Entfernbarkeit
     
  • Für die Strukturübertragung: Ätzmaske, Galvanikform, Form für die UV-Abformung
  • Anwendung in Mikrosystemtechnik, Mikroelektronik, Mikro-Optik – Herstellung von z.B. MEMS, LEDs, IC-Bausteinen, MOEMS, Glasfaserkommunikations-Bausteinen, Flachbildschirmen

Negative Photoresiste

Photoresiste für UV (Mask Aligner, Laser)/ Elektronenstrahl- und Tief-UV-Lithographie

  • Geeignet für Breitband- und i-Linien-Belichtung, Tief-UV- oder Elektronenstrahlbelichtung,  oder Laserdirektschreiben @ 405 nm
  • Lift-off Resiste mit einstellbarem Kantenprofil, hohe Temperaturstabilität bis zu 160 °C
  • ​Verschiedene Viskositäten für unterschiedliche Schichtdicken in einem Schleuderbeschichtungsschritt
     
  • Für die Strukturübertragung: Physical vapour deposition (PVD) und Lift-off als Einschichtsystem, Ätzmaske, Galvanikform 
  • Für die Permanentanwendung: Polymerbasierte Wellenleiter
  • Anwendung in Mikrosystemtechnik, Mikroelektronik, Mikro-Optik – Herstellung von z. B. LEDs, ICs, MEMS, Flachbildschirmen, Glasfaserkommunikations-Bausteinen