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ma-P 1200G Serie
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Merkmale
  • Verringerter Kontrast
  • Schichtdicke von 1 µm bis 60 µm und höher
  • 50-60 µm Strukturtiefe möglich in der Grautonlithographie
  • Spektrale Empfindlichkeit 350…450 nm
  • Laser-Belichtung mit hoher Intensität ohne Ausgasen des Resists möglich
  • Wässrig-alkalische Entwicklung, für die Grautonlithographie mit TMAH-Entwicklern, für binäre Standard-Lithographie auch mit metallionenhaltigen Entwicklern
  • Geeignet für die Galvanik
  • Geeignet für Trockenätzprozesse, z.B. mit CHF3, CF4, SF6
  • Geeignet für den Struktur-Reflow nach binärer Standard-Lithographie
Anwendungen
  • Anwendung der hergestellten 3D Strukturen in der Mikro-Optik, in MEMS und MOEMS, in Displays
  • Strukturübertragung durch
    • UV-Abformung
    • Ätzen
    • Galvanik
Photoresist-Serie für Grauton-Lithographie
ma-P 1200G ist eine Positiv-Photoresist-Serie speziell für die Anforderungen der Grautonlithographie, einsetzbar auch in der binären Standard-UV-Lithographie.
Resist ma-P 1215G ma-P 1225G ma-P 1275G
Schichtdicke [µm] @ 3000 rpm 1.5 2.5 9.5

(up to 60 µm @ lower spin speeds)

dyn. Viskosität [mPas]

(typische Werte @ 25 °C, 1000 s-1)

21 51 900
Prebake 95 - 100°C
Spektrale Empfindlichkeit 350 - 450nm

i-line - 365 nm; h-line - 405 nm; g-line 436 nm

Belichtungsdosis

Hg lamp @ 365 nm

Laser direct writing

1 - 60 µm Schichtdicke

60 - 5000 mJ/cm²   (Standard-Binärlithographie)

10 - 350 ms/ spot   (Grauton-Lithographie)

Entwickler ma-D 532/S, mr-D 526/S (TMAH basiert) für Grauton-Lithographie

ma-D 331 (NaOH basiert) für Standard-Binärlithographie

Entferner mr-Rem 700 (NMP & NEP frei)

mr-Rem 500 (NMP frei)

ma-R 404/S (stark alkalisch)

Empfohlene Prozesschemikalien:
Verdünner ma-T 1050
Entwickler ma-D 532/S, mr-D 526/S (TMAH basiert) für Grauton-Lithographie
ma-D 331 (NaOH basiert) für Standard Lithographie
Entferner mr-Rem 700 (NMP & NEP frei)
mr-Rem 500 (NMP frei)
ma-R 404/S (stark alkalisch)

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Positivresist, Hybridpolymere
Herstellung von Mikrolinsen-Arrays mittels Reflow und UV-Abformung
Herstellung von Mikrolinsen-Arrays mittels Reflow und UV-Abformung
Eine kostengünstige Methode zur Herstellung von Mikrolinsen-Arrays ist das Rundschmelzen des strukturierten Positivresists ma-P 1200G oder ma-P 1200 und die anschließende UV-Abformung der 3D-Strukturen in OrmoStamp® oder OrmoComp®
Positivresist
Hybridpolymere
Thermischer Reflow
3D Microstrukturen
Mikro Optiken
Wafer Level Optiken
ma-P 1200
ma-P 1200G
OrmoStamp
OrmoComp
23. Juni 2020
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Negativresist, Positivresist
Homogene Beschichtung von Substraten mit Topographie
Homogene Beschichtung von Substraten mit Topographie
Eine materialsparende Methode zur homogenen Beschichtung von Substraten, insbesondere von Substraten mit Topographie oder unförmigen, teilweise schweren Substraten ist die Sprühbeschichtung.
Negativresist
Positivresist
UV-Lithography
Galvanik
Trockenätzen
Naßätzen
3 D Mikrostrukturen
Halbleiterbauelemente
ma-N 1400
ma-N 400
ma-P 1200
ma-P 1200G
18. Juni 2020
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© All rights reserved: micro resist technology GmbH / Gestaltung und Umsetzung: onthewall GmbH

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Resist Alliance

micro resist technology ist in Europa zentrale Anlaufstelle für Spezialchemikalien mit Anwendung in der Mikro- und Nanofabrikation. Das Portfolio der eigengefertigten Produkte wird durch den strategischen Vertrieb assoziierter Produkte ergänzt, die durch unsere internationalen Partner hergestellt werden. Hier agieren wir als High-Service-Distributor und bieten dem europäischen Mittelstand ein breites Spektrum an komplementären Produkten aus einer Hand, die sowohl für etablierte als auch für innovative Produktions- und Fertigungsverfahren eingesetzt werden können.

DuPont Electronic Solutions (ehm. DOW Electronic Materials / Rohm and Haas Europe Trading ApS)
Wir bieten Produkte für Semiconductor Technologies, Advanced Packaging und Trockenfilmresiste unseres Partners DuPont an, mit dem wir seit mehr als 20 Jahren zusammenarbeiten. 

Kayaku Advanced Materials, Inc. (ehm. MicroChem Corp.)
Wir bieten Photoresiste und Spezialchemikalien für MEMS und Mikroelektonik-Anwendungen unseres Partners Kayaku Advanced Materials an, mit dem wir seit mehr als 20 Jahren zusammenarbeiten.

DJ MicroLaminates, Inc.
Wir bieten Trockenfilmresiste für MEMS, Mikrofluidik und Packaging-Anwendungen unseres Partners DJ MicroLaminates an, mit dem wir seit über zwei Jahren kooperieren.

 

Trockenfilmresiste

Trockenfilme sind anwendungsfertige Polymerfilme als Laminat mit einer hohen Schichtdickengenauigkeit und exzellenten Haftungseigenschaften auf verschiedensten Untergründen. Sie sind einfach in der Verarbeitung, foto-strukturierbar und sowohl als zugeschnittene Bögen als auch als Rollenmaterial verfügbar.

  • Verfügbar in verschiedenen Dicken
  • UV-vernetzend – wie negativ Fotoresiste
  • Hohe Aspektraten möglich
  • Senkrechte Seitenwände
  • Mehrfachlaminierung möglich – bis zu 6 Schichten  komplexe Multilayer-Designs
  • Hohe chemische Resistenz
  • Anwendung als Permanentmaterial für optische Anwendungen (Linsen, Wellenleiter …), in der Mikrofluidik

Funktionelle Materialien für Inkjet-Printing

Spezielle Funktionsmaterialien aus den Produktgruppen Hybridpolymere, Photoresiste und Nanoimprint Polymere für die Beschichtung und alternative Strukturierung mittels Inkjet-Printing-Verfahren

  • Verfügbar in verschiedenen Viskositäten (einstellbar)
  • Anwendbar in kommerziellen Inkjet-Printing Geräten
  • Ausgerichtet auf stabile Reproduzierbarkeit in der Tropfengeneration
  • UV-aushärtende Formulierungen
  • Anwendung als Permanentmaterial für optische Anwendungen (Linsen, Wellenleiter, optische Koppler, diffraktive Elemente, …)
  • Als Packagingmaterial in der Mikroelektronik
  • Beschichtung / Strukturierung auf Substraten mit Oberflächentopographie 
  • Imprintmaterial in der Nanostrukturierung mit hoher Dosiergenauigkeit

Nanoimprint-Resiste

Resiste für die Nanoimprint-Lithographie (NIL)

Die Nanoimprint Lithographie (NIL) ist eine sehr einfache und kostengünstige Technologie zur Herstellung von Strukturen mit Größen weniger Nanometer, die effizient in einem Prozessschritt auch auf großen Flächen realisiert werden kann. Hauptanwendungsfelder der NIL sind photonische Komponenten, unterschiedliche Bauelemente für die nächste Generation der Verbraucherelektronik, sowie Bio- und Life-Science-Sensoren.

Die micro resist technology GmbH bietet seit 1999 maßgeschneiderte Resistformulierungen für die Nanoimprint-Lithographie (NIL) an. Wir legen dabei besonderen Wert auf herausragende Filmbildungs- und Prägeeigenschaften sowie eine exzellente Plasmaätzstabilität und Strukturtreue. Weiterhin bieten wir hochinnovative Materialien, die eng an dem technischen Fortschritt in der Industrie entwickelt wurden. Wir sind in der Lage unsere Materialien an die Kundenwünsche anzupassen, sowohl in den gewünschten Schichtdicken, als auch in deren intrinsischen Materialeigenschaften. Die Nanoimprint-Resiste werden meist als Ätzmaske zur Strukturübertragung in unterschiedliche Substrate wie Si, SiO2, Al oder Saphir, eingesetzt.

Prinzipiell existieren zwei unterschiedliche NIL-Technologien: die thermische NIL (T-NIL), in der thermoplastische Polymere Verwendung finden, und die Photo-NIL bzw. UV-NIL, in der photo-vernetzbare Formulierungen eingesetzt werden. Mit unserer langjährigen Erfahrung sind wir in der Lage, den für Sie passenden Prozess und das am besten geeignetste Material für Ihre Anwendung zu finden. Kontaktieren Sie uns für tiefergehende Informationen.

Hybridpolymere

micro resist technology bietet ein breites Portfolio an UV-härtbaren Hybridpolymer Produkten für mikrooptische Anwendungen. Durch ihre ausgezeichnete optische Transparenz  und hohe thermische Stabilität sind diese besonders geeignet zur Herstellung polymerbasierter optischer Komponenten und Wellenleiter. Die Hauptanwendungsgebiete sind die Herstellung von Mikrolinsen, diffraktiven optischen Elementen (DOE), Gitterstrukturen sowie Singlemode- oder Multimode-Wellenleitern.

OrmoComp®: DE 30 210 075 433; IR 1 091 982 ; TW 100030626; OrmoClear®: DE 30 210 075 434; IR 1 091 359 ; TW 100030628; OrmoStamp®: DE 30 210 075 435; IR 1 092 621 ; TW 100030629; OrmoPrime®: DE 30 210 075 436

Positive Photoresiste

Positiv-Photoresiste für die UV-Lithographie (Mask Aligner-, Laser-, Grauton-Belichtung) und Elektronenstrahllithographie

  • Verschiedene Viskositäten für 0,1 µm – 60 µm Schichtdicke in einem Schleuderbeschichtungsschritt
  • Geeignet für Breitband-, g-Linien- , h-Linien-oder i-Linien-Belichtung, Laser-Direktschreiben bei 350…450 nm und Elektronenstrahllithographie
  • Kein Post Exposure Bake
  • Leichte Entfernbarkeit
     
  • Für die Strukturübertragung: Ätzmaske, Galvanikform, Form für die UV-Abformung
  • Anwendung in Mikrosystemtechnik, Mikroelektronik, Mikro-Optik – Herstellung von z.B. MEMS, LEDs, IC-Bausteinen, MOEMS, Glasfaserkommunikations-Bausteinen, Flachbildschirmen

Negative Photoresiste

Photoresiste für UV (Mask Aligner, Laser)/ Elektronenstrahl- und Tief-UV-Lithographie

  • Geeignet für Breitband- und i-Linien-Belichtung, Tief-UV- oder Elektronenstrahlbelichtung,  oder Laserdirektschreiben @ 405 nm
  • Lift-off Resiste mit einstellbarem Kantenprofil, hohe Temperaturstabilität bis zu 160 °C
  • ​Verschiedene Viskositäten für unterschiedliche Schichtdicken in einem Schleuderbeschichtungsschritt
     
  • Für die Strukturübertragung: Physical vapour deposition (PVD) und Lift-off als Einschichtsystem, Ätzmaske, Galvanikform 
  • Für die Permanentanwendung: Polymerbasierte Wellenleiter
  • Anwendung in Mikrosystemtechnik, Mikroelektronik, Mikro-Optik – Herstellung von z. B. LEDs, ICs, MEMS, Flachbildschirmen, Glasfaserkommunikations-Bausteinen