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    micro resist technology GmbH

     Positiv-Photoresiste-Serien


    Derzeit verfügbare Produkte


    Produktparameter im Überblick

    Resist Schichtdicke
    (3000 rpm, 30 s)
    Auflösung Wellenlänge
    ma-P 1205 0,5 µm 1,0 µm Breitband
    g-Linie: 436 nm
    i-Linie: 365 nm
    ma-P 1210 1,0 µm 1,0 µm Breitband
    g-Linie: 436 nm
    i-Linie: 365 nm
    ma-P 1215 1,5 µm 1,25 µm Breitband
    g-Linie: 436 nm
    i-Linie: 365 nm
    ma-P 1225 2,5 µm 1,5 µm Breitband
    g-Linie: 436 nm
    i-Linie: 365 nm
    ma-P 1240 4,0 µm 1,75 µm Breitband
    g-Linie: 436 nm
    i-Linie: 365 nm
    ma-P 1275 7,5 µm 3,0 µm Breitband
    g-Linie: 436 nm
    i-Linie: 365 nm
    ma-P 1275 30 µm
    (350 rpm/60 s)
    10,0 µm Breitband
    g-Linie: 436 nm
    i-Linie: 365 nm
    ma-P 1275 HV 11 µm 4,0 µm Breitband
    g-Linie: 436 nm
    i-Linie: 365 nm
    ma-P 1275 HV 30 µm
    (700 rpm/60 s)
    10,0 µm Breitband
    g-Linie: 436 nm
    i-Linie: 365 nm
    ma-P 1275 HV 50 µm
    (400 rpm/60 s)
    20,0 µm Breitband
    g-Linie: 436 nm
    i-Linie: 365 nm

    Andere Schichtdicken können auf Anfrage gefertigt werden


    Dazugehörige Prozesschemikalien

    Resist Serie Entwickler Verdünner Remover
    ma-P 1200 ma-D 331
    ma-D 531*
    ma-T 1050 mr-Rem 660
    ma-R 404S**
    ma-P 1275/
    ma-P 1275 HV
    ma-D 331/
    ma-D 531*
    2.38 % TMAH
    ma-T 1050 mr-Rem 660
    ma-R 404S**

    * metallionenfrei ** stark alkalisch


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