Resiste und Photopolymere – micro resist technology

mr-NIL200 Serie

Nanoimprint Resiste

Trockenätzmaske

Photo-vernetzbarer NIL-Resist

mr-NIL200 ist ein photo-vernetzbarer NIL-Resist der speziell für harte und nicht-permeable Stempelmaterialien entwickelt wurde. Typisches Anwendungsfeld ist der Einsatz als Ätzmaske für den Strukturtransfer bei z.B. photonischen Anwendungen. Für den Einsatz von mr-NIL200 brauchen Sie keinen zusätzlichen Haftvermittler oder Primer.

Merkmale

Kein zusätzlicher Haftvermittler oder Primer für die gängigsten Substratoberflächen notwendig (Si, SiO₂, Al, Saphir, Cu, unterschiedliche organische Unterschichten wie LOR, UL1, UL3)
Härtet vollständig in Gegenwart von Luftsauerstoff
Die geringe Viskosität ermöglicht schnelle Strukturfüllung und minimiert mögliche Imprintdefekte in Form von Lufteinschlüssen

Anwendungsbeispiele

Step-and-repeat nanoimprint on pre-spin coated film for the fabrication of integrated optical devices
G Calafiore et al., J. Micro/Nanolith. MEMS MOEMS 14(3), 033506 Link zum Abstract

Efficient fabrication of photonic and optical patterns by imprinting the tailored photo-curable NIL resist «mr-NIL200»
M Messerschmidt et al., Poster, International Conference on Micro & Nano Engineering MNE2018, Copenhagen Link zum Poster

UV-NIL

Resist	Schichtdicke [nm] @ 3000 rpm	Empfohlenes Arbeitsstempelmaterial	Eigenschaften
mr-NIL200-100nm	100	nicht porös	Keine Grundierung erforderlich, RT Prozess
mr-NIL200-200nm	200
mr-NIL200-300nm	300

Schichtdicken und verfügbare Versandeinheiten

Spezifikation	Schichtdicken und Versandeinheiten
Unsere ready-to-use-solutions für Standardschichtdicken (3000 rpm)	mr-NIL200-100 nm mr-NIL200-200 nm mr-NIL200-300 nm
Maßgeschneiderte Schichtdicken nach Bedarf möglich bis zu (3000 rpm)	1 µm
Verfügbare Abfüllungen	250 ml 500 ml Größere Gebinde nach Rückfrage

Empfohlene Prozesschemikalien:

Verdünner: mr-T 1078
Haftvermittler: Nicht erforderlich
(mr-APS1 bei Bedarf für mr-NIL200 Schichtdicken > 300nm)
Omnicoat (Kayaku Advanced Materials)

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mr-NIL210 Serie

Nanoimprint Resiste

Trockenätzmaske

Photo-vernetzbarer NIL-Resist

mr-NIL210 ist ein rein organischer Photo-NIL-Resist mit ausgezeichneter Ätzstabilität. Er eignet sich insbesondere für die Soft-NIL mit weichen Stempelmaterialien, beispielsweise PDMS.

Merkmale

Exzellente Härtungseigenschaften, selbst bei Anwesenheit von Luftsauerstoff
Hervorragende Kompatibilität zu PDMS-Arbeitsstempeln für die Soft-NIL, bevorzugte Anwendung in Kombination mit dem Stempelmaterial UV-PDMS KER-4690
Überragende Ätzstabilität gegenüber unterschiedlichen Substraten wie Silizium, Siliziumdioxid oder Aluminium
Rein organischer Resist, komplette Entfernung auch nach dem Härten mit Sauerstoffplasma möglich

Anwendungen

Hartmaske für die Strukturübertragung (nasschemisch oder mittels Trockenätzen )
Herstellung von Nanostrukturen für z.B.
- Nano-optische Bauteile, SOEs
- LEDs, photonische Kristalle
- Patterned Sapphire Substrates (PSS)
- Mikroelektronische Bauteile
- Organische Elektronik (OLED, OPV, OTFT)
- Speichermedien (bit patterned media)
- Lift-off in Kombination mit z.B. LOR (MCC, USA)

UV-NIL

Resist	Schichtdicke [nm] @ 3000 rpm	Empfohlenes Arbeitsstempelmaterial	Eigenschaften
mr-NIL210-100nm	100	poröser weicher Stempel (z.B. PDMS)	Hervorragende Filmstabilität, RT Prozess
mr-NIL210-200nm	200
mr-NIL210-500nm	500

Unsere Standardschichtdicken

mr-NIL210 Version	Schichtdicke @ 3000 Umin^-1*
mr-NIL210-100nm	100 nm
mr-NIL210-200nm	200 nm
mr-NIL210-500nm	500 nm

* Herstellung weiterer Schichtdicken möglich bis 12.5 µm auf Anfrage

Empfohlene Prozesschemikalien:

Verdünner: mr-T 1078
Haftvermittler: mr-APS1, Omnicoat (Kayaku Advanced Materials)

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mr-NIL212FC Serie

Nanoimprint Resiste

Trockenätzmaske

Photo-vernetzbarer NIL-Resist

mr-NIL212FC ist ein rein organischer Photo-NIL-Resist mit ausgezeichneter Ätzstabilität. Er eignet sich insbesondere für die Soft-NIL mit weichen Stempelmaterialien, beispielsweise PDMS. mr-NIL212FC zeichnet sich in RIE Prozessen in oxidische Materialien durch eine deutlich erhöhte Ätzstabilität im Vergleich zu mr-NIL210 aus.

Merkmale

Ausgezeichnete Strukturtreue durch die FC-Technologie (fast curing) für sub-100nm-Strukturen
Exzellente Härtungseigenschaften auch bei dem Einsatz von Lichtquellen mit geringer Leistung weit unter 40 mW cm^-
Hervorragende Kompatibilität zu PDMS-Arbeitsstempeln für die Soft-NIL, bevorzugte Anwendung in Kombination mit dem Stempelmaterial UV-PDMS KER-4690
mr-NIL212FC zeichnet sich in RIE Prozessen in oxidische Materialien durch eine deutlich erhöhte Ätzstabilität im Vergleich zu mr-NIL210 aus
Rein organischer Resist, komplette Entfernung auch nach dem Härten mit Sauerstoffplasma möglich

Anwendungen

Hartmaske für die Strukturübertragung (nasschemisch oder mittels Trockenätzen )
Herstellung von Nanostrukturen für z.B.
- Nano-optische Bauteile, SOEs
- LEDs, photonische Kristalle
- Patterned Sapphire Substrates (PSS)
- Mikroelektronische Bauteile
- Organische Elektronik (OLED, OPV, OTFT)
- Speichermedien (bit patterned media)
- Lift-off in Kombination mit z.B. LOR (KAM, USA)

UV-NIL

Resist	Schichtdicke [nm] @ 3000 rpm	Empfohlenes Arbeitsstempelmaterial	Eigenschaften
mr-NIL212FC-100nm	100	gaspermeable weiche Stempel (z.B. PDMS)	Hervorragende Filmstabilität, RT Prozess
mr-NIL212FC-200nm	200
mr-NIL212FC-300nm	300

Unsere Standardschichtdicken

mr-NIL212FC Version	Schichtdicke @ 3000 Umin^-1*
mr-NIL212FC-100nm	100 nm
mr-NIL212FC-200nm	200 nm
mr-NIL212FC-300nm	300 nm

* Herstellung weiterer Schichtdicken auf Anfrage möglich

Empfohlene Prozesschemikalien:

Verdünner: mr-T 1050
Haftvermittler: mr-APS1, OmniCoat (Kayaku Advanced Materials)

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mr-XNIL26SF

Nanoimprint Resiste

Trockenätzmaske

Photo-vernetzbarer NIL Resist, lösungsmittelfrei

Photo-vernetzbarer NIL Resist mit einem hohen Anteil an fluorierten Komponenten

Merkmale

hoher Anteil an fluorierten Komponenten erleichtert die Stempeltrennung und vermindert die Defektrate
100 % organisch, Rückstandsfrei entfernbar mit Sauerstoffplasma
Kann mit PGMEA oder ma-T 1050 auf 100nm-Schichtdicke verdünnt werden
Niedriger Brechungsindex des gehärteten Materials (RI = 1,40)

Anwendungen

NIL bei der sehr niedrige Entformkräfte wichtig sind, beispielsweise Imprints auf einem Mehrschichtsystem

UV-NIL

Resist	Schichtdicke [nm] @ 3000 rpm	Empfohlenes Arbeitsstempelmaterial	Eigenschaften
mr-XNIL26SF	4,8	nicht porös	Hoher Fluorgehalt, geringe Freisetzungskräfte, RT Prozess, niedriger RI, solvent free

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mr-I T85 Serie

Nanoimprint Resiste

Bio-Anwendungen, Lab-on-Chip

Unpolarer thermoplastischer NIL Resist

T-NIL Resist (Tg = 85 °C) aus Cyclo-Olefin-Copolymer (TOPAS) mit höchster optischer Transparenz im UV/vis-Bereich und ausgeprägter chemischer Stabilität gegen Lösemittel, Säuren und Laugen

Merkmale

Erleichterte Stempeltrennung durch ein integriertes fluoriertes Additiv
Schichten bis 5 µm für die Herstellung von mikrofluidischen oder „Lab-on-chip“ Bauteilen applizierbar
Rein organischer Thermoplast → Plasmaätzen mit reinem Sauerstoffplasma möglich
mit höchster optischer Transparenz im UV/vis-Bereich und ausgeprägter chemischer Stabilität gegen Lösemittel, Säuren und Laugen

Anwendungen

Lab-on-chip Bauteile

Biofluidische Bauteile
Mikrofluidik
Mikrooptische Bauelemente
Wellenleiter
Ein- und Mehrschichtbauteile
Ätzmaske für die Strukturübertragung

T-NIL

Resist	Schichtdicke [nm] @ 3000 rpm	Glasübergangstemperatur Tg [°C]	Eigenschaften
mr-I T85-0.3	300	85	hohe chemische und optische Stabilität, hohe Transparenz
mr-I T85-1.0	1000
mr-I T85-5.0	5000

Material- und Imprintparamter	mr-I T85
Glasübergangstemperatur T_g	85 °C
Prägetemperatur	130 – 150 °C
Prägedruck	5 – 20 bar
Gebrauchsfertige Lösungen für Standard-schichtdicken* (3000 rpm)	mr-I T85-0.3 300 nm mr-I T85-1.0 1.0 µm mr-I T85-5.0 5.0 µm
Resistentfernung	Sauerstoffplasma

* Herstellung weiterer Schichtdicken möglich bis 20 µm auf Anfrage

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mr-I 7000R Serie

Nanoimprint Resiste

Trockenätzmaske

Thermoplastischer NIL Resist

T-NIL Resist mit niedriger Glasübergangstemperatur (Tg = 55 °C) für niedrige Prägetemperaturen

Merkmale

Erleichterte Stempeltrennung durch ein integriertes fluoriertes Additiv
Rein organischer Thermoplast → Plasmaätzen mit reinem Sauerstoffplasma möglich
Polymer löslich in Aceton und anderen gängigen Lösemitteln → einfache Reinigung
mr-I 7000R enthält ein fluoriertes Additiv zur Verringerung der Entformkraft bei der Stempeltrennung. mr-I 7000E ohne fluoriertes Additiv ist auf Anfrage weiterhin erhältlich.

Anwendungen

Ätzmaske zur Strukturübertragung für die Herstellung von beispielsweise

High brightness LEDs
Photonischen Kristallen
Patterned media
Nano-optischen Bauteilen, subwavelength optical elements
Microfluidics, bio applications
Single layer lift-off

T-NIL

Resist	Schichtdicke [nm] @ 3000 rpm	Glasübergangstemperatur Tg [°C]	Eigenschaften
mr-I 7010R	100	55	Niedriger Tg, hohe Ätzselektivität
mr-I 7020R	200
mr-I 7030R	300

Parameter	mr-I 7000R	mr-I 8000R
Glasübergangstemperatur T_g	55 °C	115 °C
Prägetemperatur	120 °C - 140 °C	150 °C - 180 °C
Prägedruck	5 – 10 bar	20 - 40 bar
Gebrauchsfertige Lösungen für Standardschichtdicken * (3000 rpm)	mr-I 7010R 100nm mr-I 7020R 200nm mr-I 7030R 300nm	mr-I 8010R 100nm mr-I 8020R 200nm mr-I 8030R 300nm
Verdünnungslösemittel (Thinner)	ma-T 1050	ma-T 1050
Resistentfernung	ma-T 1050, Aceton, org. LM oder Sauerstoffplasma	ma-T 1050, Aceton, org. LM oder Sauerstoffplasma

* Herstellung weiterer Schichtdicken möglich bis 5 µm auf Anfrage

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Schichtdicke mr-I 7000R
Abfüllgrößen mr-I 7000R
Schichtdicke mr-I 8000R
Abfüllgrößen mr-I 8000R	Auswahl zurücksetzen

mr-I 8000R Serie

Nanoimprint Resiste

Trockenätzmaske

Thermoplastischer NIL Resist

T-NIL Resist mit höherer Glasübergangstemperatur (Tg = 115 °C) für bessere Strukturstabilität in nachfolgenden Prozessen

Merkmale

Erleichterte Stempeltrennung durch ein integriertes fluoriertes Additiv
Rein organischer Thermoplast → Plasmaätzen mit reinem Sauerstoffplasma möglich
Polymer löslich in Aceton und anderen gängigen Lösemitteln → einfache Reinigung
mr-I 8000R enthält ein fluoriertes Additiv zur Verringerung der Entformkraft bei der Stempeltrennung. mr-I 8000E ohne fluoriertes Additiv ist auf Anfrage weiterhin erhältlich.

Anwendungen

Ätzmaske zur Strukturübertragung für die Herstellung von beispielsweise

High brightness LEDs
Photonischen Kristallen
Patterned media
Nano-optischen Bauteilen, subwavelength optical elements
Microfluidics, bio applications
Single layer lift-off

T-NIL

Resist	Schichtdicke [nm] @ 3000 rpm	Glasübergangstemperatur Tg [°C]	Eigenschaften
mr-I 8010R	100	115	Hoher Tg, hohe Ätzselektivität
mr-I 8020R	200
mr-I 8030R	300

Parameter	mr-I 7000R	mr-I 8000R
Glasübergangstemperatur T_g	50 °C	105 °C
Prägetemperatur	120 °C - 140 °C	150 °C - 180 °C
Prägedruck	5 - 10 bar	20 - 40 bar
Gebrauchsfertige Lösungen für Standardschichtdicken * (3000 U/min)	mr-I 7010R 100nm mr-I 7020R 200nm mr-I 7030R 300nm	mr-I 8010R 100nm mr-I 8020R 200nm mr-I 8030R 300nm
Verdünnungslösemittel (Thinner)	ma-T 1050	ma-T 1050
Resistentfernung	ma-T 1050, Aceton, org. LM oder Sauerstoffplasma	ma-T 1050, Aceton, org. LM oder Sauerstoffplasma

* Herstellung weiterer Schichtdicken möglich bis 1 µm auf Anfrage

Verdünner: ma-T 1050
Entferner: ma-T 1050, Aceton, org. LM oder Sauerstoffplasma

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Schichtdicke mr-I 7000R
Abfüllgrößen mr-I 7000R
Schichtdicke mr-I 8000R
Abfüllgrößen mr-I 8000R	Auswahl zurücksetzen

mr-I 9000M Serie

Nanoimprint Resiste

Trockenätzmaske, permanente Nanostrukturen

Thermoset

Thermisch härtender NIL Resist (Thermoset - keine verbleibende Glasübergangsstufe nach dem Imprinten)

Merkmale

Hohe thermische Strukturstabilität bis 250 °C (durch einen zweistufigen Imprintprozess) in nachgelagerten Prozessen durch die thermische Vernetzung/Aushärtung während des Imprintens (keine verbleibende Glasübergangsstufe nach dem Imprinten)
Rein organischer Resist → Plasmaätzen mit reinem Sauerstoffplasma möglich
gute optische Transparenz, kann als permanente Nanostruktur mit hervorragenden thermischen Eigenschaften eingesetzt werden

Anwendungen

Ätzmaske zur Strukturübertragung für die Herstellung von beispielsweise

High brightness LEDs
Photonischen Kristallen
Patterned media
Nano-optischen Bauteilen, subwavelength optical elements

T-NIL

Resist	Schichtdicke [nm] @ 3000 rpm	Glasübergangstemperatur Tg [°C]	Eigenschaften
mr-I 9010M	100	35	Duroplastisches Material, das während des Druckens aushärtet, übertrifft die Trockenätzstabilität
mr-I 9020M	200
mr-I 9030M	300
mr-I 9050M	500
mr-I 9100M	1000

mr-I 9000M Versionen *	Schichtdicken *
mr-I 9010M	100 nm
mr-I 9020M	200 nm
mr-I 9030M	300 nm
mr-I 9050M	500 nm
mr-I 9100M	1.0 µm

* Herstellung weiterer Schichtdicken möglich bis 3 µm auf Anfrage

– Größere Gebinde und Mengen auf Anfrage erhältlich

Empfohlene Prozesschemikalien:

Verdünner: ma-T 1045
Entferner: ma-T1045, Sauerstoffplasma

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mr-NIL 6000E Serie

Nanoimprint Resiste

Trockenätzmaske

Photo-vernetzbarer thermoplastischer NIL Resist

mr-NIL 6000E ist ein photohärtbarer thermoplastischer NIL-Resist, der nach dem Imprint und Belichten eine ausgezeichnete Strukturstabilität in nachfolgenden Prozessen mit einer thermischen Belastung (z. B. RIE) aufweist.

Merkmale

Hohe thermische Strukturstabilität in nachgelagerten Prozessen durch die thermische Vernetzung/Aushärtung während des Imprintens
Rein organischer Thermoplast → Plasmaätzen und stripping mit reinem Sauerstoffplasma möglich

Anwendungen

Ätzmaske zur Strukturübertragung für die Herstellung von beispielsweise

High brightness LEDs
Photonischen Kristallen
Patterned media
Nano-optischen Bauteilen, subwavelength optical elements

UV-NIL

Resist	Schichtdicke [nm] @ 3000 rpm	Empfohlenes Arbeitsstempelmaterial	Eigenschaften
mr-NIL 6000.1E	100	alle Stempelmaterialien	Kein Primer erforderlich, Epoxy-System, Imprint bei 70 ° C.
mr-NIL 6000.2E	200
mr-NIL 6000.3E	300

mr-NIL 6000E Versionen	Schichtdicke *
mr-NIL 6000.1E	100 nm
mr-NIL 6000.2E	200 nm
mr-NIL 6000.3E	300 nm

* Herstellung weiterer Schichtdicken möglich bis 6 µm auf Anfrage

Empfohlene Prozesschemikalien:

Verdünner: ma-T 1045

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SIPOL Serie

Nanoimprint Resiste

Trockenätzmaske für großes Aspektverhältnis

Siliziumhaltiger thermoplastischer NIL Resist

T-NIL Resist (Tg = 63 °C) mit einem Anteil an polymergebundenem Silizium von 10 % für die Anwendung in Zweischichtsystemen zur Realisierung sehr hoher Aspektverhältnisse nach der Strukturübertragung mittels Trockenätzverfahren

Merkmale

Auftragung durch Schleuderbeschichtung auf die zugehörige Unterschicht UL1
Sehr hohe Plasmaätzresistenz bei geeigneten Prozessparametern durch Siliziumgehalt von 10 %
Gute Entformcharakteristik durch ein integriertes Additiv

Anwendungen

Herstellung von Nano- und Mikrometerstrukturen mit anspruchsvollem Aspektverhältnis >>3
Patterned sapphire substrates (PSS) für die Herstellung von Hochleistungs-LEDs
Micro- bzw. Nanostrukturen für Nanofluidische Bauteile, beispielsweise DNA Elektrophorese
Herstellung von photonischen Kristallen

T-NIL

Resist	Schichtdicke [nm] @ 3000 rpm	Glasübergangstemperatur Tg [°C]	Eigenschaften
SIPOL-60nm	60	63	Siliziumhaltiger Resist, kann im Doppelschicht-Ansatz eine in-situ SiO2-Hartmaske bilden
SIPOL-100nm	100
SIPOL-200nm	200

Unsere Standardschichtdicken

SIPOL Version	SIPOL Schichtdicken *
SIPOL-100nm	100nm
SIPOL-200nm	200nm

* Herstellung weiterer Schichtdicken möglich bis 1.5 µm auf Anfrage

Empfohlene Prozesschemikalien:

Verdünner: ma-T 1050
Entferner: ma-T 1050, Aceton, org. LM oder Sauerstoffplasma
Transfer layer: UL1 Serie

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mr-I PMMA35k Serie

Nanoimprint Resiste

Grundlegende Untersuchungen

Thermoplastischer NIL Resist

T-NIL Resist (Tg = 105 °C) für grundlegende NIL-Versuche

Merkmale

Gutes Imprintverhalten
Einfache Reinigung mit gängigen Lösemitteln

Anwendungen

Grundlegende Untersuchungen

T-NIL

Resist	Schichtdicke [nm] @ 3000 rpm	Glasübergangstemperatur Tg [°C]	Eigenschaften
mr-I PMMA35k-100nm	100	105	Prozessevaluierung
mr-I PMMA35k-300nm	300
mr-I PMMA35k-500nm	500

mr-PMMA Version *	Schichtdicke *
mr-I PMMA35k-100nm	100 nm
mr-I PMMA35k-300nm	300 nm
mr-I PMMA35k-500nm	500 nm

* Sie erhalten die NIL-Resiste dieser Serie in den folgenden Abfüllgrößen

Herstellung weiterer Schichtdicken auf Anfrage möglich.

Empfohlene Prozesschemikalien:

Verdünner: ma-T 1050

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UV-curable liquid silicone rubber / UV-PDMS

Nanoimprint Resiste

Weicher Arbeitsstempel

Distribution for european markets now

micro resist technology GmbH is providing a new selection of UV-curable liquid silicone rubber / UV-PDMS (OEM:Shin-Etsu) for European markets. The UV-PDMS can be used in a wide range of applications, but in particular for the manufacture of soft-molds in replication technologies such as nanoimprint lithography.

There are two different types of UV-PDMS available. The following table provides the general material characteristics of the two different types of UV-PDMS:

General material characteristics of the new UV-PDMS (OEM:Shin-Etsu)

Main advantages by using the new Shin-Etsu UV-PDMS over generic PDMS:

Spin-coating for enhanced mold fabrication
Faster curing time (e.g. 10 min after UV exposure)
High resolution capabilities down 100 nm and smaller
0.02% shrinkage for superb pattern fidelity

	KER-4690 (X-34-4184)	KER-4691 (X-34-4208)
Appearance (Color Tone)	Colorless	Milky-white
Appearance (Transparency)	Transparent	Semitransparent
Viscosity [Pa・s]	2.7	110
Hardness: Durometer type-A	55	42
Elongation at Break [%]	110	400
Tensile Strength [MPa]	7.7	7.0
Tear Propagation Strength (crescent) [kN/m]	3.0	17.1
Linear Contraction [%]	<0.1	<0.1
Curing Rate* [Min]	20	45
Curing Condition [mJ/cm2]	2000	2000

* TA Instruments ARES-G2, 25℃, 1Hz

Each system consists of two components. After thoroughly mixing the two-component material system (A/B) in equal volume, the liquid mixture compounds can be processed for up to 24 hours by casting, spin-coating or other deposition methods. Due to the photo-sensitivity, the cross-linking (or curing) is initiated by UV-exposure. In contrast to generic PDMS, this allows almost full curing already at room temperature and significantly increases the curing speed (by factor of 100 and more). Furthermore, without the need of an additional thermal curing one can achieve a minimized shrinkage of 0.02%.

For detailed information on material properties and process specifications, please get in contact with the product manager NIL polymers Dr. Manuel Thesen (m.thesen@microresist.de). In case of inquiry request or purchase order, please contact our sales assistant Mrs. Anja Hinz (a.hinz@microresist.de).

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mr-UVCur26SF

Nanoimprint Resiste, Inkjet Materialien

Trockenätzmaske, permanente Nanostrukturen

Photo-vernetzbarer NIL-Resist

mr-UVCur26SF ist ein rein organischer und lösemittelfreier Photo-NIL-Resist entwickelt für die Beschichtung mittels Inkjet-Verfahren. Seine niedrige Viskosität und sehr schnelle Härtung ermöglichen den Einsatz in kontinulierlichen Rolle-zu-Rolle-NIL-Prozessen (R2R-NIL).

Merkmale

Beschichtung mittels Inkjet-Dispensierung durch die niedrige Viskosität (15 mPas), beispielsweise für Step-and-Repeat-Verfahren
Kein Prebake nach der Substratbeschichtung durch den Verzicht auf Lösemittel
Sehr schnelle Härtung in kontinuierlichen Rolle-zu-Rolle-NIL-Prozessen mit hohem Durchsatz, Rollengeschwindigkeit bis zu 30 m/min erreicht
Gute Haftung auf PC- und PET-Substraten
Hervorragende Ätzstabilität für Strukturübertragungen in Plasmaätzprozessen
Rückstandsfrei entfernbar mit Sauerstoff-Plasma

Anwendungen

Hartmaske für die Strukturübertragung (mittels Trockenätzen)
Applikation von Nanostrukturen auf Polymerfolien
Herstellung von Nanostrukturen für z.B.
- Nano-optische Bauteile, SOEs
- Organische Elektronik (OLED, OPV, OTFT)
- Mikroelektronische Bauteile
- LEDs, photonische Kristalle

Material	Viskosität [mPas]	Sauerstoffinhibierung	Brechungsindex (589 nm, ausgehärtetes Material)	Thermische Stabilität (nach Aushärtung)	Anwendungsgebiete
mr-UVCur26SF	15 ± 2 (lösungsmittelfrei)	Ja	1.518	bis zu 180 °C	Ätzmaske, Step & Repeat NIL-Prozesse, large-area structuring of flexible substrates
Alternative Inkjet Materialien:
InkEpo Serie	5 ± 0.3 8 ± 0.5 12 ± 1 25 ± 1	Nein	1.555	bis zu 180 °C	Permanente optische Anwendungen (z. B. Mikrolinsen, Wellenleiter)
InkOrmo Serie	7 ± 1 12 ± 1.5 18 ± 2	Nein	1.517 – 1.520	bis zu 270 °C	Permanente optische Anwendungen (z. B. Mikrolinsen)

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