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Produktkategorie
Prozesse
Endanwendungen
Resist Alliance
Resist Alliance
ma-N 1400 Serie
Negativ-Photoresiste
PVD & Lift-off
Element 23weqwf
Element 25weqwf
ma-N 1400 - Negativphotoresistserie
für Strukturübertragungs- und Einschicht-Lift-off-Prozesse
Merkmale/ Eigenschaften
  • verschiedene Resistviskositäten verfügbar
  • wässrig-alkalisch entwickelbar
  • Einstellbares Strukturprofil: vertikal bis unterschnitten
  • Hohe Nass- und Trockenätzstabilität
  • Gute thermische Stabilität der Resiststrukturen
  • leicht entfernbar
Anwendungen
  • Mikroelektronik und Mikrosystemtechnik
  • Maske für Lift-off Prozesse
  • Ätzmaske für Halbleiter und Metalle
  • geeignet für Ionenimplantationsprozesse
  • Galvanoform
Resist Schichtdicke [µm] @ 3000 rpm Spektrale Empfindlichkeit Eigenschaften
ma-N 1405 0,5 300 - 410nm

i-line - 365 nm

(h-line - 405 nm)

 Novolakharzbasiert, thermische Stabilität der Resiststrukturen bis 160°C für Aufdampf- und Sputterprozesse 
ma-N 1407 0,7
ma-N 1410 1,0
ma-N 1420 2,0
ma-N 1440 4,0
ma-N 402 0,2 300 - 380nm

i-line - 365 nm

 Novolakharzbasiert, thermische Stabilität der Resiststrukturen bis 110°C für Aufdampfprozesse 
ma-N 405 0,5
ma-N 415 1,5
ma-N 420 2,0
ma-N 440 4,1
ma-N 490 7,5

Empfohlende Prozesschemikalien:

für ma-N 1400 Serie
Verdünner: ma-T 1046
Entwickler: ma-D 533/S (TMAH basiert)
Entferner: mr-Rem 700 (NMP & NEP frei), mr-Rem 500 (NMP frei), ma-R 404/S (stark alkalisch)
Lift-off: mr-Rem 700 (NMP & NEP frei), mr-Rem 500 (NMP frei)

für ma-N 400 Serie
Verdünner: ma-T 1049
Entwickler: ma-D 331/S, ma-D 332/S (NaOH basiert), 531/S, ma-D 532/S (TMAH basiert)
Entferner: mr-Rem 700 (NMP & NEP frei), mr-Rem 500 (NMP frei), ma-R 404/S (stark alkalisch)
Lift-off: mr-Rem 700 (NMP & NEP frei), mr-Rem 500 (NMP frei)

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ma-N 400 Serie
Negativ-Photoresiste
PVD & Lift-off
Element 23weqwf
Element 25weqwf
ma-N 400 - Negativphotoresistserie
für Strukturübertragungs- und Einschicht-Lift-off-Prozesse
Merkmale/ Eigenschaften
  • verschiedene Resistviskositäten verfügbar
  • wässrig-alkalisch entwickelbar
  • Einstellbares Strukturprofil: vertikal bis unterschnitten
  • Hohe Nass- und Trockenätzstabilität
  • Gute thermische Stabilität der Resiststrukturen
Anwendungen
  • Mikroelektronik und Mikrosystemtechnik
  • Maske für Lift-off Prozesse
  • Ätzmaske für Halbleiter und Metalle
  • geeignet für Ionenimplantationsprozesse
  • Galvanoform
Resist Schichtdicke [µm] @ 3000 rpm Spektrale Empfindlichkeit Eigenschaften
ma-N 402 0,2 300 - 380nm

i-line - 365 nm

 Novolakharzbasiert, thermische Stabilität der Resiststrukturen bis 110°C für Aufdampfprozesse 
ma-N 405 0,5
ma-N 415 1,5
ma-N 420 2,0
ma-N 440 4,1
ma-N 490 7,5
ma-N 1405 0,5 300 - 410nm

i-line - 365 nm

(h-line - 405 nm)

 Novolakharzbasiert, thermische Stabilität der Resiststrukturen bis 160°C für Aufdampf- und Sputterprozesse 
ma-N 1407 0,7
ma-N 1410 1,0
ma-N 1420 2,0
ma-N 1440 4,0

Empfohlende Prozesschemikalien:

für ma-N 400 Serie
Verdünner: ma-T 1049
Entwickler: ma-D 331/S, ma-D 332/S (NaOH basiert), 531/S, ma-D 532/S (TMAH basiert)
Entferner: mr-Rem 700 (NMP & NEP frei), mr-Rem 500 (NMP frei), ma-R 404/S (stark alkalisch)
Lift-off: mr-Rem 700 (NMP & NEP frei), mr-Rem 500 (NMP frei)

für ma-N 1400 Serie
Verdünner: ma-T 1046
Entwickler: ma-D 533/S (TMAH basiert)
Entferner: mr-Rem 700 (NMP & NEP frei), mr-Rem 500 (NMP frei), ma-R 404/S (stark alkalisch)
Lift-off: mr-Rem 700 (NMP & NEP frei), mr-Rem 500 (NMP frei)

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ma-N 2400 Serie
Negativ-Photoresiste
Ätzmaske
Element 23weqwf
Element 25weqwf
ma-N 2400 - Negativphotoresistserie
E-Beam und Tief-UV empfindlich
Merkmale/ Eigenschaften
  • verschiedene Resistviskositäten verfügbar
  • wässrig-alkalisch entwickelbar
  • Exzellente Strukturauflösung bis 30nm
  • Hohe Nass- und Trockenätzstabilität
  • Gute thermische Stabilität der Resiststrukturen
  • leicht entfernbar
Anwendungen
  • Halbleiterfertigung
  • Mikro- und Nanoelektronik
  • Ätzmaske für z.B. Si, SiO2, Si3N4 oder Metalle
  • geeignet für Ionenimplantationsprozesse
  • Stempelherstellung für NIL
Resist Schichtdicke [ µm] @ 3000 rpm Empfindlichkeit Eigenschaften
ma-N 2401 0,1 E-beam

Deep UV: 248nm / 254nm

 Novolakharzbasiert, hohe Nass- und Trocken ätzstabilit ät
ma-N 2403 0,3
ma-N 2405 0,5
ma-N 2410 1,0

Empfohlene Prozesschemikalien:

Verdünner: mr-T 1090
Entwickler: ma-D 525 (TMAH based), ma-D 331, ma-D 332 (NaOH based)
Entferner: mr-Rem 700 (NMP & NEP free), mr-Rem 500 (NMP free), ma-R 404/S (strongly alkaline)

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mr-DWL Serie
Negativ-Photoresiste
Mastering, Mikrooptik
Element 23weqwf
Element 25weqwf
mr-DWL - Negativphotoresistserie
Für Laserdirektschreiben (DLW) @ 405 nm & Zwei-Photonen-Polymerisation (2PP)
Merkmale/ Eigenschaften
  • Designed für Belichtung mit Wellenlängen oberhalb 400 nm
  • Geeignet für Laserdirektschreiben (z.B. @ 405 nm) & 2PP
  • Hohe Empfindlichkeit
  • Exzellente thermische und chemische Stabilität
  • Hohe Nass- und Trockenätzstabilität
Anwendungen
  • Schnelles und kontaktloses Prototyping durch DLW & 2PP
  • Ätzmaske für Nass- und Trockenätzprozesse
  • Galvanoform
  • Form zur Stempelherstellung durch Thermo- oder UV-Replikation
  • Optische Anwendung in MST
Resist Schichtdickenbereich

[µm] @ 1000 - 6000 rpm

 Spektrale Empfindlichkeit Eigenschaften
mr-DWL 5 3 - 15 350 nm - 410 nm

i-line/ h-line

 designed für die Strukturierung mittels Laserdirektschreiben (LDW) und 2PP,

hohe Nass- und Trockenätzstabilität für Nicht-und Permanente, optische Anwendungen
mr-DWL 40 10 - 100
mr-DWL 100 20 - 150

Empfohlene Prozesschemikalien:

Verdünner: kein Verdünner verfügbar
Entwickler: mr-Dev 600 (lösungsmittelbasiert)
Entferner: mr-Rem 700 (NMP & NEP frei), mr-Rem 500 (NMP frei), O2-Plasma

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EpoCore & EpoClad Serien
Negativ-Photoresiste
Wellenleiter
Element 23weqwf
Element 25weqwf
EpoCore & EpoClad - Negativphotoresistserien
Für die Herstellung von optischen, Single Mode (SM) & Multi Mode (MM) Polymerwellenleitern
Merkmale/ Eigenschaften
  • Standard UV Lithography & PCB Technologie
  • UV Strukturierung von Wellenleiterkern- und Mantel
  • Hohe Transparenz @ 850 nm
  • Hohe thermische (> 230 °C) und Druckstabilität
  • Einstellbarer Brechungsindex (Kern-/ Mantelmaterial)
Anwendungen
  • Optische SM & MM Polymerwellenleiter
  • Biosensorik
  • Mikrofluidik
Resist Schichtdicke [µm] @ 3000 rpm  Spektrale Empfindlichkeit Besonderheit des gefertigten Wellenleiters
EpoCore 2 2 i-line - 365nm Brechungsindex @ 830 nm: EpoCore: 1,58, EpoClad: 1,57; geringer Schrumpf,
hohe thermische Stabilität bis zu 230°C, geringe optische Dämpfung   ̴0,2dB/cm @ 850nm
EpoCore 5 5
EpoCore 10 10
EpoCore 20 20
EpoCore 50 50 (@ 1.500 rpm)
EpoClad 2 2
EpoClad 5 5
EpoClad 10 10
EpoClad 20 20
EpoClad 50 50 (@ 1.700 rpm)

Empfohlene Prozesschemikalien:

Verdünner: kein Verdünner verfügbar
Entwickler: mr-Dev 600 (lösungsmittelbasiert)
Entferner: mr-Rem 700 (NMP & NEP frei), mr-Rem 500 (NMP frei), O2-Plasma

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mr-EBL 6000 Serie
Negativ-Photoresiste
Ätzmaske
Element 23weqwf
Element 25weqwf
mr-EBL 6000 - Negativresistserie
Hohe E-beam-Empfindlichkeit
Merkmale/ Eigenschaften
  • E-Beam-Empfindlichkeit:
    • 2 - 6 μC/cm2 @ 30 keV
    • 2 - 6 μC/cm2 @ 50 keV
    • 8 - 15 μC/cm2 @ 100 keV
  • Post exposure bake (PEB) erforderlich
  • Entwicklung mit organischen Lösemitteln
  • Exzellente thermische Stabilität
  • Hohe Nass- und Trockenätzstabilität
  • Strukturauflösung: 80 nm
  • Mikro- und Nanoelektronik
  • Halbleiterfertigung
  • Ätzmaske für z.B. Si, SiO2, Si3N4 oder Metalle
  • Stempelherstellung für NIL
Resist Schichtdicke [µm] @ 3000 rpm Empfindlichkeit Eigenschaften
mr-EBL 6000.1 0,1 E-beam exzellente thermische Stabilität, hohe Nass- und Trockenätzstabilität
mr-EBL 6000.3 0,3
mr-EBL 6000.5 0,5

Empfohlene Prozesschemikalien:

Verdünner: ma-T 1045
Entwickler: mr-Dev 600 (lösungsmittelbasiert)
Entferner: mr-Rem 700 (NMP & NEP frei), mr-Rem 500 (NMP frei), O2-Plasma

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ma-P 1200G Serie
Positiv-Photoresiste
Ätzmaske, Galvanikform
Element 23weqwf
Element 25weqwf
Photoresist-Serie für Grauton-Lithographie
ma-P 1200G ist eine Positiv-Photoresist-Serie speziell für die Anforderungen der Grautonlithographie, einsetzbar auch in der binären Standard-UV-Lithographie.
Merkmale
  • Verringerter Kontrast
  • Schichtdicke von 1 µm bis 60 µm und höher
  • 50-60 µm Strukturtiefe möglich in der Grautonlithographie
  • Spektrale Empfindlichkeit 350…450 nm
  • Laser-Belichtung mit hoher Intensität ohne Ausgasen des Resists möglich
  • Wässrig-alkalische Entwicklung, für die Grautonlithographie mit TMAH-Entwicklern, für binäre Standard-Lithographie auch mit metallionenhaltigen Entwicklern
  • Geeignet für die Galvanik
  • Geeignet für Trockenätzprozesse, z.B. mit CHF3, CF4, SF6
  • Geeignet für den Struktur-Reflow nach binärer Standard-Lithographie
Anwendungen
  • Anwendung der hergestellten 3D Strukturen in der Mikro-Optik, in MEMS und MOEMS, in Displays
  • Strukturübertragung durch
    • UV-Abformung
    • Ätzen
    • Galvanik
Resist Schichtdicke [µm] @ 3000 rpm Spektrale Empfindlichkeit Eigenschaften
ma-P 1215G 1.5 350 - 450nm

i-line - 365 nm

h-line - 405 nm

g-line - 436 nm

 Für die Grautonlithographie von

bis zu 80 µm dicken Schichten

Geeignet für die binäre Standard-Lithographie

Hohe Stabilität in Galvanikbädern

Hohe Ätzresistenz
ma-P 1225G 2.5
ma-P 1240G 4.0
ma-P 1275G 9.5

(up to 60 µm at lower spin speeds with single-coating)

Empfohlene Prozesschemikalien:

Verdünner: ma-T 1050
Entwickler: mr-D 526/S, ma-D 532/S (TMAH basiert) für Grauton-Lithographie (ma-D 532/S für höhere Entwicklungsrate in dicken Schichten), ma-D 331 (NaOH basiert) für Standard Lithographie
Entferner: mr-Rem 700 (NMP & NEP frei), mr-Rem 500 (NMP frei), ma-R 404/S (stark alkalisch)

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ma-P 1200 Serie / ma-P 1275HV
Positiv-Photoresiste
Ätzmaske, Galvanikform
Element 23weqwf
Element 25weqwf
Positiv-Photoresistserie und dicke Photoresiste für die UV-Lithographie
ma-P 1200-Serie und ma-P 1275 & ma-P 1275HV für die Mikrosystemtechnik und Mikroelektronik
Merkmale
  • Schichtdicke bis 60 µm in einem Schleuderbeschichtungsschritt
  • Breitband-, g-, h- und i-Linien-Belichtung
  • Hohe Strukturstabilität in sauren und basischen Galvanikbädern
  • Hohe Nass- und Trockenätzstabilität
  • Gute Temperaturbeständigkeit der Resiststrukturen erreichbar
  • Wässrig-alkalische Entwicklung
  • Bis zu 87° Kanstensteilheit mit Mask Aligner Breitbandbelichtung
  • Geeignet für Reflow
Anwendungen
  • Ätzmaske für Metall- und Halbleiter-Substrate
  • Form für die Galvanik – z.B. für Mikrospulen, Mikrofedern
  • Herstellung Mikro-optischer Komponenten – z.B. Mikro-Linsen durch – Strukturübertragung nach Reflow von Resiststrukturen
  • Maske für die Ionenimplantation
Resist Schichtdicke [µm] @ 3000 rpm Spektrale Empfindlichkeit Eigenschaften
ma-P 1205 0.5 350 - 450nm

i-line - 365 nm

h-line - 405 nm

g-line - 436 nm

 Für die binäre Standard-Lithographie

von 0,3 - 50 µm dicken Schichten

Hohe Stabilität in Galvanikbädern

Hohe Ätzresistenz
ma-P 1210 1.0
ma-P 1215 1.5
ma-P 1225 2.5
ma-P 1240 4.0
ma-P 1275 7.5

(up to 40 µm at lower spin speeds)
ma-P 1275HV 11

(up to 50 µm at lower spin speeds)

Empfohlene Prozesschemikalien:

Verdünner: ma-T 1050
Entwickler: mr-D 526/S (TMAH basiert), ma-D 331 (NaOH basiert)
Entferner: mr-Rem 700 (NMP & NEP frei), mr-Rem 500 (NMP frei), ma-R 404/S (stark alkalisch)

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mr-P 1200LIL Serie
Positiv-Photoresiste
Ätzmaske
Element 23weqwf
Element 25weqwf
Photoresist-Serie für UV-Lithographie
mr-P 1200LIL ist eine Serie dünner Positiv-Photoresiste für hochaufgelöste Strukturen. Die Resiste sind für die Laserinterferenz-Lithographie (LIL) hervorragend geeignet.
Merkmale
  • 100…500 nm Schichtdicke
  • Spektrale Empfindlichkeit 350…450 nm
  • Steile Seitenwände durch hohen Kontrast ermöglichen hochwertige
  • Ätzstrukturen
  • Wässrig-alkalische Entwicklung
  • Ätzresistent
Anwendungen

Maskierung von Substratoberflächen in der Herstellung steilkantiger Nanostrukturen für diffraktive Optiken:

  • Laminargitter
  • VLS-Gitter
Resist Schichtdicke [µm] @ 3000 rpm Spektrale Empfindlichkeit Eigenschaften
mr-P 1201LIL 0.1 330 - 450nm

i-line - 365 nm

h-line - 405 nm

g-line - 463nm

 Für die Herstellung steilkantiger Nanostrukturen mittels Laserinterferenz-Lithographie
mr-P 1202LIL 0.2

Empfohlene Prozesschemikalien:

Verdünner: ma-T 1050
Entwickler: ma-D 374/S (Metallionenlager auf Silikat- / Phosphatbasis)
Entferner: mr-Rem 700 (NMP & NEP frei), mr-Rem 500 (NMP frei), ma-R 404/S (stark alkalisch)

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OrmoComp®
Hybridpolymere
Nano- und Mikrooptik
Element 23weqwf
Element 25weqwf
Für UV-Prägen und UV-Abformung
OrmoComp® verfügt nach dem Aushärten über glasähnliche Materialeigenschaften und ist das Standardprodukt für eine große Auswahl an Strukturgrößen und Bauteildimensionen
Merkmale
  • Hohe Transparenz vom sichtbaren Spektrum bis zum Nah-UV (350 nm)
  • Hohe thermische und mechanische Stabilität
Anwendungen
  • Geprägte Gitter und Prismen
  • Mikrolinsen und Mikrolinsenarrays
  • Optische Kopplungselemente und Verbindungen
  • Mikrofluidische Systeme
  • Einzelelemente oder Wafer-Level
Material Refractive Index (589 nm) Viscosity

[Pas]

 Preferred processing Typical end use application Replication with PDMS molds

(no oxygen sensitivity)
OrmoComp® 1.520 2.0 ± 0.5 UV imprint

UV molding

 Nano- and micro optics +
Alternative Hybrid Polymer materials 
OrmoClear®FX 1.555 1.5 ± 0.3 UV imprint and UV molding Nano- and micro optics +
OrmoClear® 1.555 2.9 ± 0.3 UV imprint and UV molding Nano- and micro optics -
OrmoClear®30 1.561 30 ± 3 UV imprint and UV molding Micro optics -
OrmoStamp® 1.516 0.4 ± 0.2 UV imprint and UV molding Working stamp fabrication +
OrmoStamp®FF 1.516 0.5 ± 0.1 UV imprint and UV molding Working stamp fabrication +
OrmoClad 1.537 2.5 ± 1.0 UV imprint

UV molding

UV lithography

 Waveguides -
OrmoCore 1.555 2.9 ± 0.4 UV imprint

UV molding

UV lithography

 Waveguides -
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OrmoStamp®
Hybridpolymere
Herstellung von Arbeitsstempeln
Element 23weqwf
Element 25weqwf
Für UV-basiertes und thermisches Imprinting
OrmoStamp® verfügt nach dem Aushärten über glasähnliche Materialeigenschaften und wurde designed entwickelt für die Herstellung transparenter Polymerarbeitsstempel mit hervorragender Strukturtreue
Merkmale
  • Hohe Transparenz vom sichtbaren Spektrum bis zum Nah-UV (350 nm)
  • Hohe thermische und mechanische Stabilität
  • Geringe Entformkräfte durch verbesserte Anti-Haft-Eigenschaften
  • Verarbeitbar mit Standard-Lithographie Equipment
Anwendungen
  • Herstellung transparenter Arbeitsstempel
  • Kostengünstige Alternative zu Quarzstempeln
  • UV-basiertes und thermisches Imprinting, Nanoimprint Lithographie
Material Refractive Index (589 nm) Viscosity

[Pas]

 Preferred processing Typical end use application Replication with PDMS molds

(no oxygen sensitivity)
OrmoStamp® 1.516 0.4 ± 0.2 UV imprint and UV molding Working stamp fabrication +
OrmoStamp®FF 1.516 0.5 ± 0.1 UV imprint and UV molding Working stamp fabrication +
Alternative Hybrid Polymer materials
OrmoComp® 1.520 2.0 ± 0.5 UV imprint

UV molding

 Nano- and micro optics +
OrmoClear®FX 1.555 1.5 ± 0.3 UV imprint and UV molding Nano- and micro optics +
OrmoClear® 1.555 2.9 ± 0.3 UV imprint and UV molding Nano- and micro optics -
OrmoClear®30 1.561 30 ± 3 UV imprint and UV molding Micro optics -
OrmoClad 1.537 2.5 ± 1.0 UV imprint

UV molding

UV lithography

 Waveguides -
OrmoCore 1.555 2.9 ± 0.4 UV imprint

UV molding

UV lithography

 Waveguides -
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OrmoStamp®FF
Hybridpolymere
Herstellung von Arbeitsstempeln
Element 23weqwf
Element 25weqwf
Für UV-basiertes und thermisches Imprinting.
OrmoStamp®FF verfügt nach dem Aushärten über glasähnliche Materialeigenschaften und wurde designed entwickelt für die Herstellung transparenter Polymerarbeitsstempel mit hervorragender Strukturtreue OrmoStamp®FF ist die fluorfreie Weiterentwicklung des bewährten OrmoStamp® und wird dieses Material ersetzen. Zur Erreichung der maximalen Transparenz kann nach der Trennung von Master und OrmoStamp®FF-Kopie eine weitere Flutbelichtung bis 20 J/cm-2 je nach Schichtdicke durchgeführt werden.
Merkmale
  • Hohe Transparenz vom sichtbaren Spektrum bis zum Nah-UV (350 nm)
  • Hohe thermische und mechanische Stabilität
  • Geringe Entformkräfte durch verbesserte Anti-Haft-Eigenschaften
  • Verarbeitbar mit Standard-Lithographie Equipment
  • PFAS frei
  • Für eine weitere Verbesserung der Entformung wird das Auftragen einer Antihaftschicht empfohlen (z.B. mittels Gasphasenabscheidung von F13-TCS (1H,1H,2H,2H-prfluorooctyl-trichlorsilane, CAS number [78560-45-9]
Anwendungen
  • Herstellung transparenter Arbeitsstempel
  • Kostengünstige Alternative zu Quarzstempeln
  • UV-basiertes und thermisches Imprinting, Nanoimprint Lithographie
Material Refractive Index (589 nm) Viscosity

[Pas]

 Preferred processing Typical end use application Replication with PDMS molds

(no oxygen sensitivity)
OrmoStamp®FF 1.516 0.5 ± 0.1 UV imprint and UV molding Working stamp fabrication +
OrmoStamp® 1.516 0.4 ± 0.2 UV imprint and UV molding Working stamp fabrication +
Alternative Hybrid Polymer materials
OrmoComp® 1.520 2.0 ± 0.5 UV imprint

UV molding

 Nano- and micro optics +
OrmoClear®FX 1.555 1.5 ± 0.3 UV imprint and UV molding Nano- and micro optics +
OrmoClear® 1.555 2.9 ± 0.3 UV imprint and UV molding Nano- and micro optics -
OrmoClear®30 1.561 30 ± 3 UV imprint and UV molding Micro optics -
OrmoClad 1.537 2.5 ± 1.0 UV imprint

UV molding

UV lithography

 Waveguides -
OrmoCore 1.555 2.9 ± 0.4 UV imprint

UV molding

UV lithography

 Waveguides -
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OrmoClear® Serie
Hybridpolymere
Mikrooptik
Element 23weqwf
Element 25weqwf
Für UV-Prägen und UV-Abformung
Die Produkte der OrmoClear®-Serie verfügen nach dem Aushärten über glasähnliche Materialeigenschaften und sind durch ihre sehr geringe Volumenschrumpfung besonders geeignet für optische Komponenten > 100 µm
Merkmale
  • Hohe Transparenz vom sichtbaren Spektrum bis zum Nah-UV (350 nm)
  • Hohe thermische und mechanische Stabilität
Anwendungen
  • Geprägte Gitter und Prismen
  • Mikrolinsen und Mikrolinsenarrays
  • Optische Kopplungselemente und Verbindungen
  • Mikrofluidische Systeme
  • Einzelelemente oder Wafer-Level
Material Refractive Index (589 nm) Viscosity

[Pas]

 Preferred processing Typical end use application Replication with PDMS molds

(no oxygen sensitivity)
OrmoClear® 1.555 2.9 ± 0.3 UV imprint and UV molding Micro optics -
OrmoClear®30 1.561 30 ± 3 UV imprint and UV molding Micro optics -
Alternative Hybrid Polymer materials 
OrmoComp® 1.520 2.0 ± 0.5 UV imprint

UV molding

 Nano- and micro optics +
OrmoClear®FX 1.555 1.5 ± 0.3 UV imprint and UV molding Nano- and micro optics +
OrmoStamp® 1.516 0.4 ± 0.2 UV imprint and UV molding Working stamp fabrication +
OrmoStamp®FF 1.516 0.5 ± 0.1 UV imprint and UV molding Working stamp fabrication +
OrmoClad 1.537 2.5 ± 1.0 UV imprint

UV molding

UV lithography

 Waveguides -
OrmoCore 1.555 2.9 ± 0.4 UV imprint

UV molding

UV lithography

 Waveguides -
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OrmoClear®FX
Hybridpolymere
Nano- und Mikrooptik
Element 23weqwf
Element 25weqwf
Für UV-Prägen und UV-Abformung
OrmoClear®FX verfügt nach dem Aushärten über glasähnliche Materialeigenschaften und ist ideal für mikro- und nanooptische Komponenten unterschiedlicher Strukturgrößen und Bauteildimensionen
Merkmale
  • Hohe Transparenz vom sichtbaren Spektrum bis zum Nah-UV (350 nm)
  • Hohe thermische und mechanische Stabilität
Anwendungen
  • Geprägte Gitter und Prismen
  • Mikrolinsen und Mikrolinsenarrays
  • Optische Kopplungselemente und Verbindungen
  • Mikrofluidische Systeme
  • Einzelelemente oder Wafer-Level
Material Refractive Index (589 nm) Viscosity

[Pas]

 Preferred processing Typical end use application Replication with PDMS molds

(no oxygen sensitivity)
OrmoClear®FX 1.555 1.5 ± 0.3 UV imprint and UV molding Nano- and micro optics +
Alternative Hybrid Polymer materials 
OrmoComp® 1.520 2.0 ± 0.5 UV imprint

UV molding

 Nano- and micro optics +
OrmoClear® 1.555 2.9 ± 0.3 UV imprint and UV molding Nano- and micro optics -
OrmoClear®30 1.561 30 ± 3 UV imprint and UV molding Micro optics -
OrmoStamp® 1.516 0.4 ± 0.2 UV imprint and UV molding Working stamp fabrication +
OrmoStamp®FF 1.516 0.5 ± 0.1 UV imprint and UV molding Working stamp fabrication +
OrmoClad 1.537 2.5 ± 1.0 UV imprint

UV molding

UV lithography

 Waveguides -
OrmoCore 1.555 2.9 ± 0.4 UV imprint

UV molding

UV lithography

 Waveguides -
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OrmoCore und OrmoClad
Hybridpolymere
Wellenleiter
Element 23weqwf
Element 25weqwf
Für UV-Prägen, UV-Abformung und UV-Lithographie
OrmoCore und OrmoClad verfügen nach dem Aushärten über glasähnliche Materialeigenschaften und sind wegen ihrer geringen optischen Dämpfung besonders geeignet zur Herstellung optischer Wellenleiter
Merkmale
  • Niedrige optische Dämpfung bei Datacom Wellenlängen
  • Einstellbarer Brechungsindex (via Anteil Core/Clad)
  • Hohe thermische und mechanische Stabilität
Anwendungen
  • Singlemode- und Multimode-Wellenleiter
  • Strahlteiler
  • Thermo-optische Schalter
  • Mikroring-Resonatoren
Material Refractive Index (589 nm) Viscosity

[Pas]

 Preferred processing Typical end use application Replication with PDMS molds

(no oxygen sensitivity)
OrmoClad 1.537 2.5 ± 1.0 UV imprint

UV molding

UV lithography

 Waveguides -
OrmoCore 1.555 2.9 ± 0.4 UV imprint

UV molding

UV lithography

 Waveguides -
Alternative Hybrid Polymer materials 
OrmoComp® 1.520 2.0 ± 0.5 UV imprint

UV molding

 Nano- and micro optics +
OrmoClear®FX 1.555 1.5 ± 0.3 UV imprint and UV molding Nano- and micro optics +
OrmoClear® 1.555 2.9 ± 0.3 UV imprint and UV molding Nano- and micro optics -
OrmoClear®30 1.561 30 ± 3 UV imprint and UV molding Micro optics -
OrmoStamp® 1.516 0.4 ± 0.2 UV imprint and UV molding Working stamp fabrication +
OrmoStamp®FF 1.516 0.5 ± 0.1 UV imprint and UV molding Working stamp fabrication +
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mr-NIL200 Serie
Nanoimprint Resiste
Trockenätzmaske
Element 23weqwf
Element 25weqwf
Photo-vernetzbarer NIL-Resist
mr-NIL200 ist ein photo-vernetzbarer NIL-Resist der speziell für harte und nicht-permeable Stempelmaterialien entwickelt wurde. Typisches Anwendungsfeld ist der Einsatz als Ätzmaske für den Strukturtransfer bei z.B. photonischen Anwendungen. Für den Einsatz von mr-NIL200 brauchen Sie keinen zusätzlichen Haftvermittler oder Primer.
Merkmale
  • Kein zusätzlicher Haftvermittler oder Primer für die gängigsten Substratoberflächen notwendig (Si, SiO2, Al, Saphir, Cu, unterschiedliche organische Unterschichten wie LOR, UL1, UL3)
  • Härtet vollständig in Gegenwart von Luftsauerstoff
  • Die geringe Viskosität ermöglicht schnelle Strukturfüllung und minimiert mögliche Imprintdefekte in Form von Lufteinschlüssen
Anwendungsbeispiele

Step-and-repeat nanoimprint on pre-spin coated film for the fabrication of integrated optical devices
G Calafiore et al., J. Micro/Nanolith. MEMS MOEMS 14(3), 033506 Link zum Abstract

Efficient fabrication of photonic and optical patterns by imprinting the tailored photo-curable NIL resist «mr-NIL200»
M Messerschmidt et al., Poster, International Conference on Micro & Nano Engineering MNE2018, Copenhagen Link zum Poster

UV-NIL

Resist Schichtdicke [nm] @ 3000 rpm Empfohlenes Arbeitsstempelmaterial Eigenschaften
mr-NIL200-100nm 100 nicht porös Keine Grundierung erforderlich, RT Prozess
mr-NIL200-200nm 200
mr-NIL200-300nm 300

Schichtdicken und verfügbare Versandeinheiten

Spezifikation Schichtdicken und Versandeinheiten
Unsere ready-to-use-solutions für Standardschichtdicken (3000 rpm) mr-NIL200-100 nm
mr-NIL200-200 nm
mr-NIL200-300 nm
Maßgeschneiderte Schichtdicken nach Bedarf möglich bis zu (3000 rpm) 1 µm
Verfügbare Abfüllungen 250 ml
500 ml
Größere Gebinde nach Rückfrage

Empfohlene Prozesschemikalien:

Verdünner: mr-T 1078
Haftvermittler: Nicht erforderlich
(mr-APS1 bei Bedarf für mr-NIL200 Schichtdicken > 300nm)
Omnicoat (Kayaku Advanced Materials)

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mr-NIL210 Serie
Nanoimprint Resiste
Trockenätzmaske
Element 23weqwf
Element 25weqwf
Photo-vernetzbarer NIL-Resist
mr-NIL210 ist ein rein organischer Photo-NIL-Resist mit ausgezeichneter Ätzstabilität. Er eignet sich insbesondere für die Soft-NIL mit weichen Stempelmaterialien, beispielsweise PDMS.
Merkmale
  • Exzellente Härtungseigenschaften,  selbst bei Anwesenheit von Luftsauerstoff
  • Hervorragende Kompatibilität zu PDMS-Arbeitsstempeln für die Soft-NIL, bevorzugte Anwendung in Kombination mit dem Stempelmaterial UV-PDMS KER-4690 
  • Überragende Ätzstabilität gegenüber unterschiedlichen Substraten wie Silizium, Siliziumdioxid oder Aluminium
  • Rein organischer Resist, komplette Entfernung auch nach dem Härten mit Sauerstoffplasma möglich
Anwendungen
  • Hartmaske für die Strukturübertragung (nasschemisch oder mittels Trockenätzen )
  • Herstellung von Nanostrukturen für z.B.
    • Nano-optische Bauteile, SOEs
    • LEDs, photonische Kristalle
    • Patterned Sapphire Substrates (PSS)
    • Mikroelektronische Bauteile
    • Organische Elektronik (OLED, OPV, OTFT)
    • Speichermedien (bit patterned media)
    • Lift-off in Kombination mit z.B. LOR (MCC, USA)

UV-NIL

Resist Schichtdicke [nm] @ 3000 rpm Empfohlenes Arbeitsstempelmaterial Eigenschaften
mr-NIL210-100nm 100 poröser weicher Stempel (z.B. PDMS) Hervorragende Filmstabilität, RT Prozess
mr-NIL210-200nm 200
mr-NIL210-500nm 500

Unsere Standardschichtdicken

mr-NIL210 Version Schichtdicke @ 3000 Umin-1*
mr-NIL210-100nm 100 nm
mr-NIL210-200nm 200 nm
mr-NIL210-500nm 500 nm

* Herstellung weiterer Schichtdicken möglich bis 12.5 µm auf Anfrage

Empfohlene Prozesschemikalien:

Verdünner: mr-T 1078
Haftvermittler: mr-APS1, Omnicoat (Kayaku Advanced Materials)

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mr-NIL212FC Serie
Nanoimprint Resiste
Trockenätzmaske
Element 23weqwf
Element 25weqwf
Photo-vernetzbarer NIL-Resist
mr-NIL212FC ist ein rein organischer Photo-NIL-Resist mit ausgezeichneter Ätzstabilität. Er eignet sich insbesondere für die Soft-NIL mit weichen Stempelmaterialien, beispielsweise PDMS. mr-NIL212FC zeichnet sich in RIE Prozessen in oxidische Materialien durch eine deutlich erhöhte Ätzstabilität im Vergleich zu mr-NIL210 aus.
Merkmale
  • Ausgezeichnete Strukturtreue durch die FC-Technologie (fast curing) für sub-100nm-Strukturen
  • Exzellente Härtungseigenschaften auch bei dem Einsatz von Lichtquellen mit geringer Leistung weit unter 40 mW cm-
  • Hervorragende Kompatibilität zu PDMS-Arbeitsstempeln für die Soft-NIL, bevorzugte Anwendung in Kombination mit dem Stempelmaterial UV-PDMS KER-4690 
  • mr-NIL212FC zeichnet sich in RIE Prozessen in oxidische Materialien durch eine deutlich erhöhte Ätzstabilität im Vergleich zu mr-NIL210 aus
  • Rein organischer Resist, komplette Entfernung auch nach dem Härten mit Sauerstoffplasma möglich
Anwendungen
  • Hartmaske für die Strukturübertragung (nasschemisch oder mittels Trockenätzen )
  • Herstellung von Nanostrukturen für z.B.
    • Nano-optische Bauteile, SOEs
    • LEDs, photonische Kristalle
    • Patterned Sapphire Substrates (PSS)
    • Mikroelektronische Bauteile
    • Organische Elektronik (OLED, OPV, OTFT)
    • Speichermedien (bit patterned media)
    • Lift-off in Kombination mit z.B. LOR (KAM, USA)

UV-NIL

Resist Schichtdicke [nm] @ 3000 rpm Empfohlenes Arbeitsstempelmaterial Eigenschaften
mr-NIL212FC-100nm 100 gaspermeable weiche Stempel (z.B. PDMS) Hervorragende Filmstabilität, RT Prozess
mr-NIL212FC-200nm 200
mr-NIL212FC-300nm 300

Unsere Standardschichtdicken

mr-NIL212FC Version Schichtdicke @ 3000 Umin-1*
mr-NIL212FC-100nm 100 nm
mr-NIL212FC-200nm 200 nm
mr-NIL212FC-300nm 300 nm

* Herstellung weiterer Schichtdicken auf Anfrage möglich

Empfohlene Prozesschemikalien:

Verdünner: ma-T 1050
Haftvermittler: mr-APS1, OmniCoat (Kayaku Advanced Materials)

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mr-XNIL26SF
Nanoimprint Resiste
Trockenätzmaske
Element 23weqwf
Element 25weqwf
Photo-vernetzbarer NIL Resist, lösungsmittelfrei
Photo-vernetzbarer NIL Resist mit einem hohen Anteil an fluorierten Komponenten
Merkmale
  • hoher Anteil an fluorierten Komponenten erleichtert die Stempeltrennung und vermindert die Defektrate
  • 100 % organisch, Rückstandsfrei entfernbar mit Sauerstoffplasma
  • Kann mit PGMEA oder ma-T 1050 auf 100nm-Schichtdicke verdünnt werden
  • Niedriger Brechungsindex des gehärteten Materials (RI = 1,40)
Anwendungen
  • NIL bei der sehr niedrige Entformkräfte wichtig sind, beispielsweise Imprints auf einem Mehrschichtsystem

UV-NIL

Resist Schichtdicke [nm] @ 3000 rpm Empfohlenes Arbeitsstempelmaterial Eigenschaften
mr-XNIL26SF 4,8 nicht porös Hoher Fluorgehalt, geringe Freisetzungskräfte, RT Prozess, niedriger RI, solvent free
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mr-I T85 Serie
Nanoimprint Resiste
Bio-Anwendungen, Lab-on-Chip
Element 23weqwf
Element 25weqwf
Unpolarer thermoplastischer NIL Resist
T-NIL Resist (Tg = 85 °C) aus Cyclo-Olefin-Copolymer (TOPAS) mit höchster optischer Transparenz im UV/vis-Bereich und ausgeprägter chemischer Stabilität gegen Lösemittel, Säuren und Laugen
Merkmale
  • Erleichterte Stempeltrennung durch ein integriertes fluoriertes Additiv
  • Schichten bis 5 µm für die Herstellung von mikrofluidischen oder „Lab-on-chip“ Bauteilen applizierbar
  • Rein organischer Thermoplast → Plasmaätzen mit reinem Sauerstoffplasma möglich
  • mit höchster optischer Transparenz im UV/vis-Bereich und ausgeprägter chemischer Stabilität gegen Lösemittel, Säuren und Laugen
Anwendungen

Lab-on-chip Bauteile

  • Biofluidische Bauteile
  • Mikrofluidik
  • Mikrooptische Bauelemente
  • Wellenleiter
  • Ein- und Mehrschichtbauteile
  • Ätzmaske für die Strukturübertragung

T-NIL

Resist Schichtdicke [nm] @ 3000 rpm Glasübergangstemperatur Tg [°C] Eigenschaften
mr-I T85-0.3 300 85 hohe chemische und optische Stabilität, hohe Transparenz
mr-I T85-1.0 1000
mr-I T85-5.0 5000

 

Material- und Imprintparamter mr-I T85
Glasübergangstemperatur Tg 85 °C
Prägetemperatur 130 – 150 °C
Prägedruck 5 – 20 bar
Gebrauchsfertige Lösungen für
Standard-schichtdicken* (3000 rpm)		 mr-I T85-0.3 300 nm

mr-I T85-1.0 1.0 µm

mr-I T85-5.0 5.0 µm
Resistentfernung Sauerstoffplasma

* Herstellung weiterer Schichtdicken möglich bis 20 µm auf Anfrage

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Negative Photoresiste

Photoresiste für UV (Mask Aligner, Laser)/ Elektronenstrahl- und Tief-UV-Lithographie

  • Geeignet für Breitband- und i-Linien-Belichtung, Tief-UV- oder Elektronenstrahlbelichtung,  oder Laserdirektschreiben @ 405 nm
  • Lift-off Resiste mit einstellbarem Kantenprofil, hohe Temperaturstabilität bis zu 160 °C
  • ​Verschiedene Viskositäten für unterschiedliche Schichtdicken in einem Schleuderbeschichtungsschritt
     
  • Für die Strukturübertragung: Physical vapour deposition (PVD) und Lift-off als Einschichtsystem, Ätzmaske, Galvanikform 
  • Für die Permanentanwendung: Polymerbasierte Wellenleiter
  • Anwendung in Mikrosystemtechnik, Mikroelektronik, Mikro-Optik – Herstellung von z. B. LEDs, ICs, MEMS, Flachbildschirmen, Glasfaserkommunikations-Bausteinen
Element 23weqwf

Positive Photoresiste

Positiv-Photoresiste für die UV-Lithographie (Mask Aligner-, Laser-, Grauton-Belichtung) und Elektronenstrahllithographie

  • Verschiedene Viskositäten für 0,1 µm – 60 µm Schichtdicke in einem Schleuderbeschichtungsschritt
  • Geeignet für Breitband-, g-Linien- , h-Linien-oder i-Linien-Belichtung, Laser-Direktschreiben bei 350…450 nm und Elektronenstrahllithographie
  • Kein Post Exposure Bake
  • Leichte Entfernbarkeit
     
  • Für die Strukturübertragung: Ätzmaske, Galvanikform, Form für die UV-Abformung
  • Anwendung in Mikrosystemtechnik, Mikroelektronik, Mikro-Optik – Herstellung von z.B. MEMS, LEDs, IC-Bausteinen, MOEMS, Glasfaserkommunikations-Bausteinen, Flachbildschirmen
Element 23weqwf

Hybridpolymere

micro resist technology bietet ein breites Portfolio an UV-härtbaren Hybridpolymer Produkten für mikrooptische Anwendungen. Durch ihre ausgezeichnete optische Transparenz  und hohe thermische Stabilität sind diese besonders geeignet zur Herstellung polymerbasierter optischer Komponenten und Wellenleiter. Die Hauptanwendungsgebiete sind die Herstellung von Mikrolinsen, diffraktiven optischen Elementen (DOE), Gitterstrukturen sowie Singlemode- oder Multimode-Wellenleitern.

OrmoComp®: DE 30 210 075 433; IR 1 091 982 ; TW 100030626; OrmoClear®: DE 30 210 075 434; IR 1 091 359 ; TW 100030628; OrmoStamp®: DE 30 210 075 435; IR 1 092 621 ; TW 100030629; OrmoPrime®: DE 30 210 075 436

Element 23weqwf

Nanoimprint-Resiste

Resiste für die Nanoimprint-Lithographie (NIL)

Die Nanoimprint Lithographie (NIL) ist eine sehr einfache und kostengünstige Technologie zur Herstellung von Strukturen mit Größen weniger Nanometer, die effizient in einem Prozessschritt auch auf großen Flächen realisiert werden kann. Hauptanwendungsfelder der NIL sind photonische Komponenten, unterschiedliche Bauelemente für die nächste Generation der Verbraucherelektronik, sowie Bio- und Life-Science-Sensoren.

Die micro resist technology GmbH bietet seit 1999 maßgeschneiderte Resistformulierungen für die Nanoimprint-Lithographie (NIL) an. Wir legen dabei besonderen Wert auf herausragende Filmbildungs- und Prägeeigenschaften sowie eine exzellente Plasmaätzstabilität und Strukturtreue. Weiterhin bieten wir hochinnovative Materialien, die eng an dem technischen Fortschritt in der Industrie entwickelt wurden. Wir sind in der Lage unsere Materialien an die Kundenwünsche anzupassen, sowohl in den gewünschten Schichtdicken, als auch in deren intrinsischen Materialeigenschaften. Die Nanoimprint-Resiste werden meist als Ätzmaske zur Strukturübertragung in unterschiedliche Substrate wie Si, SiO2, Al oder Saphir, eingesetzt.

Prinzipiell existieren zwei unterschiedliche NIL-Technologien: die thermische NIL (T-NIL), in der thermoplastische Polymere Verwendung finden, und die Photo-NIL bzw. UV-NIL, in der photo-vernetzbare Formulierungen eingesetzt werden. Mit unserer langjährigen Erfahrung sind wir in der Lage, den für Sie passenden Prozess und das am besten geeignetste Material für Ihre Anwendung zu finden. Kontaktieren Sie uns für tiefergehende Informationen.

Element 23weqwf

Funktionelle Materialien für Inkjet-Printing

Spezielle Funktionsmaterialien aus den Produktgruppen Hybridpolymere, Photoresiste und Nanoimprint Polymere für die Beschichtung und alternative Strukturierung mittels Inkjet-Printing-Verfahren

  • Verfügbar in verschiedenen Viskositäten (einstellbar)
  • Anwendbar in kommerziellen Inkjet-Printing Geräten
  • Ausgerichtet auf stabile Reproduzierbarkeit in der Tropfengeneration
  • UV-aushärtende Formulierungen
  • Anwendung als Permanentmaterial für optische Anwendungen (Linsen, Wellenleiter, optische Koppler, diffraktive Elemente, …)
  • Als Packagingmaterial in der Mikroelektronik
  • Beschichtung / Strukturierung auf Substraten mit Oberflächentopographie 
  • Imprintmaterial in der Nanostrukturierung mit hoher Dosiergenauigkeit
Element 23weqwf

Trockenfilmresiste

Trockenfilme sind anwendungsfertige Polymerfilme als Laminat mit einer hohen Schichtdickengenauigkeit und exzellenten Haftungseigenschaften auf verschiedensten Untergründen. Sie sind einfach in der Verarbeitung, foto-strukturierbar und sowohl als zugeschnittene Bögen als auch als Rollenmaterial verfügbar.

  • Verfügbar in verschiedenen Dicken
  • UV-vernetzend – wie negativ Fotoresiste
  • Hohe Aspektraten möglich
  • Senkrechte Seitenwände
  • Mehrfachlaminierung möglich – bis zu 6 Schichten  komplexe Multilayer-Designs
  • Hohe chemische Resistenz
  • Anwendung als Permanentmaterial für optische Anwendungen (Linsen, Wellenleiter …), in der Mikrofluidik
Element 23weqwf

Resist Alliance

micro resist technology ist in Europa zentrale Anlaufstelle für Spezialchemikalien mit Anwendung in der Mikro- und Nanofabrikation. Das Portfolio der eigengefertigten Produkte wird durch den strategischen Vertrieb assoziierter Produkte ergänzt, die durch unsere internationalen Partner hergestellt werden. Hier agieren wir als High-Service-Distributor und bieten dem europäischen Mittelstand ein breites Spektrum an komplementären Produkten aus einer Hand, die sowohl für etablierte als auch für innovative Produktions- und Fertigungsverfahren eingesetzt werden können.

DuPont Electronic Solutions (ehm. DOW Electronic Materials / Rohm and Haas Europe Trading ApS)
Wir bieten Produkte für Semiconductor Technologies, Advanced Packaging und Trockenfilmresiste unseres Partners DuPont an, mit dem wir seit mehr als 20 Jahren zusammenarbeiten. 

Kayaku Advanced Materials, Inc. (ehm. MicroChem Corp.)
Wir bieten Photoresiste und Spezialchemikalien für MEMS und Mikroelektonik-Anwendungen unseres Partners Kayaku Advanced Materials an, mit dem wir seit mehr als 20 Jahren zusammenarbeiten.

DJ MicroLaminates, Inc.
Wir bieten Trockenfilmresiste für MEMS, Mikrofluidik und Packaging-Anwendungen unseres Partners DJ MicroLaminates an, mit dem wir seit über zwei Jahren kooperieren.