Die Tabelle enthält zusammengefasste Informationen über empfohlene Prozesschemikalien für
die Positiv-Photoresiste.

Detailierte Informationen, wie z.B. Empfehlungen für verschiedene Substrate, Schichtdicken und

Anwendungen sind in den Verarbeitungshinweisen der Produkte zu finden.

Verdünner

Positiv-Resist

Verdünner

ma-P 1200

ma-T 1050

ma-P 1275/ ma-P 1275HV

ma-T 1050

ma-P 1200G

ma-T 1050

ma-P 1200LIL

ma-T 1050

Haftvermittler

Positiv-Resist

Haftvermittler

ma-P 1200

HMDS, SurPass 4000

ma-P 1275/ ma-P 1275HV

HMDS, SurPass 4000

ma-P 1200G

HMDS, SurPass 4000

ma-P 1200LIL

HMDS

Entwickler

Positiv-Resist Wässrig-alkalisch Lösemittelbasiert
ma-P 1200

ma-D 331, ma-D 331/S (NaOH-basiert)
mr-D 526/S (TMAH-basiert)

 

ma-P 1275/ ma-P 1275HV

ma-D 331, ma-D 331/S (NaOH-basiert)
mr-D 526/S (TMAH-basiert)

 
ma-P 1200G

Grautonlithographie: ma-D 532/S, mr-D 526/S (TMAH-basiert)
Binäre Lithographie: ma-D 331 (NaOH-basiert)

 

mr-P 1200LIL

mr-D 374/S (Silikat-/ Phosphat-basiert)

 
mr-PosEBR   mr-Dev 800

Remover: mr-Rem 700 (NMP & NEP frei), mr-Rem 400/ 500 (NMP-frei), mr-Rem 660 (NMP)

Positiv-Resist

Lösemittelbasiert

Wässrig, stark alkalisch
ma-P 1200

mr-Rem 700, mr-Rem 660, mr-Rem 500, (mr-Rem 400)

ma-R 404/S

ma-P 1275/ ma-P 1275HV

mr-Rem 700, mr-Rem 660, mr-Rem 500, (mr-Rem 400)

ma-R 404/S

mr-P 1200LIL

mr-Rem 700, mr-Rem 660, mr-Rem 500, (mr-Rem 400)

ma-R 404/S
ma-P 1200G

mr-Rem 700, mr-Rem 660, mr-Rem 500, (mr-Rem 400)

ma-R 404/S

mr-PosEBR Aceton  

  Ätzlösung

Metall

Ätzlösung

Chrom

Chrome Etch 18