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Prozesschemikalien

ma-D 331
Entwickler
micro resist technology
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Anwendung

wässrig-alkalischer Entwickler für Photoresiste

Charakterisierung:

- wässrig-alkalischer NaOH basierter Entwickler für Photoresistserien: ma-P 1200, ma-P 1200 G (Binäre Lithographie) & ma-N 2400

- Tauch-, Immersions- und Sprühentwicklung

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ma-D 331/S
Entwickler
micro resist technology
Element 25weqwf

Anwendung

wässrig-alkalischer, tensid-haltiger Entwickler für Photoresiste

Charakterisierung:

- wässrig-alkalischer, tensid-haltiger NaOH basierter Entwickler für Photoresistserien: ma-P 1200 & ma-N 400

- Tauch-, Immersions- und Sprühentwicklung

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ma-D 332
Entwickler
micro resist technology
Element 25weqwf

Anwendung

wässrig-alkalischer Entwickler für Photoresiste

Charakterisierung:

- wässrig-alkalischer NaOH basierter Entwickler für Photoresistserien: ma-N 2400

- Tauch-, Immersions- und Sprühentwicklung

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ma-D 332/S
Entwickler
micro resist technology
Element 25weqwf

Anwendung

wässrig-alkalischer, tensid-haltiger Entwickler für Photoresiste

Charakterisierung:

- wässrig-alkalischer, tensid-haltiger NaOH basierter Entwickler für Photoresistserien: ma-N 400

- Tauch-, Immersions- und Sprühentwicklung

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ma-D 374/S
Entwickler
micro resist technology
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Anwendung

wässrig-alkalischer, tensid-haltiger Entwickler für Photoresiste

Charakterisierung:

- wässrig-alkalischer, tensid-haltiger Metasilikat-basierter Entwickler für Photoresistserie: ma-P 1200 LIL 

- Tauch-, Immersions- und Sprühentwicklung

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ma-D 377
Entwickler
micro resist technology
Element 25weqwf

Anwendung

wässrig-alkalischer Entwickler für Photoresiste

Charakterisierung:

- wässrig-alkalischer, metasilikat-basierter Entwickler für Photoresistserien: ma-P 1200, ma-P 1200 G, ma-N 2400, ma-N 400

- auf Al und Al-enthaltende Substrate 

- Tauch-, Immersions- und Sprühentwicklung

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ma-D 525
Entwickler
micro resist technology
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Anwendung

wässrig-alkalischer Entwickler für Photoresiste

Charakterisierung:

- wässrig-alkalischer TMAH basierter Entwickler für Photoresistserien: ma-N 2400

- Tauch-, Immersions- und Sprühentwicklung

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ma-D 531/S
Entwickler
micro resist technology
Element 25weqwf

Anwendung

wässrig-alkalischer, tensid-haltiger Entwickler für Photoresiste

Charakterisierung:

- wässrig-alkalischer, tensid-haltiger TMAH basierter Entwickler für Photoresistserien: ma-N 400

- Tauch-, Immersions- und Sprühentwicklung

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ma-D 532/S
Entwickler
micro resist technology
Element 25weqwf

Anwendung

wässrig-alkalischer, tensid-haltiger Entwickler für Photoresiste

Charakterisierung:

- wässrig-alkalischer, tensid-haltiger TMAH basierter Entwickler für Photoresistserien: ma-P 1200 G & ma-N 400

- Tauch-, Immersions- und Sprühentwicklung

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ma-D 533/S
Entwickler
micro resist technology
Element 25weqwf

Anwendung

wässrig-alkalischer, tensid-haltiger Entwickler für Photoresiste

Charakterisierung:

- wässrig-alkalischer, tensid-haltiger TMAH basierter Entwickler für Photoresistserien: ma-N 1400

- Tauch-, Immersions- und Sprühentwicklung

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mr-D 526/S
Entwickler
micro resist technology
Element 25weqwf

Anwendung

wässrig-alkalischer, tensid-haltiger Entwickler für Photoresiste

Charakterisierung:

- wässrig-alkalischer, tensid-haltiger TMAH basierter Entwickler für Photoresistserien: ma-P 1200 & ma-P 1200 G

- Tauch-, Immersions- und Sprühentwicklung

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mr-D 4000/75
Entwickler
micro resist technology
Element 25weqwf

Anwendung

wässrig-alkalischer Entwickler für Trockenfilmhotoresiste

Charakterisierung:

- wässrig-alkalischer, K2CO3 basierter Entwickler für DuPont Trockenresiste: MX 5000, MX 5000C

- Sprühentwicklung

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mr-D 4000/100
Entwickler
micro resist technology
Element 25weqwf

Anwendung

wässrig-alkalischer Entwickler für Trockenfilmhotoresiste

Charakterisierung:

- wässrig-alkalischer, K2CO3 basierter Entwickler für DuPont Trockenresiste: WBR 2000

- Sprühentwicklung

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mr-Dev 600
Entwickler
micro resist technology
Element 25weqwf

Anwendung

Lösemittelbasierter Entwickler für epoxidharzbasierte Photoresiste

Charakterisierung:

- Lösemittelbasierter Entwickler für Photoresistserien: EpoCore, EpoClad, mr-DWL, mr-EBL 6000, mr-UVL 6000, SU-8, SU-8 2000, SU-8 3000, SU-8 TF 6000, SUEX Trockenfilme 

- Tauch-, Immersions- und Sprühentwicklung

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mr-Dev 800
Entwickler
micro resist technology
Element 25weqwf

Anwendung

Lösemittelbasierter Entwickler für mr-PosEBR

Charakterisierung:

- lösemittelbasierter Entwickler für mr-PosEBR Resistserie

- Tauch-, Immersions- und Sprühentwicklung

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mr-DevCH
Entwickler
micro resist technology
Element 25weqwf

Anwendung

Lösemittelbasierter Entwickler für Trockenfilmphotoresiste

Charakterisierung:

- lösemittelbasierter Entwickler für ADEX Trockenfilmphotoresiste

- Tauch-, Immersions- und Sprühentwicklung

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OrmoDev
Entwickler
micro resist technology
Element 25weqwf

Anwendung

Entwickler für Hybridpolymere

Charakterisierung:

- Farbloser Entwickler basierend auf organischem Lösungsmittelgemisch

- Entwickler für unvernetze Hybridpolymere (z.B nach Maskenbelichtung)

- Entwicklung mittels Tauchbad

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mr-Rem 500
Entferner
micro resist technology
Element 25weqwf

Anwendung

Lösemittelbasierter Entferner für Photoresiste

Charakterisierung:

- Lösemittelbasierter Entferner für Photoresistserien: ma-P 1200, ma-P 1200 G, ma-P 1200 LIL, mr-PosEBR, ma-N 2400, ma-N 400, ma-N 1400, mr-PL, PMMA, LOR, PMGI 

- NMP-frei, NEP-haltig

- Tauch-, Immersions- und Sprühentwicklung

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mr-Rem 700
Entferner
micro resist technology
Element 25weqwf

Anwendung

Lösemittelbasierter Entferner für Photoresiste

Charakterisierung:

- Lösemittelbasierter Entferner für Photoresistserien: ma-P 1200, ma-P 1200 G, ma-P 1200 LIL, mr-PosEBR, ma-N 2400, ma-N 400, ma-N 1400, mr-PL, EpoCore, EpoClad, mr-DWL, mr-EBL 6000, mr-UVL 6000, SU-8, SU-8 2000, SU-8 3000, SU-8 TF 6000, PMMA, LOR, PMGI 

- NMP- & NEP-frei, DMSO basiert, pH ~ 8

- Tauch-, Immersions- und Sprühentwicklung

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ma-R 404/S
Entferner
micro resist technology
Element 25weqwf

Anwendung

stark alkalisch, wässriger Entferner für Photoresiste

Charakterisierung:

- stark alkalisch, wässriger NaOH basierter Entferner für Photoresistserien: ma-P 1200, ma-P 1200 G, ma-P 1200 LIL, ma-N 2400, ma-N 400, ma-N 1400, mr-PL  

- Tauch-, Immersions- und Sprühentwicklung

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Bitte nutzen Sie bei Bedarf auch den allgemeinen Kontakt unserer Website – wir kommen umgehend auf Sie zurück!

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Resist Alliance

micro resist technology ist in Europa zentrale Anlaufstelle für Spezialchemikalien mit Anwendung in der Mikro- und Nanofabrikation. Das Portfolio der eigengefertigten Produkte wird durch den strategischen Vertrieb assoziierter Produkte ergänzt, die durch unsere internationalen Partner hergestellt werden. Hier agieren wir als High-Service-Distributor und bieten dem europäischen Mittelstand ein breites Spektrum an komplementären Produkten aus einer Hand, die sowohl für etablierte als auch für innovative Produktions- und Fertigungsverfahren eingesetzt werden können.

DuPont Electronic Solutions (ehm. DOW Electronic Materials / Rohm and Haas Europe Trading ApS)
Wir bieten Produkte für Semiconductor Technologies, Advanced Packaging und Trockenfilmresiste unseres Partners DuPont an, mit dem wir seit mehr als 20 Jahren zusammenarbeiten. 

Kayaku Advanced Materials, Inc. (ehm. MicroChem Corp.)
Wir bieten Photoresiste und Spezialchemikalien für MEMS und Mikroelektonik-Anwendungen unseres Partners Kayaku Advanced Materials an, mit dem wir seit mehr als 20 Jahren zusammenarbeiten.

DJ MicroLaminates, Inc.
Wir bieten Trockenfilmresiste für MEMS, Mikrofluidik und Packaging-Anwendungen unseres Partners DJ MicroLaminates an, mit dem wir seit über zwei Jahren kooperieren.

 

Trockenfilmresiste

Trockenfilme sind anwendungsfertige Polymerfilme als Laminat mit einer hohen Schichtdickengenauigkeit und exzellenten Haftungseigenschaften auf verschiedensten Untergründen. Sie sind einfach in der Verarbeitung, foto-strukturierbar und sowohl als zugeschnittene Bögen als auch als Rollenmaterial verfügbar.

  • Verfügbar in verschiedenen Dicken
  • UV-vernetzend – wie negativ Fotoresiste
  • Hohe Aspektraten möglich
  • Senkrechte Seitenwände
  • Mehrfachlaminierung möglich – bis zu 6 Schichten  komplexe Multilayer-Designs
  • Hohe chemische Resistenz
  • Anwendung als Permanentmaterial für optische Anwendungen (Linsen, Wellenleiter …), in der Mikrofluidik

Funktionelle Materialien für Inkjet-Printing

Spezielle Funktionsmaterialien aus den Produktgruppen Hybridpolymere, Photoresiste und Nanoimprint Polymere für die Beschichtung und alternative Strukturierung mittels Inkjet-Printing-Verfahren

  • Verfügbar in verschiedenen Viskositäten (einstellbar)
  • Anwendbar in kommerziellen Inkjet-Printing Geräten
  • Ausgerichtet auf stabile Reproduzierbarkeit in der Tropfengeneration
  • UV-aushärtende Formulierungen
  • Anwendung als Permanentmaterial für optische Anwendungen (Linsen, Wellenleiter, optische Koppler, diffraktive Elemente, …)
  • Als Packagingmaterial in der Mikroelektronik
  • Beschichtung / Strukturierung auf Substraten mit Oberflächentopographie 
  • Imprintmaterial in der Nanostrukturierung mit hoher Dosiergenauigkeit

Nanoimprint-Resiste

Resiste für die Nanoimprint-Lithographie (NIL)

Die Nanoimprint Lithographie (NIL) ist eine sehr einfache und kostengünstige Technologie zur Herstellung von Strukturen mit Größen weniger Nanometer, die effizient in einem Prozessschritt auch auf großen Flächen realisiert werden kann. Hauptanwendungsfelder der NIL sind photonische Komponenten, unterschiedliche Bauelemente für die nächste Generation der Verbraucherelektronik, sowie Bio- und Life-Science-Sensoren.

Die micro resist technology GmbH bietet seit 1999 maßgeschneiderte Resistformulierungen für die Nanoimprint-Lithographie (NIL) an. Wir legen dabei besonderen Wert auf herausragende Filmbildungs- und Prägeeigenschaften sowie eine exzellente Plasmaätzstabilität und Strukturtreue. Weiterhin bieten wir hochinnovative Materialien, die eng an dem technischen Fortschritt in der Industrie entwickelt wurden. Wir sind in der Lage unsere Materialien an die Kundenwünsche anzupassen, sowohl in den gewünschten Schichtdicken, als auch in deren intrinsischen Materialeigenschaften. Die Nanoimprint-Resiste werden meist als Ätzmaske zur Strukturübertragung in unterschiedliche Substrate wie Si, SiO2, Al oder Saphir, eingesetzt.

Prinzipiell existieren zwei unterschiedliche NIL-Technologien: die thermische NIL (T-NIL), in der thermoplastische Polymere Verwendung finden, und die Photo-NIL bzw. UV-NIL, in der photo-vernetzbare Formulierungen eingesetzt werden. Mit unserer langjährigen Erfahrung sind wir in der Lage, den für Sie passenden Prozess und das am besten geeignetste Material für Ihre Anwendung zu finden. Kontaktieren Sie uns für tiefergehende Informationen.

Hybridpolymere

micro resist technology bietet ein breites Portfolio an UV-härtbaren Hybridpolymer Produkten für mikrooptische Anwendungen. Durch ihre ausgezeichnete optische Transparenz  und hohe thermische Stabilität sind diese besonders geeignet zur Herstellung polymerbasierter optischer Komponenten und Wellenleiter. Die Hauptanwendungsgebiete sind die Herstellung von Mikrolinsen, diffraktiven optischen Elementen (DOE), Gitterstrukturen sowie Singlemode- oder Multimode-Wellenleitern.

OrmoComp®: DE 30 210 075 433; IR 1 091 982 ; TW 100030626; OrmoClear®: DE 30 210 075 434; IR 1 091 359 ; TW 100030628; OrmoStamp®: DE 30 210 075 435; IR 1 092 621 ; TW 100030629; OrmoPrime®: DE 30 210 075 436

Positive Photoresiste

Positiv-Photoresiste für die UV-Lithographie (Mask Aligner-, Laser-, Grauton-Belichtung) und Elektronenstrahllithographie

  • Verschiedene Viskositäten für 0,1 µm – 60 µm Schichtdicke in einem Schleuderbeschichtungsschritt
  • Geeignet für Breitband-, g-Linien- , h-Linien-oder i-Linien-Belichtung, Laser-Direktschreiben bei 350…450 nm und Elektronenstrahllithographie
  • Kein Post Exposure Bake
  • Leichte Entfernbarkeit
     
  • Für die Strukturübertragung: Ätzmaske, Galvanikform, Form für die UV-Abformung
  • Anwendung in Mikrosystemtechnik, Mikroelektronik, Mikro-Optik – Herstellung von z.B. MEMS, LEDs, IC-Bausteinen, MOEMS, Glasfaserkommunikations-Bausteinen, Flachbildschirmen

Negative Photoresiste

Photoresiste für UV (Mask Aligner, Laser)/ Elektronenstrahl- und Tief-UV-Lithographie

  • Geeignet für Breitband- und i-Linien-Belichtung, Tief-UV- oder Elektronenstrahlbelichtung,  oder Laserdirektschreiben @ 405 nm
  • Lift-off Resiste mit einstellbarem Kantenprofil, hohe Temperaturstabilität bis zu 160 °C
  • ​Verschiedene Viskositäten für unterschiedliche Schichtdicken in einem Schleuderbeschichtungsschritt
     
  • Für die Strukturübertragung: Physical vapour deposition (PVD) und Lift-off als Einschichtsystem, Ätzmaske, Galvanikform 
  • Für die Permanentanwendung: Polymerbasierte Wellenleiter
  • Anwendung in Mikrosystemtechnik, Mikroelektronik, Mikro-Optik – Herstellung von z. B. LEDs, ICs, MEMS, Flachbildschirmen, Glasfaserkommunikations-Bausteinen