Element 2
+49 30 641 670 100
Element 1
info@microresist.de
SU-8 Serie
Negativ-Photoresiste
Element 25weqwf
Thick Negative Epoxy Photoresists
Permanent Applications
MATERIAL ATTRIBUTES
  • i-line imaging
  • High aspect ratio with vertical sidewalls
  • Photo-definable ultra-thick structures
  • Wide range of viscosities – 10-200 um optimum thickness range
  • Outstanding chemical and thermal stability
  • Excellent dry-etch resistance
  • Film thickness from 2 -> 200 µm with single spin coat processes
APPLICATIONS
  • MEMS
  • PDMS molding
  • Microfluidics
  • Inkjet nozzles

Angebotsanfrage

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SU-8 2000 Serie
Negativ-Photoresiste
Element 25weqwf
Thick Negative Epoxy Photoresists
Permanent Applications
MATERIAL ATTRIBUTES
  • i-line imaging
  • High aspect ratio with vertical sidewalls
  • 0.5 -> 200 µm film thickness in a single coat
  • Improved substrate wetting
  • Faster drying and higher process throughput
  • Wide range of viscosities – 10-100 um optimum thickness range
  • Outstanding chemical and thermal stability
APPLICATIONS
  • MEMS
  • PDMS molding
  • Displays
  • Rapid prototyping

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SU-8 3000 Serie
Negativ-Photoresiste
Element 25weqwf
Thick Negative Epoxy Photoresists
Permanent Applications
MATERIAL ATTRIBUTES
  • i-line imaging
  • High aspect ratio with vertical sidewalls
  • Up to 100 µm film thickness in a single coat
  • Improved substrate adhesion
  • Reduced coating stress
  • Wide range of viscosities – 10-70 um optimum thickness range
  • Outstanding chemical and thermal stability
APPLICATIONS
  • MEMS
  • PDMS molding
  • Waveguides
  • Microfluidics

Angebotsanfrage

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SU-8 TF 6000 Serie
Negativ-Photoresiste
Element 25weqwf
High Resolution Thin Negative Epoxy Photoresist
Permanent Applications
MATERIAL ATTRIBUTES
  • Photo-imageable thin films with high resolution i-line patterning capability
  • Broadband, i-line, g-line and h-line sensitivity
  • 0.5 to > 10µm film thickness
  • High uniform coatings
  • Low temperature cure (< 150°C)
  • Outstanding chemical and thermal stability
APPLICATIONS
  • High resolution imaging of thin permanent structures
  • MEMS
  • Display pixel walls and dielectric layers

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KMPR® 1000 Serie
Negativ-Photoresiste
Element 25weqwf
Permanent and Temporary Applications
MATERIAL ATTRIBUTES
  • High aspect ratio with vertical sidewalls
  • > 100 µm film thickness in a single coat
  • Good adhesion to most substrates
  • Alkaline development
  • Strippable with wet or dry chemistry
  • Wide range of viscosities – 4-75 um optimum thickness range
  • Excellent dry etch resistance

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PermiNex® 1000 Serie
Negativ-Photoresiste
Element 25weqwf
Photoimageable Wafer Bonding Adhesives for Permanent and Non-hermetic Applications
MATERIAL ATTRIBUTES
  • Negative tone, photoimageable resists
  • Solvent development with PN 1000 Developer
  • i-line imaging, up to 3:1 aspect ratio
  • Low temperature processing (<200°C)
  • High quality, void free bonding
  • Excellent adhesion to silicon and glass
APPLICATIONS
  • Definition an capping of cavity structures
  • BAW and SAW devices
  • MEMS, MOEMS, microfluidics devices

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PermiNex® 2000 Serie
Negativ-Photoresiste
Element 25weqwf
Photoimageable Wafer Bonding Adhesives for Permanent and Non-hermetic Applications
MATERIAL ATTRIBUTES
  • Negative tone, photoimageable resists
  • Alkaline development with standard TMAH Developer
  • i-line imaging, up to 3:1 aspect ratio
  • Low temperature processing (<200°C)
  • High quality, void free bonding
  • Excellent adhesion to silicon and glass
APPLICATIONS
  • Definition an capping of cavity structures
  • BAW and SAW devices
  • MEMS, MOEMS, microfluidics devices

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KMSF® 1000
Dielektrikum
Element 25weqwf
Low Stress Dielectric Photoresist
MATERIAL ATTRIBUTES
  • Negative tone, photoimageable dielectric
  • No warpage due to low shrinkage and tensile modulus
  • Solvent developable
  • i-line/broadband sensitivity, 1:1 aspect ratio imaging
  • Low temperature processing (<200°C)
  • Good electrical properties
  • High thermal and chemical stability
  • Low moisture uptake

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PMMA / Copolymer Serien
Positiv-Photoresiste
Element 25weqwf
PMMA/Co-polymers Positive Resists E-Beam Processing
MATERIAL ATTRIBUTES
  • E-beam and X-ray imageable
  • High resolution
  • Wide range of film thicknesses
  • Excellent adhesion to most substrates
APPLICATIONS
  • Direct-write e-beam lithography
  • T-gates
  • Temporary bonding adhesive
  • Protective coating
  • Metal lift-off

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LOR / PMGI Serien
Element 25weqwf
Resists for Bi-layer Lift-off Processing
MATERIAL ATTRIBUTES
  • No intermixing when over-coated with most top imaging resists
  • Single step development of bi-layer stack in TMAH or KOH developers
  • Quick and clean removal in conventional resist strippers
  • High resolution metallization (< 0.25 μm)
  • Very thick metallization (> 4 μm)
APPLICATIONS
  • Data storage
  • III-V semiconductors
  • Optoelectronics
  • MEMS

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Element 32
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Negative Photoresiste

Photoresiste für UV (Mask Aligner, Laser)/ Elektronenstrahl- und Tief-UV-Lithographie

  • Geeignet für Breitband- und i-Linien-Belichtung, Tief-UV- oder Elektronenstrahlbelichtung,  oder Laserdirektschreiben @ 405 nm
  • Lift-off Resiste mit einstellbarem Kantenprofil, hohe Temperaturstabilität bis zu 160 °C
  • ​Verschiedene Viskositäten für unterschiedliche Schichtdicken in einem Schleuderbeschichtungsschritt
     
  • Für die Strukturübertragung: Physical vapour deposition (PVD) und Lift-off als Einschichtsystem, Ätzmaske, Galvanikform 
  • Für die Permanentanwendung: Polymerbasierte Wellenleiter
  • Anwendung in Mikrosystemtechnik, Mikroelektronik, Mikro-Optik – Herstellung von z. B. LEDs, ICs, MEMS, Flachbildschirmen, Glasfaserkommunikations-Bausteinen

Positive Photoresiste

Positiv-Photoresiste für die UV-Lithographie (Mask Aligner-, Laser-, Grauton-Belichtung) und Elektronenstrahllithographie

  • Verschiedene Viskositäten für 0,1 µm – 60 µm Schichtdicke in einem Schleuderbeschichtungsschritt
  • Geeignet für Breitband-, g-Linien- , h-Linien-oder i-Linien-Belichtung, Laser-Direktschreiben bei 350…450 nm und Elektronenstrahllithographie
  • Kein Post Exposure Bake
  • Leichte Entfernbarkeit
     
  • Für die Strukturübertragung: Ätzmaske, Galvanikform, Form für die UV-Abformung
  • Anwendung in Mikrosystemtechnik, Mikroelektronik, Mikro-Optik – Herstellung von z.B. MEMS, LEDs, IC-Bausteinen, MOEMS, Glasfaserkommunikations-Bausteinen, Flachbildschirmen

Hybridpolymere

micro resist technology bietet ein breites Portfolio an UV-härtbaren Hybridpolymer Produkten für mikrooptische Anwendungen. Durch ihre ausgezeichnete optische Transparenz  und hohe thermische Stabilität sind diese besonders geeignet zur Herstellung polymerbasierter optischer Komponenten und Wellenleiter. Die Hauptanwendungsgebiete sind die Herstellung von Mikrolinsen, diffraktiven optischen Elementen (DOE), Gitterstrukturen sowie Singlemode- oder Multimode-Wellenleitern.

OrmoComp®: DE 30 210 075 433; IR 1 091 982 ; TW 100030626; OrmoClear®: DE 30 210 075 434; IR 1 091 359 ; TW 100030628; OrmoStamp®: DE 30 210 075 435; IR 1 092 621 ; TW 100030629; OrmoPrime®: DE 30 210 075 436

Nanoimprint-Resiste

Resiste für die Nanoimprint-Lithographie (NIL)

Die Nanoimprint Lithographie (NIL) ist eine sehr einfache und kostengünstige Technologie zur Herstellung von Strukturen mit Größen weniger Nanometer, die effizient in einem Prozessschritt auch auf großen Flächen realisiert werden kann. Hauptanwendungsfelder der NIL sind photonische Komponenten, unterschiedliche Bauelemente für die nächste Generation der Verbraucherelektronik, sowie Bio- und Life-Science-Sensoren.

Die micro resist technology GmbH bietet seit 1999 maßgeschneiderte Resistformulierungen für die Nanoimprint-Lithographie (NIL) an. Wir legen dabei besonderen Wert auf herausragende Filmbildungs- und Prägeeigenschaften sowie eine exzellente Plasmaätzstabilität und Strukturtreue. Weiterhin bieten wir hochinnovative Materialien, die eng an dem technischen Fortschritt in der Industrie entwickelt wurden. Wir sind in der Lage unsere Materialien an die Kundenwünsche anzupassen, sowohl in den gewünschten Schichtdicken, als auch in deren intrinsischen Materialeigenschaften. Die Nanoimprint-Resiste werden meist als Ätzmaske zur Strukturübertragung in unterschiedliche Substrate wie Si, SiO2, Al oder Saphir, eingesetzt.

Prinzipiell existieren zwei unterschiedliche NIL-Technologien: die thermische NIL (T-NIL), in der thermoplastische Polymere Verwendung finden, und die Photo-NIL bzw. UV-NIL, in der photo-vernetzbare Formulierungen eingesetzt werden. Mit unserer langjährigen Erfahrung sind wir in der Lage, den für Sie passenden Prozess und das am besten geeignetste Material für Ihre Anwendung zu finden. Kontaktieren Sie uns für tiefergehende Informationen.

Funktionelle Materialien für Inkjet-Printing

Spezielle Funktionsmaterialien aus den Produktgruppen Hybridpolymere, Photoresiste und Nanoimprint Polymere für die Beschichtung und alternative Strukturierung mittels Inkjet-Printing-Verfahren

  • Verfügbar in verschiedenen Viskositäten (einstellbar)
  • Anwendbar in kommerziellen Inkjet-Printing Geräten
  • Ausgerichtet auf stabile Reproduzierbarkeit in der Tropfengeneration
  • UV-aushärtende Formulierungen
  • Anwendung als Permanentmaterial für optische Anwendungen (Linsen, Wellenleiter, optische Koppler, diffraktive Elemente, …)
  • Als Packagingmaterial in der Mikroelektronik
  • Beschichtung / Strukturierung auf Substraten mit Oberflächentopographie 
  • Imprintmaterial in der Nanostrukturierung mit hoher Dosiergenauigkeit

Trockenfilmresiste

Trockenfilme sind anwendungsfertige Polymerfilme als Laminat mit einer hohen Schichtdickengenauigkeit und exzellenten Haftungseigenschaften auf verschiedensten Untergründen. Sie sind einfach in der Verarbeitung, foto-strukturierbar und sowohl als zugeschnittene Bögen als auch als Rollenmaterial verfügbar.

  • Verfügbar in verschiedenen Dicken
  • UV-vernetzend – wie negativ Fotoresiste
  • Hohe Aspektraten möglich
  • Senkrechte Seitenwände
  • Mehrfachlaminierung möglich – bis zu 6 Schichten  komplexe Multilayer-Designs
  • Hohe chemische Resistenz
  • Anwendung als Permanentmaterial für optische Anwendungen (Linsen, Wellenleiter …), in der Mikrofluidik

Resist Alliance

micro resist technology ist in Europa zentrale Anlaufstelle für Spezialchemikalien mit Anwendung in der Mikro- und Nanofabrikation. Das Portfolio der eigengefertigten Produkte wird durch den strategischen Vertrieb assoziierter Produkte ergänzt, die durch unsere internationalen Partner hergestellt werden. Hier agieren wir als High-Service-Distributor und bieten dem europäischen Mittelstand ein breites Spektrum an komplementären Produkten aus einer Hand, die sowohl für etablierte als auch für innovative Produktions- und Fertigungsverfahren eingesetzt werden können.

DuPont Electronic Solutions (ehm. DOW Electronic Materials / Rohm and Haas Europe Trading ApS)
Wir bieten Produkte für Semiconductor Technologies, Advanced Packaging und Trockenfilmresiste unseres Partners DuPont an, mit dem wir seit mehr als 20 Jahren zusammenarbeiten. 

Kayaku Advanced Materials, Inc. (ehm. MicroChem Corp.)
Wir bieten Photoresiste und Spezialchemikalien für MEMS und Mikroelektonik-Anwendungen unseres Partners Kayaku Advanced Materials an, mit dem wir seit mehr als 20 Jahren zusammenarbeiten.

DJ MicroLaminates, Inc.
Wir bieten Trockenfilmresiste für MEMS, Mikrofluidik und Packaging-Anwendungen unseres Partners DJ MicroLaminates an, mit dem wir seit über zwei Jahren kooperieren.