Element 2
+49 30 641 670 100
Element 1
info@microresist.de
ma-P 1200 Serie / ma-P 1275HV
Share on email
Share on telegram
Share on whatsapp
Share on twitter
Share on facebook
Share on linkedin
Merkmale
  • Schichtdicke bis 60 µm in einem Schleuderbeschichtungsschritt
  • Breitband-, g-, h- und i-Linien-Belichtung
  • Hohe Strukturstabilität in sauren und basischen Galvanikbädern
  • Hohe Nass- und Trockenätzstabilität
  • Gute Temperaturbeständigkeit der Resiststrukturen erreichbar
  • Wässrig-alkalische Entwicklung
  • Bis zu 87° Kanstensteilheit mit Mask Aligner Breitbandbelichtung
  • Geeignet für Reflow
Anwendungen
  • Ätzmaske für Metall- und Halbleiter-Substrate
  • Form für die Galvanik – z.B. für Mikrospulen, Mikrofedern
  • Herstellung Mikro-optischer Komponenten – z.B. Mikro-Linsen durch – Strukturübertragung nach Reflow von Resiststrukturen
  • Maske für die Ionenimplantation
Positiv-Photoresistserie und dicke Photoresiste für die UV-Lithographie
ma-P 1200-Serie und ma-P 1275 & ma-P 1275HV für die Mikrosystemtechnik und Mikroelektronik
Resist ma-P 1205 ma-P 1210 ma-P 1215 ma-P 1225 ma-P 1240 ma-P 1275 ma-P 1275HV
Schichtdicke [µm] @ 3000 rpm 0.5 1.0 1.5 2.5 4.0 7.5

(up to 40 µm at lower spin speed)

11

(up to 50 µm at lower spin speeds)

dyn. Viskosität [mPas]

(@ 25 °C, 1000 s-1)

5 12 22 50 125 460 1100
Prebake 100 - 105°C
Spektrale Empfindlichkeit 350 - 450nm

i-line - 365 nm; h-line - 405 nm; g-line 436 nm

Belichtungsdosis

Hg lamp @ 365 nm

UV-LED monochromatic

35 - 4000 mJ/cm2      (0.5 - 50 µm Schichtdicke)

1000 - 4000 mJ/cm2    (> 10 µm Schichtdicke)

Entwickler mr-D 526/S (TMAH basiert) - for greyscale lithography

ma-D 331 (NaOH basiert) - for standard binary lithography

Entferner mr-Rem 700 (NMP & NEP frei)

mr-Rem 500 (NMP frei)

ma-R 404/S (stark alkalisch)

Empfohlene Prozesschemikalien:
Verdünner ma-T 1050
Entwickler mr-D 526/S (TMAH basiert)
ma-D 331 (NaOH basiert)
Entferner mr-Rem 700 (NMP & NEP frei)
mr-Rem 500 (NMP frei)
ma-R 404/S (stark alkalisch)

Angebotsanfrage

Auswahl zurücksetzen
Positivresist, Hybridpolymere
Herstellung von Mikrolinsen-Arrays mittels Reflow und UV-Abformung
Herstellung von Mikrolinsen-Arrays mittels Reflow und UV-Abformung
Eine kostengünstige Methode zur Herstellung von Mikrolinsen-Arrays ist das Rundschmelzen des strukturierten Positivresists ma-P 1200G oder ma-P 1200 und die anschließende UV-Abformung der 3D-Strukturen in OrmoStamp® oder OrmoComp®
Positivresist
Hybridpolymere
Thermischer Reflow
3D Microstrukturen
Mikro Optiken
Wafer Level Optiken
ma-P 1200
ma-P 1200G
OrmoStamp
OrmoComp
23. Juni 2020
Share on email
Share on telegram
Share on whatsapp
Share on twitter
Share on facebook
Share on linkedin
Positivresist, Hybridpolymere
Dreidimensionale optische Strukturen – Grauton-Lithographie
Dreidimensionale optische Strukturen - Grauton-Lithographie
Eine ausgezeichnete Methode zur Herstellung dreidimensionaler optischer Strukturen ist die Grauton-Lithographie mit dem Positiv-Resist ma-P 1200G und anschließender Strukturübertragung mittels UV-Abformung mit OrmoStamp® und OrmoComp®.
Positivresist
Hybridpolymere
Grauton Lithografie
Mikro Optiken
Wafer Level Optiken
Nanoimprint Lithographie (UV- oder Photo-NIL) für Permanentanwendung
ma-P 1200
OrmoStamp
OrmoComp
23. Juni 2020
Share on email
Share on telegram
Share on whatsapp
Share on twitter
Share on facebook
Share on linkedin

Kontaktieren Sie uns.

Pflichtfelder sind mit einem * gekennzeichnet.

© All rights reserved: micro resist technology GmbH / Gestaltung und Umsetzung: onthewall GmbH

Element 32
0

Resist Alliance

micro resist technology ist in Europa zentrale Anlaufstelle für Spezialchemikalien mit Anwendung in der Mikro- und Nanofabrikation. Das Portfolio der eigengefertigten Produkte wird durch den strategischen Vertrieb assoziierter Produkte ergänzt, die durch unsere internationalen Partner hergestellt werden. Hier agieren wir als High-Service-Distributor und bieten dem europäischen Mittelstand ein breites Spektrum an komplementären Produkten aus einer Hand, die sowohl für etablierte als auch für innovative Produktions- und Fertigungsverfahren eingesetzt werden können.

DuPont Electronic Solutions (ehm. DOW Electronic Materials / Rohm and Haas Europe Trading ApS)
Wir bieten Produkte für Semiconductor Technologies, Advanced Packaging und Trockenfilmresiste unseres Partners DuPont an, mit dem wir seit mehr als 20 Jahren zusammenarbeiten. 

Kayaku Advanced Materials, Inc. (ehm. MicroChem Corp.)
Wir bieten Photoresiste und Spezialchemikalien für MEMS und Mikroelektonik-Anwendungen unseres Partners Kayaku Advanced Materials an, mit dem wir seit mehr als 20 Jahren zusammenarbeiten.

DJ MicroLaminates, Inc.
Wir bieten Trockenfilmresiste für MEMS, Mikrofluidik und Packaging-Anwendungen unseres Partners DJ MicroLaminates an, mit dem wir seit über zwei Jahren kooperieren.

 

Trockenfilmresiste

Trockenfilme sind anwendungsfertige Polymerfilme als Laminat mit einer hohen Schichtdickengenauigkeit und exzellenten Haftungseigenschaften auf verschiedensten Untergründen. Sie sind einfach in der Verarbeitung, foto-strukturierbar und sowohl als zugeschnittene Bögen als auch als Rollenmaterial verfügbar.

  • Verfügbar in verschiedenen Dicken
  • UV-vernetzend – wie negativ Fotoresiste
  • Hohe Aspektraten möglich
  • Senkrechte Seitenwände
  • Mehrfachlaminierung möglich – bis zu 6 Schichten  komplexe Multilayer-Designs
  • Hohe chemische Resistenz
  • Anwendung als Permanentmaterial für optische Anwendungen (Linsen, Wellenleiter …), in der Mikrofluidik

Funktionelle Materialien für Inkjet-Printing

Spezielle Funktionsmaterialien aus den Produktgruppen Hybridpolymere, Photoresiste und Nanoimprint Polymere für die Beschichtung und alternative Strukturierung mittels Inkjet-Printing-Verfahren

  • Verfügbar in verschiedenen Viskositäten (einstellbar)
  • Anwendbar in kommerziellen Inkjet-Printing Geräten
  • Ausgerichtet auf stabile Reproduzierbarkeit in der Tropfengeneration
  • UV-aushärtende Formulierungen
  • Anwendung als Permanentmaterial für optische Anwendungen (Linsen, Wellenleiter, optische Koppler, diffraktive Elemente, …)
  • Als Packagingmaterial in der Mikroelektronik
  • Beschichtung / Strukturierung auf Substraten mit Oberflächentopographie 
  • Imprintmaterial in der Nanostrukturierung mit hoher Dosiergenauigkeit

Nanoimprint-Resiste

Resiste für die Nanoimprint-Lithographie (NIL)

Die Nanoimprint Lithographie (NIL) ist eine sehr einfache und kostengünstige Technologie zur Herstellung von Strukturen mit Größen weniger Nanometer, die effizient in einem Prozessschritt auch auf großen Flächen realisiert werden kann. Hauptanwendungsfelder der NIL sind photonische Komponenten, unterschiedliche Bauelemente für die nächste Generation der Verbraucherelektronik, sowie Bio- und Life-Science-Sensoren.

Die micro resist technology GmbH bietet seit 1999 maßgeschneiderte Resistformulierungen für die Nanoimprint-Lithographie (NIL) an. Wir legen dabei besonderen Wert auf herausragende Filmbildungs- und Prägeeigenschaften sowie eine exzellente Plasmaätzstabilität und Strukturtreue. Weiterhin bieten wir hochinnovative Materialien, die eng an dem technischen Fortschritt in der Industrie entwickelt wurden. Wir sind in der Lage unsere Materialien an die Kundenwünsche anzupassen, sowohl in den gewünschten Schichtdicken, als auch in deren intrinsischen Materialeigenschaften. Die Nanoimprint-Resiste werden meist als Ätzmaske zur Strukturübertragung in unterschiedliche Substrate wie Si, SiO2, Al oder Saphir, eingesetzt.

Prinzipiell existieren zwei unterschiedliche NIL-Technologien: die thermische NIL (T-NIL), in der thermoplastische Polymere Verwendung finden, und die Photo-NIL bzw. UV-NIL, in der photo-vernetzbare Formulierungen eingesetzt werden. Mit unserer langjährigen Erfahrung sind wir in der Lage, den für Sie passenden Prozess und das am besten geeignetste Material für Ihre Anwendung zu finden. Kontaktieren Sie uns für tiefergehende Informationen.

Hybridpolymere

micro resist technology bietet ein breites Portfolio an UV-härtbaren Hybridpolymer Produkten für mikrooptische Anwendungen. Durch ihre ausgezeichnete optische Transparenz  und hohe thermische Stabilität sind diese besonders geeignet zur Herstellung polymerbasierter optischer Komponenten und Wellenleiter. Die Hauptanwendungsgebiete sind die Herstellung von Mikrolinsen, diffraktiven optischen Elementen (DOE), Gitterstrukturen sowie Singlemode- oder Multimode-Wellenleitern.

OrmoComp®: DE 30 210 075 433; IR 1 091 982 ; TW 100030626; OrmoClear®: DE 30 210 075 434; IR 1 091 359 ; TW 100030628; OrmoStamp®: DE 30 210 075 435; IR 1 092 621 ; TW 100030629; OrmoPrime®: DE 30 210 075 436

Positive Photoresiste

Positiv-Photoresiste für die UV-Lithographie (Mask Aligner-, Laser-, Grauton-Belichtung) und Elektronenstrahllithographie

  • Verschiedene Viskositäten für 0,1 µm – 60 µm Schichtdicke in einem Schleuderbeschichtungsschritt
  • Geeignet für Breitband-, g-Linien- , h-Linien-oder i-Linien-Belichtung, Laser-Direktschreiben bei 350…450 nm und Elektronenstrahllithographie
  • Kein Post Exposure Bake
  • Leichte Entfernbarkeit
     
  • Für die Strukturübertragung: Ätzmaske, Galvanikform, Form für die UV-Abformung
  • Anwendung in Mikrosystemtechnik, Mikroelektronik, Mikro-Optik – Herstellung von z.B. MEMS, LEDs, IC-Bausteinen, MOEMS, Glasfaserkommunikations-Bausteinen, Flachbildschirmen

Negative Photoresiste

Photoresiste für UV (Mask Aligner, Laser)/ Elektronenstrahl- und Tief-UV-Lithographie

  • Geeignet für Breitband- und i-Linien-Belichtung, Tief-UV- oder Elektronenstrahlbelichtung,  oder Laserdirektschreiben @ 405 nm
  • Lift-off Resiste mit einstellbarem Kantenprofil, hohe Temperaturstabilität bis zu 160 °C
  • ​Verschiedene Viskositäten für unterschiedliche Schichtdicken in einem Schleuderbeschichtungsschritt
     
  • Für die Strukturübertragung: Physical vapour deposition (PVD) und Lift-off als Einschichtsystem, Ätzmaske, Galvanikform 
  • Für die Permanentanwendung: Polymerbasierte Wellenleiter
  • Anwendung in Mikrosystemtechnik, Mikroelektronik, Mikro-Optik – Herstellung von z. B. LEDs, ICs, MEMS, Flachbildschirmen, Glasfaserkommunikations-Bausteinen