Elektronenstrahl-Lithographie

Positivresist-Serie für die Elektronenstrahlbelichtung

Merkmale

• Hochempfindlich
• Hohes Auflösungsvermögen (< 50 nm)
• Hohe Trockenätzbeständigkeit
• Entwicklung in organischen Lösemitteln 

Anwendungen

• Ätzmaske   

Sie erhalten unsere Positiv-Photoresiste in folgenden Abfüllgrößen:

• 0,25 l
• 0,5 l
• 1,0 l
• 2,5 l
• 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)

Entwickler und Remover: • 1.0 l • 2.5 l • 5.0 l (Prozesschemikalien)

Verdünner: • 0.5 l • 1.0 l (Prozesschemikalien)

Konventionelle Strukturübertragungsprozesse

Merkmale ma-N 2400 Serie für die Elektronenstrahl-  und Tief-UV Lithographie

• Hohes Auflösungsvermögen (~ 40 - 50 nm)
• Wässrig-alkalisch entwickelbar
• Hohe thermische Stabilität der Resiststrukturen
• Hohe Nass- und Trockenätzbeständigkeit
• Leicht entfernbar

Merkmale mr-EBL 6000 Serie für die Elektronenstrahllithographie

• Hohes Auflösungsvermögen (~ 40 - 50 nm)
• Ausgezeichnete thermische Stabilität der Resiststrukturen
• Hohe Nass- und Trockenätzbeständigkeit
• Post exposure bake (PEB) erforderlich

Anwendungen

• Ätzmaske

ma-N 2400

mr-EBL 6000

Sie erhalten unsere Negativ-Photoresiste in folgenden Abfüllgrößen:

• 0,25 l
• 0,5 l
• 1,0 l
• 2,5 l
• 100 ml als Testmenge, auf Anfrage (Mindermengenaufschlag)

Entwickler und Remover: • 1,0 l • 2,5 l • 5,0 l (Prozesschemikalien)

HMDS Primer: • 100 ml • 0,25 l • 0,5 l • 1,0 l (Prozesschemikalien)

Verdünner: • 0,5 l • 1,0 l (Prozesschemikalien)