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    micro resist technology GmbH

     Positiv-Photoresiste-Serien             » ma-P 1275 und 1275 HV «

    Derzeit verfügbare Produkte


    Wichtigste Merkmale


  • Schichtdicke bis zu 60 µm in einem Beschichtungsschritt
  • Speziell für die Galvanik von Strukturen in der Mikrosystemtechnik entwickelt
  • Hervorragende Stabilität in sauren und alkalischen Galvanikbädern
  • Geeignet auch als Ätzmaske mit guter Trocken- und Nassätzresistenz
  • Wässrig-alkalische Entwicklung
  • Leicht entfernbar
  • Kantenwinkel bis 87° mit Mask-Aligner-Belichtung
  • Anwendungen


  • Galvanikform für z.B.:
  • Mikrospulen
  • Mikroferdern
  • Mikrooptische Komponenten
  • Ätzmaske für Metall, Halbleiter- und Glassubstrate z.B.:
  • Mikrolinsen aus Strukturen nach Resist-Reflow
  • Maske für Ionenimplantation

  • Prozess-Schema



    Beispiele

    ma-P 1275 und ma-P 1275 HV

    50 µm
    1275 HV

    bild1_1275hv

    40 µm
    Ni-Galvanik

    bild2_1275hv

    In OrmoComp übertragene
    ma-P 1275 Reflow-Struktur

    bild3-1275hv


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