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micro resist technology GmbH
Positiv-Photoresiste-Serien
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Produktparameter im Überblick
| Resist | Schichtdicke (3000 rpm, 30 s) |
Auflösung | Wellenlänge |
|---|---|---|---|
| ma-P 1205 | 0,5 µm | 1,0 µm | Breitband g-Linie: 436 nm i-Linie: 365 nm |
| ma-P 1210 | 1,0 µm | 1,0 µm | Breitband g-Linie: 436 nm i-Linie: 365 nm |
| ma-P 1215 | 1,5 µm | 1,25 µm | Breitband g-Linie: 436 nm i-Linie: 365 nm |
| ma-P 1225 | 2,5 µm | 1,5 µm | Breitband g-Linie: 436 nm i-Linie: 365 nm |
| ma-P 1240 | 4,0 µm | 1,75 µm | Breitband g-Linie: 436 nm i-Linie: 365 nm |
| ma-P 1275 | 7,5 µm | 3,0 µm | Breitband g-Linie: 436 nm i-Linie: 365 nm |
| ma-P 1275 | 30 µm (350 rpm/60 s) |
10,0 µm | Breitband g-Linie: 436 nm i-Linie: 365 nm |
| ma-P 1275 HV | 11 µm | 4,0 µm | Breitband g-Linie: 436 nm i-Linie: 365 nm |
| ma-P 1275 HV | 30 µm (700 rpm/60 s) |
10,0 µm | Breitband g-Linie: 436 nm i-Linie: 365 nm |
| ma-P 1275 HV | 50 µm (400 rpm/60 s) |
20,0 µm | Breitband g-Linie: 436 nm i-Linie: 365 nm |
Andere Schichtdicken können auf Anfrage gefertigt werden
Dazugehörige Prozesschemikalien
| Resist Serie | Entwickler | Verdünner | Remover |
|---|---|---|---|
| ma-P 1200 | ma-D 331 ma-D 531* |
ma-T 1050 | mr-Rem 660 ma-R 404S** |
| ma-P 1275/ ma-P 1275 HV |
ma-D 331/ ma-D 531* 2.38 % TMAH |
ma-T 1050 | mr-Rem 660 ma-R 404S** |
* metallionenfrei ** stark alkalisch
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