Tief-UV Lithographie unter Verwendung des hochempfindlichen Negativresists ma-N 2400 ist eine Methode für die Herstellung von sub-µm-Strukturen für die Strukturübertragung durch Trocken- oder Nassätzprozesse oder Lift-off Strukturierungen.
Anwendung
Herstellung von sub-µm-Strukturen mittels Tief-UV-Lithographie und Trocken- oder Nasschätzen oder Lift-off als Strukturübertragungsprozesse.
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ma-N 2400