ma-P 1200G

Grauton-Lithographie

ma-P 1200G ist eine Positiv-Photoresist-Serie speziell für die Anforderungen der Grautonlithographie, einsetzbar auch in der binären Standard-UV-Lithographie.

Merkmale

  • Verringerter Kontrast
  • Schichtdicke von 1 µm bis 60 µm und höher
  • 50-60 µm Strukturtiefe möglich in der Grautonlithographie
  • Spektrale Empfindlichkeit 350…450 nm
  • Laser-Belichtung mit hoher Intensität ohne Ausgasen des Resists möglich
  • Wässrig-alkalische Entwicklung, für die Grautonlithographie mit TMAH-Entwicklern, für binäre Standard-Lithographie auch mit metallionenhaltigen Entwicklern
  • Geeignet für die Galvanik
  • Geeignet für Trockenätzprozesse, z.B. mit CHF3, CF4, SF6
  • Geeignet für den Struktur-Reflow nach binärer Standard-Lithographie

Anwendungen

Anwendung der hergestellten 3D Strukturen in der Mikro-Optik, in MEMS und MOEMS, in Displays

Strukturübertragung durch

  • UV-Abformung
  • Ätzen
  • Galvanik
Resist

Schichtdicke @ 3000 rpm

ma-P 1215G

1,5 µm

ma-P 1225G

2,5 µm

ma-P 1275G

9,5 µm

Sie erhalten unsere Positiv-Photoresiste in folgenden Abfüllgrößen:

  • 0,25 l
  • 0,5 l
  • 1,0 l
  • 2,5 l
  • 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)

Entwickler und Remover: • 1,0 l • 2,5 l • 5,0 l (Prozesschemikalien)

HMDS Primer: • 100 ml • 0,25 l • 0,5 l • 1,0 l (Prozesschemikalien)

Verdünner: • 0,5 l • 1,0 l (Prozesschemikalien)