Photoresist-Serie für Grauton-Lithographie
ma-P 1200G ist eine Positiv-Photoresist-Serie speziell für die Anforderungen der Grautonlithographie, einsetzbar auch in der binären Standard-UV-Lithographie.
Merkmale
- Verringerter Kontrast
- Schichtdicke von 1 µm bis 60 µm und höher
- 50-60 µm Strukturtiefe möglich in der Grautonlithographie
- Spektrale Empfindlichkeit 350…450 nm
- Laser-Belichtung mit hoher Intensität ohne Ausgasen des Resists möglich
- Wässrig-alkalische Entwicklung, für die Grautonlithographie mit TMAH-Entwicklern, für binäre Standard-Lithographie auch mit metallionenhaltigen Entwicklern
- Geeignet für die Galvanik
- Geeignet für Trockenätzprozesse, z.B. mit CHF3, CF4, SF6
- Geeignet für den Struktur-Reflow nach binärer Standard-Lithographie
Anwendungen
Anwendung der hergestellten 3D Strukturen in der Mikro-Optik, in MEMS und MOEMS, in Displays
Strukturübertragung durch
- UV-Abformung
- Ätzen
- Galvanik
Resist | Schichtdicke @ 3000 rpm |
---|---|
ma-P 1215G | 1,5 µm |
ma-P 1225G | 2,5 µm |
ma-P 1275G | 9,5 µm |