Galvanoformen

Permanentanwendung oder konventionelle Strukturübertragungsprozesse

Merkmale

• Empfindlich oberhalb 400 nm, für das Direktlaserschreiben @ 405 nm
• Hohe thermische und chemische Stabilität
• Hohe Trocken- und Nassätzstabilität

Anwendungen

• Schnelles und kontaktloses Prototyping durch
• Permanentanwendungen: Master- und Templateherstellung, PDMS-Abformung 
• Strukturübertragung: Ätzmaske, Galvanikform
   

Sie erhalten unsere Negativ-Photoresiste in folgenden Abfüllgrößen:

• 0,25 l
• 0,5 l
• 1,0 l
• 2,5 l
• 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)

Entwickler und Remover: • 1,0 l • 2,5 l • 5,0 l (Prozesschemikalien)

Verdünner: • 0,5 l • 1,0 l (Prozesschemikalien)

ma-P 1275 und ma-P 1275HV sind hochviskose Positiv-Photoresiste für Schicktdicken bis 60 μm

Merkmale

• Breitband-, g-, h- und i-Linien-Belichtung
• Hohe Strukturstabilität in sauren und basischen Galvanikbädern
• Hohe Nass- und Trockenätzstabilität
• Gute Temperaturbeständigkeit der Resiststrukturen erreichbar
• Wässrig-alkalische Entwicklung
• Bis zu 87° Kanstensteilheit mit Mask Aligner Breitbandbelichtung
• Geeignet für Reflow

Anwendungen

• Form für die Galvanik – z.B. für Mikrospulen, Mikrofedern
• Herstellung Mikro-optischer Komponenten – z.B. Mikro-Linsen durch Strukturübertragung nach Reflow von Resiststrukturen
• Ätzmaske für Metall- und Halbleiter-Substrate
• Maske für die Ionenimplantation
   

Sie erhalten unsere Positiv-Photoresiste in folgenden Abfüllgrößen:

• 0,25 l
• 0,5 l
• 1,0 l
• 2,5 l
• 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)

Entwickler und Remover: • 1,0 l • 2,5 l • 5,0 l (Prozesschemikalien)

HMDS Primer: • 100 ml • 0,25 l • 0,5 l • 1,0 l (Prozesschemikalien)

Verdünner: • 0,5 l • 1,0 l (Prozesschemikalien)

ma-P 1200 ist eine Positiv-Photoresist-Serie für die Anwendung in der Mikroelektronik und Mikrosystemtechnik. Die Resiste sind in einer Reihe unterschiedlicher Viskositäten erhältlich für Schichtdicken von 0,3 – 40 μm in einem Schleuderbeschichtungsschritt

Merkmale

• Breitband-, g-, h- und i-Linien-Belichtung
• Gute Strukturstabilität in Nassätzprozessen und sauren und alkalischen Galvanikbädern
• Hohe Stabilität in Trockenätzprozessen z.B. mit CHF₃, CF₄, SF₆
• Wässrig-alkalische Entwicklung

Anwendungen

• Ätzmaske z.B. für Si, SiO₂, andere Halbleiter, Metalle
• Maske für die Ionenimplantation
• Form für die Galvanik
   

Sie erhalten unsere Positiv-Photoresiste in folgenden Abfüllgrößen:

• 0,25 l
• 0,5 l
• 1,0 l
• 2,5 l
• 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)

Entwickler und Remover: • 1,0 l • 2,5 l • 5,0 l (Prozesschemikalien)

HMDS Primer: • 100 ml • 0,25 l • 0,5 l • 1,0 l (Prozesschemikalien)

Verdünner:  • 0,5 l • 1,0 l (Prozesschemikalien)