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micro resist technology GmbH
Produkt-Highlights 2009:
ma-N 440 und ma-N 490 » Hoch-viskose Resiste für konventionelle Strukturübertragungsprozesse und für Strukturierungen mittels PVD und Lift–off
Das Strukturprofil der Resiste der ma-N 400 Serie ist gezielt einstellbar - von fast senkrecht bis unterschnitten in unterschiedlichem, definierten Ausmaß, welches diese Resiste neben den Standardstrukturübertragungsprozesses wie z.B. Galvanik oder Ätzen, besonders für eine Strukturierung mittels Physical Vapour Deposition (PVD) und Liff-off Prozesse prädestiniert. Mit ihrer Empfindlichkeit bei i-Linien- und Breitbandbelichtung, wässrig-alkalischer Entwicklung, ohne die Notwendigkeit eines Post Exposure Bakes und mit einer einfachen Resistentfernung zeigen sie ein breites Prozessfenster und sind einfach zu handhaben.
Bei Verwendung der hochviskosen Resiste der ma-N 400 Serie, ma-N 440 und ma-N 490, können Schichtdicken bis 10 µm (Standardprozess) strukturiert und zur Erzeugung von Metallstrukturen genutzt werden. Ein Aspektverhältnis von bis zu 2 ist erreichbar.
Die Erzeugung von Mehrschichtkontaktsystemen basierend auf Ti/ Pt/ Au mittels Sputterprozesse und die Herstellung von kleinen Au/Sn Lötbumps durch Aufdampfen und einem anschließenden Reflowprozess auf einer TiW Struktur wurden bereits erfolgreich demonstriert [Voigt]. Der entwickelte kosten-effektive Prozess zur Erzeugung von kleinen blei-freien Lötbumps für „Flip chip bonding“ Anwendungen ist auch auf 200 mm Siliziumwafer anwendbar.
A. Voigt, M. Heinrich, K. Hauck, R. Mientus, G. Gruetzner, M. Toepper, O. Ehrmann „A single layer negative tone lift-off photo resists for patterning magnetron sputtered Ti/ Pt/ Au contact system and for solder bumps“, Microelectronic Engineering 78-79 (2005) 503-508
PerMX3000 – leistungsstarke Permanent-Trockenfilmresiste für Mikrosystemtechnik- und Wafer Level Packaging-Anwendungen
micro resist technology bietet PerMX3000 von DuPont an, einen innovativen korrosionsfreien, photostrukturierbaren Epoxid-Negativresist für Anwendungen in der Mikrosystemtechnik, z.B. für SAW-Filter (Rahmen, Abdeckung) oder CMOS-Sensoren (Rahmen, Bonden), und im Wafer Level Packaging.
Resisteigenschaften:
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Neues Verfahren für die ultraschnelle Entfernung von Epoxidresisten
micro resist technology entwickelte in der Kooperation eines europäischen Forschungsnetzwerks UFER (= Ultra Fast Epoxy Removal) ein trockenchemisches Verfahren für das Entfernen von Epoxid-Photoresisten, das nunmehr auch für unsere Kunden bereitsteht. Damit wurde ein wirtschaftlich hocheffizientes und reproduzierbares Verfahren für die Entfernung von hochvernetzten Materialien, z.B. SU-8, verfügbar und ein entscheidendes Hindernis für die umfassende Anwendung von SU-8-Photoresisten überwunden.
UFER = Ultraschnelles Entfernen von Epoxidresisten
micro resist technology empfiehlt für das Ätzen oder Entfernen schwierig zu bearbeitender Materialien auch in anspruchsvollen Anwendungen das Epoxy Resist Removal Tool STP 2020 der Firma R3T aus Taufkirchen bei München. Darin wird die TWR 2000 Traveling Wave Reactor Source von R3T als Remote-Quelle eines hochdichten, gekühlten Stroms chemischer Radikale genutzt, die – entfernt vom Plasma, wo sie erzeugt werden – äußerst effektiv mit den Polymeren, die von Substraten und Mikroteilen entfernt werden sollen, reagieren. Weitere wichtige Einsatzeigenschaften der STP 2020-Ätzanlage sind:
Die Ätzanlage STP 2020 kann vielfältig eingesetzt werden:
MEMS
Halbleiterfertigung
Weitere Anwendungsfelder
Materialien für die UV-gestützte Nanoimprint-Lithografie
micro resist technology bietet ihnen eine vollständige Materiallösung für
die UV-gestützte Nanoimprint-Lithografie: das UV-NIL-Polymer für die Strukturübertragung und das passende transparente Stempelmaterial zur kostengünstigen Replizierung ihres Masterstempels.
1. UV-NIL-Polymer mr-UVCur21 für die Strukturübertragung
Das UV-härtbare Polymer mr-UVCur21 besitzt exzellente Nanoprägeeigenschaften. Sein hervorragendes Fließverhalten und seine kurze UV-Härtungszeit ermöglichen eine hohe Wiedergabegenauigkeit und kurze UV-NIL-Prozesszeiten. Als Ätzmaske zur Übertragung von Nanometerstrukturen kann mr-UVCur21 zum Beispiel
für die Herstellung von Festplatten („patterned media“), photonischen Kristallen, optischen Metamaterialien oder anderen nanooptischen Systemen eingesetzt werden.
2. Ormostamp für transparente Arbeitstempel in Nanoimprint-Prozessen
Ormostamp ist ein anorganisch-organisches Hybridpolymer für die kostengünstige Fertigung von transparenten
Arbeitsstempeln. In einem UV-gestützten Abformungsprozess (s. Prozess-Schema) lassen sich Arbeitsstempel mit Mikro- oder Nanostrukturen herstellen, die in der thermischen und UV-gestützten Nanoimprint-Lithografie eingesetzt werden können.
Reflow von ma-P 1275 für die 3D - Strukturierung
Der hier bereits vorgestellte hochviskose Positivresist für die Mikrosystemtechnik ma-P 1275 (Produkt-Highlights 2008) wurde für die 3D-Strukturierung eingesetzt. Es wurden zum Beispiel Reflow-Strukturen von ma-P 1275 in der Strukturübertragung mittels RIE oder/ und mittels Abformen in die UV-härtenden Hybridpolymere Ormostamp und Ormocomp (micro resist technology GmbH GmbH) verwendet.
Die Form der Reflow-Strukturen wird durch die Abmessungen der Ausgangsstrukturen und durch die Reflow-Temperatur bestimmt. Halbkugeln lassen sich erzielen bei einem Höhe : Durchmesser-Verhältnis von 1 : 3 in den Ausgangs-Säulenstrukturen. Eine Reflow-Temperatur von 140 °C liefert das beste Ergebnis. 4 µm Abstände zwischen Säulen von z.B. 60 µm oder 120 µm Durchmesser werden aufgelöst, und die Strukturen laufen im vorgestellten Reflow-Prozess auf Si-Substraten nicht zusammen.
Die leichte Entfernbarkeit von ma-P 1275 ermöglicht das Abformen mit UV-härtbarem Ormostamp; ma-P 1275-Reste können durch Abspülen der gehärteten Ormocer-Strukturen mit Aceton entfernt werden.
Der Reflow von ma-P ist eine ausgezeichnete Methode, um Formen/ Masken für 3D-Strukturen, wie z.B. Mikrolinsen-Arrays, herzustellen.
Produkt-Highlights 2008:
Ormostamp – Ein neues Hybridpolymer zur Herstellung von transparenten Arbeitsstempeln für die Imprintlithografie
Ormostamp ist ein neues anorganisch-organisches Hybridpolymer für die kostengünstige Fertigung von transparenten Arbeitsstempeln. In einem UV-gestützten Abformungsprozess (s. Prozess-Schema) lassen sich Arbeitsstempel mit Mikro- oder Nanostrukturenherstellen, die in der thermischen und UV-gestützten Nanoimprintlithografie eingesetzt werden können. Wenigstens 60 Prägungen können mit einem Arbeitstempel erreicht werden.
Die Fertigung der Ormostamp-Arbeitsstempel ist einfach, kostengünstig und erfordert nur wenig Zeit, da nur kleine Mengen des Materials benötigt werden. Außerdem kann lithografische Standardausrüstung verwendet werden. Nach der UV-Belichtung, der thermischen Behandlung und dem Aufbringen der Antihaftschicht kann der Stempel sofort verwendet werden.
Ormoprime08 – Ein neuer Einkomponenten-Haftvermittler für ORMOCER®e
Ein neuer Haftvermittler für die Hybridpolymere, Ormoprime08, wird von der micro resist technology GmbH seit August 2008 angeboten. Das Einkomponentensystem wird durch Spin-coating aufgetragen, bildet einen homogenen ca. 130 nm dicken Film und verleiht den Ormocer-Produkten eine hervorragende Haftung auf Substraten, wie Glas, Quarz oder Silizium.
ma-N 1400 – Negativ-Photoresistserie
für konventionelle Strukturübertragungsprozesse und für Strukturierungen mittels PVD und Lift–off
Abb.1: ma-N 1440, Schichtdicke 4 µm, 2.5 µm Unterschnitt
Das Strukturprofil der Resiste der ma-N 1400 Serie ist gezielt einstellbar - von fast senkrecht bis unterschnitten
in unterschiedlichem, definierten Ausmaß, welches diese Resiste besonders für eine Strukturierung mittels Physical
vapour deposition (PVD) und Liff-off Prozesse prädestiniert. Mit ihrer Empfindlichkeit bei i-Linien- und
Breitbandbelichtung, wässrig-alkalischer Entwicklung, ohne die Notwendigkeit eines Post Exposure Bakes und
mit einer einfachen Resistentfernung zeigen sie ein breites Prozessfenster und sind einfach zu handhaben.
Die Resiste der ma-N 1400 Serie zeichnen sich durch eine höhere thermische Stabilität aus als die der
ma-N 400 Serie.
Seit dem Frühjahr 2008 steht dem Anwender mit ma-N 1440 zusätzlich ein höher viskoser
Resist für Schichtdicken im Bereich von 3 bis 7 µm zur Verfügung.
mr-I 7000E und mr-I 8000E - Polymere für die thermische Nanoimprint-Lithografie
Die beiden thermoplastischen Polymere mr-I 7000E und mr-I 8000E (Tg 60 °C bzw. 115 °C) können in Nanoimprint-Prozessen eingesetzt werden zur Herstellung von Nanostrukturen für Datenspeicher, LEDs, Displayanwendungen oder mikro- und nano-optische Bauelemente. Ihr gutes Prägeverhalten und ihre hohe Plasmaätzstabilität ermöglichen kurze Prozesszeiten, hervorragende Wiedergabegenauigkeit and niedrige Auflösungen bis zu 50 nm.
mr-I T85 für biologische und Lab-on-a-chip-Anwendungen
Die Serie mr-I T85 ist ein funktionelles Prägepolymer, das besonders für Lab-on-a-chip-Systeme, biologische Anwendungen und mikrooptische Komponenten geeignet ist. Es zeichnet sich durch außergewöhnliche chemische Stabilität, hohe Resistenz gegen Säuren und Lösungsmittel, sowie herausragende optische und UV-Transparenz aus. mr-I T85 ist kompatibel zu konventionellen Photoresisten. Sein gutes Prägeverhalten erlaubt das gleichzeitige Prägen von Nanometer- und Mikrometerstrukturen.
ma-P 1275 und ma-P 1275 HV – Vielseitige hoch aufbauende Positiv-Photoresiste für die Mikrosystemtechnik
ma-P 1275 and ma-P 1275 HV sind Positiv-Photoresiste für Schichtdicken von bis zu 60 µm, entwickelt für Galvanikstrukturen in der Mikrosystemtechnik und hervorragend geeignet für die Anwendung als Ätzmaske. Mit ihrer Empfindlichkeit bei i-Linien, g-Linien- und Breitbandbelichtung, wässrig-alkalischer Entwicklung, ohne die Notwendigkeit eines Post Exposure Bakes und mit einer einfachen Resistentfernung zeigen sie ein breites Prozessfenster und sind einfach zu handhaben.
