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    micro resist technology GmbH

     Negativ-Photoresiste-Serien           » ma-N 400 «

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    » als PDF › ma-N 400

    » ma-N 1400

    » ma-N 2400

    » EpoCore/EpoClad

    Produkt-Details   » ma-N 400 «

    Negativ-Photoresist-Serie für die UV-Lithographie für konventionelle Strukturübertragungsprozesse und den Lift-Off-Prozess

    Wichtigste Merkmale


  • Hohe Nass- und Trockenätzbeständigkeit
  • Gute thermische Stabilität der Resiststrukturen
  • Einstellbares Strukturprofil von senkrecht bis stark unterschnitten
  • Wässrig-alkalische Entwicklung
  • Leicht zu entfernen
  • Ungefährliche Lösungsmittel
  • In unterschiedlichen Viskositäten erhältlich
    •

    Anwendungen


  • Mikroelektronik und Mikrosystemtechnik
  • Maske für Lift-off-Prozesse
  • Ätzmaske für Halbleiter und Metalle
  • Gut geeignet für Implantationen
    •

    Prozess-Schema Standard und Lift-off


    Beispiele

    ma-N 400, 2 µm Schichtdicke

    tE 90 s,0 µm
    Unterschnitt

    tE 100 s,0,5 µm
    Unterschnitt

    tE 140 s,1,5 µm
    Unterschnitt

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