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    micro resist technology GmbH

     Negativ-Photoresiste-Serien           » ma-N 2400 «

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    » ma-N 1400

    » als PDF › ma-N 2400

    » EpoCore/EpoClad

    Produkt-Details   » ma-N 2400 «

    Negativ-Photoresist-Serie für die Elektronenstrahl- und Tief-UV-Lithographie

    Wichtigste Merkmale


  • Hohe Nass- und Trockenätzresistenz
  • Gute thermische Stabilität
  • Hohe Strukturauflösung - bis zu 30 nm
  • Wässrig-alkalische Entwicklung
  • Leicht entfernbar
  • In unterschiedlichen Viskositäten erhältlich
    •

    Anwendungen


  • Herstellung von Halbleiter-Bauelementen
  • Mikro- und Nanoelektronik
  • Ätzmaske, z.B.
    Si, SiO2, Si3N4 oder Metalle
  • Maske für Ionenimplantation
  • Stempelherstellung für die NIL
    •

    Prozess-Schema


    Beispiele

    ma-N 2400

    Schachbrett, 300 nm
    Schichtdicke, E-Beam

    50 nm Dots, 100 nm
    Schichtdicke, E-Beam

    50 nm L&S, 100 nm
    Schichtdicke, E-Beam

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