Photoresist-Serie für Grauton-Lithographie
ma-P 1200G ist eine Positiv-Photoresist-Serie speziell für die Anforderungen der Grautonlithographie, einsetzbar auch in der binären Standard-UV-Lithographie.
Merkmale
- Verringerter Kontrast
- Schichtdicke von 1 µm bis 60 µm und höher
- 50-60 µm Strukturtiefe möglich in der Grautonlithographie
- Spektrale Empfindlichkeit 350…450 nm
- Laser-Belichtung mit hoher Intensität ohne Ausgasen des Resists möglich
- Wässrig-alkalische Entwicklung, für die Grautonlithographie mit TMAH-Entwicklern, für binäre Standard-Lithographie auch mit metallionenhaltigen Entwicklern
- Geeignet für die Galvanik
- Geeignet für Trockenätzprozesse, z.B. mit CHF3, CF4, SF6
- Geeignet für den Struktur-Reflow nach binärer Standard-Lithographie
Anwendungen
- Anwendung der hergestellten 3D Strukturen in der Mikro-Optik, in MEMS und MOEMS, in Displays
- Strukturübertragung durch
- UV-Abformung
- Ätzen
- Galvanik
Resist | Schichtdicke [µm] @ 3000 rpm | Spektrale Empfindlichkeit | Eigenschaften |
ma-P 1215G | 1.5 | 350 - 450nm
i-line - 365 nm h-line - 405 nm g-line - 436 nm |
Für die Grautonlithographie von
bis zu 80 µm dicken Schichten Geeignet für die binäre Standard-Lithographie Hohe Stabilität in Galvanikbädern Hohe Ätzresistenz |
ma-P 1225G | 2.5 | ||
ma-P 1275G | 9.5
(up to 60 µm at lower spin speeds with single-coating) |
Empfohlene Prozesschemikalien:
Verdünner: ma-T 1050
Entwickler: ma-D 532/S, mr-D 526/S (TMAH basiert) für Grauton-Lithographie, ma-D 331 (NaOH basiert) für Standard Lithographie
Entferner: mr-Rem 700 (NMP & NEP frei), mr-Rem 500 (NMP frei), ma-R 404/S (stark alkalisch)