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ma-P 1200G Serie
Positiv-Photoresiste
Ätzmaske, Galvanikform
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Photoresist-Serie für Grauton-Lithographie
ma-P 1200G ist eine Positiv-Photoresist-Serie speziell für die Anforderungen der Grautonlithographie, einsetzbar auch in der binären Standard-UV-Lithographie.
Merkmale
  • Verringerter Kontrast
  • Schichtdicke von 1 µm bis 60 µm und höher
  • 50-60 µm Strukturtiefe möglich in der Grautonlithographie
  • Spektrale Empfindlichkeit 350…450 nm
  • Laser-Belichtung mit hoher Intensität ohne Ausgasen des Resists möglich
  • Wässrig-alkalische Entwicklung, für die Grautonlithographie mit TMAH-Entwicklern, für binäre Standard-Lithographie auch mit metallionenhaltigen Entwicklern
  • Geeignet für die Galvanik
  • Geeignet für Trockenätzprozesse, z.B. mit CHF3, CF4, SF6
  • Geeignet für den Struktur-Reflow nach binärer Standard-Lithographie
Anwendungen
  • Anwendung der hergestellten 3D Strukturen in der Mikro-Optik, in MEMS und MOEMS, in Displays
  • Strukturübertragung durch
    • UV-Abformung
    • Ätzen
    • Galvanik
Resist Schichtdicke [µm] @ 3000 rpm Spektrale Empfindlichkeit Eigenschaften
ma-P 1215G 1.5 350 - 450nm

i-line - 365 nm

h-line - 405 nm

g-line - 436 nm

 Für die Grautonlithographie von

bis zu 80 µm dicken Schichten

Geeignet für die binäre Standard-Lithographie

Hohe Stabilität in Galvanikbädern

Hohe Ätzresistenz
ma-P 1225G 2.5
ma-P 1275G 9.5

(up to 60 µm at lower spin speeds with single-coating)

Empfohlene Prozesschemikalien:

Verdünner: ma-T 1050
Entwickler: ma-D 532/S, mr-D 526/S (TMAH basiert) für Grauton-Lithographie, ma-D 331 (NaOH basiert) für Standard Lithographie
Entferner: mr-Rem 700 (NMP & NEP frei), mr-Rem 500 (NMP frei), ma-R 404/S (stark alkalisch)

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ma-P 1200 Serie / ma-P 1275HV
Positiv-Photoresiste
Ätzmaske, Galvanikform
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Positiv-Photoresistserie und dicke Photoresiste für die UV-Lithographie
ma-P 1200-Serie und ma-P 1275 & ma-P 1275HV für die Mikrosystemtechnik und Mikroelektronik
Merkmale
  • Schichtdicke bis 60 µm in einem Schleuderbeschichtungsschritt
  • Breitband-, g-, h- und i-Linien-Belichtung
  • Hohe Strukturstabilität in sauren und basischen Galvanikbädern
  • Hohe Nass- und Trockenätzstabilität
  • Gute Temperaturbeständigkeit der Resiststrukturen erreichbar
  • Wässrig-alkalische Entwicklung
  • Bis zu 87° Kanstensteilheit mit Mask Aligner Breitbandbelichtung
  • Geeignet für Reflow
Anwendungen
  • Ätzmaske für Metall- und Halbleiter-Substrate
  • Form für die Galvanik – z.B. für Mikrospulen, Mikrofedern
  • Herstellung Mikro-optischer Komponenten – z.B. Mikro-Linsen durch – Strukturübertragung nach Reflow von Resiststrukturen
  • Maske für die Ionenimplantation
Resist Schichtdicke [µm] @ 3000 rpm Spektrale Empfindlichkeit Eigenschaften
ma-P 1205 0.5 350 - 450nm

i-line - 365 nm

h-line - 405 nm

g-line - 436 nm

 Für die binäre Standard-Lithographie

von 0,3 - 50 µm dicken Schichten

Hohe Stabilität in Galvanikbädern

Hohe Ätzresistenz
ma-P 1210 1.0
ma-P 1215 1.5
ma-P 1225 2.5
ma-P 1240 4.0
ma-P 1275 7.5

(up to 40 µm at lower spin speeds)
ma-P 1275HV 11

(up to 50 µm at lower spin speeds)

Empfohlene Prozesschemikalien:

Verdünner: ma-T 1050
Entwickler: mr-D 526/S (TMAH basiert), ma-D 331 (NaOH basiert)
Entferner: mr-Rem 700 (NMP & NEP frei), mr-Rem 500 (NMP frei), ma-R 404/S (stark alkalisch)

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mr-P 1200LIL Serie
Positiv-Photoresiste
Ätzmaske
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Photoresist-Serie für UV-Lithographie
mr-P 1200LIL ist eine Serie dünner Positiv-Photoresiste für hochaufgelöste Strukturen. Die Resiste sind für die Laserinterferenz-Lithographie (LIL) hervorragend geeignet.
Merkmale
  • 100…500 nm Schichtdicke
  • Spektrale Empfindlichkeit 350…450 nm
  • Steile Seitenwände durch hohen Kontrast ermöglichen hochwertige
  • Ätzstrukturen
  • Wässrig-alkalische Entwicklung
  • Ätzresistent
Anwendungen

Maskierung von Substratoberflächen in der Herstellung steilkantiger Nanostrukturen für diffraktive Optiken:

  • Laminargitter
  • VLS-Gitter
Resist Schichtdicke [µm] @ 3000 rpm Spektrale Empfindlichkeit Eigenschaften
mr-P 1201LIL 0.1 330 - 450nm

i-line - 365 nm

h-line - 405 nm

g-line - 463nm

 Für die Herstellung steilkantiger Nanostrukturen mittels Laserinterferenz-Lithographie
mr-P 1202LIL 0.2

Empfohlene Prozesschemikalien:

Verdünner: ma-T 1050
Entwickler: ma-D 374/S (Metallionenlager auf Silikat- / Phosphatbasis)
Entferner: mr-Rem 700 (NMP & NEP frei), mr-Rem 500 (NMP frei), ma-R 404/S (stark alkalisch)

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mr-PosEBR Serie
Positiv-Photoresiste
Ätzmaske
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mr-PosEBR – Positiv-Elektronenstrahlresist-Serie
Resiste für hochauflösende Elektronenstrahllithographie
Merkmale
  • Hohe Empfindlichkeit
  • Hohes Auflösungsvermögen
  • Erzeugung von sub-50 nm - Strukturen
  • Hervorragende Trockenätzstabilität
  • Gute Strukturübertragungstreue
  • Entwicklung in organischen Lösemitteln
  • Save solvent Anisol
Anwendungen
  • Einsatz in der Mikro- und Nanoelektronik
  • Herstellung von Halbleiterbauelementen
  • Ätzmaske zur Strukturübertragung, z.B. in Si, SiO2, Si3N4 oder Metalle
  • Maske für die Lift-off - Strukturierung
Resist Schichtdicke [µm] @ 3000 rpm Empfindlichkeit Belichtungsdosierung Eigenschaften
e-Beam @ 30 keV e-Beam @ 50 keV e-Beam @ 100 keV
mr-PosEBR 0.05 0.05 e-Beam 75 - 200 µC/cm2 300 - 550 µC/cm2 340 - 600 µC/cm2 für hochauflösende Elektronenstrahl-Lithographie

Hohe Empfindlichkeit

Hohe Trocken- und Nassätzstabilität
mr-PosEBR 0.1 0.10
mr-PosEBR 0.3 0.30

Empfohlene Prozesschemikalien:

Verdünner: ma-T 1050
Entwickler: mr-Dev 800
Entferner: Acetone

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Negative Photoresiste

Photoresiste für UV (Mask Aligner, Laser)/ Elektronenstrahl- und Tief-UV-Lithographie

  • Geeignet für Breitband- und i-Linien-Belichtung, Tief-UV- oder Elektronenstrahlbelichtung,  oder Laserdirektschreiben @ 405 nm
  • Lift-off Resiste mit einstellbarem Kantenprofil, hohe Temperaturstabilität bis zu 160 °C
  • ​Verschiedene Viskositäten für unterschiedliche Schichtdicken in einem Schleuderbeschichtungsschritt
     
  • Für die Strukturübertragung: Physical vapour deposition (PVD) und Lift-off als Einschichtsystem, Ätzmaske, Galvanikform 
  • Für die Permanentanwendung: Polymerbasierte Wellenleiter
  • Anwendung in Mikrosystemtechnik, Mikroelektronik, Mikro-Optik – Herstellung von z. B. LEDs, ICs, MEMS, Flachbildschirmen, Glasfaserkommunikations-Bausteinen
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Positive Photoresiste

Positiv-Photoresiste für die UV-Lithographie (Mask Aligner-, Laser-, Grauton-Belichtung) und Elektronenstrahllithographie

  • Verschiedene Viskositäten für 0,1 µm – 60 µm Schichtdicke in einem Schleuderbeschichtungsschritt
  • Geeignet für Breitband-, g-Linien- , h-Linien-oder i-Linien-Belichtung, Laser-Direktschreiben bei 350…450 nm und Elektronenstrahllithographie
  • Kein Post Exposure Bake
  • Leichte Entfernbarkeit
     
  • Für die Strukturübertragung: Ätzmaske, Galvanikform, Form für die UV-Abformung
  • Anwendung in Mikrosystemtechnik, Mikroelektronik, Mikro-Optik – Herstellung von z.B. MEMS, LEDs, IC-Bausteinen, MOEMS, Glasfaserkommunikations-Bausteinen, Flachbildschirmen
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Hybridpolymere

micro resist technology bietet ein breites Portfolio an UV-härtbaren Hybridpolymer Produkten für mikrooptische Anwendungen. Durch ihre ausgezeichnete optische Transparenz  und hohe thermische Stabilität sind diese besonders geeignet zur Herstellung polymerbasierter optischer Komponenten und Wellenleiter. Die Hauptanwendungsgebiete sind die Herstellung von Mikrolinsen, diffraktiven optischen Elementen (DOE), Gitterstrukturen sowie Singlemode- oder Multimode-Wellenleitern.

OrmoComp®: DE 30 210 075 433; IR 1 091 982 ; TW 100030626; OrmoClear®: DE 30 210 075 434; IR 1 091 359 ; TW 100030628; OrmoStamp®: DE 30 210 075 435; IR 1 092 621 ; TW 100030629; OrmoPrime®: DE 30 210 075 436

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Nanoimprint-Resiste

Resiste für die Nanoimprint-Lithographie (NIL)

Die Nanoimprint Lithographie (NIL) ist eine sehr einfache und kostengünstige Technologie zur Herstellung von Strukturen mit Größen weniger Nanometer, die effizient in einem Prozessschritt auch auf großen Flächen realisiert werden kann. Hauptanwendungsfelder der NIL sind photonische Komponenten, unterschiedliche Bauelemente für die nächste Generation der Verbraucherelektronik, sowie Bio- und Life-Science-Sensoren.

Die micro resist technology GmbH bietet seit 1999 maßgeschneiderte Resistformulierungen für die Nanoimprint-Lithographie (NIL) an. Wir legen dabei besonderen Wert auf herausragende Filmbildungs- und Prägeeigenschaften sowie eine exzellente Plasmaätzstabilität und Strukturtreue. Weiterhin bieten wir hochinnovative Materialien, die eng an dem technischen Fortschritt in der Industrie entwickelt wurden. Wir sind in der Lage unsere Materialien an die Kundenwünsche anzupassen, sowohl in den gewünschten Schichtdicken, als auch in deren intrinsischen Materialeigenschaften. Die Nanoimprint-Resiste werden meist als Ätzmaske zur Strukturübertragung in unterschiedliche Substrate wie Si, SiO2, Al oder Saphir, eingesetzt.

Prinzipiell existieren zwei unterschiedliche NIL-Technologien: die thermische NIL (T-NIL), in der thermoplastische Polymere Verwendung finden, und die Photo-NIL bzw. UV-NIL, in der photo-vernetzbare Formulierungen eingesetzt werden. Mit unserer langjährigen Erfahrung sind wir in der Lage, den für Sie passenden Prozess und das am besten geeignetste Material für Ihre Anwendung zu finden. Kontaktieren Sie uns für tiefergehende Informationen.

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Funktionelle Materialien für Inkjet-Printing

Spezielle Funktionsmaterialien aus den Produktgruppen Hybridpolymere, Photoresiste und Nanoimprint Polymere für die Beschichtung und alternative Strukturierung mittels Inkjet-Printing-Verfahren

  • Verfügbar in verschiedenen Viskositäten (einstellbar)
  • Anwendbar in kommerziellen Inkjet-Printing Geräten
  • Ausgerichtet auf stabile Reproduzierbarkeit in der Tropfengeneration
  • UV-aushärtende Formulierungen
  • Anwendung als Permanentmaterial für optische Anwendungen (Linsen, Wellenleiter, optische Koppler, diffraktive Elemente, …)
  • Als Packagingmaterial in der Mikroelektronik
  • Beschichtung / Strukturierung auf Substraten mit Oberflächentopographie 
  • Imprintmaterial in der Nanostrukturierung mit hoher Dosiergenauigkeit
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Trockenfilmresiste

Trockenfilme sind anwendungsfertige Polymerfilme als Laminat mit einer hohen Schichtdickengenauigkeit und exzellenten Haftungseigenschaften auf verschiedensten Untergründen. Sie sind einfach in der Verarbeitung, foto-strukturierbar und sowohl als zugeschnittene Bögen als auch als Rollenmaterial verfügbar.

  • Verfügbar in verschiedenen Dicken
  • UV-vernetzend – wie negativ Fotoresiste
  • Hohe Aspektraten möglich
  • Senkrechte Seitenwände
  • Mehrfachlaminierung möglich – bis zu 6 Schichten  komplexe Multilayer-Designs
  • Hohe chemische Resistenz
  • Anwendung als Permanentmaterial für optische Anwendungen (Linsen, Wellenleiter …), in der Mikrofluidik
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Resist Alliance

micro resist technology ist in Europa zentrale Anlaufstelle für Spezialchemikalien mit Anwendung in der Mikro- und Nanofabrikation. Das Portfolio der eigengefertigten Produkte wird durch den strategischen Vertrieb assoziierter Produkte ergänzt, die durch unsere internationalen Partner hergestellt werden. Hier agieren wir als High-Service-Distributor und bieten dem europäischen Mittelstand ein breites Spektrum an komplementären Produkten aus einer Hand, die sowohl für etablierte als auch für innovative Produktions- und Fertigungsverfahren eingesetzt werden können.

DuPont Electronic Solutions (ehm. DOW Electronic Materials / Rohm and Haas Europe Trading ApS)
Wir bieten Produkte für Semiconductor Technologies, Advanced Packaging und Trockenfilmresiste unseres Partners DuPont an, mit dem wir seit mehr als 20 Jahren zusammenarbeiten. 

Kayaku Advanced Materials, Inc. (ehm. MicroChem Corp.)
Wir bieten Photoresiste und Spezialchemikalien für MEMS und Mikroelektonik-Anwendungen unseres Partners Kayaku Advanced Materials an, mit dem wir seit mehr als 20 Jahren zusammenarbeiten.

DJ MicroLaminates, Inc.
Wir bieten Trockenfilmresiste für MEMS, Mikrofluidik und Packaging-Anwendungen unseres Partners DJ MicroLaminates an, mit dem wir seit über zwei Jahren kooperieren.