ma-N 2400 und mr-EBL 6000


ma-N 2400 und mr-EBL 6000 – zwei elektronenstrahlempfindliche Resistserien, die sich in ihrer Empfindlichkeit und thermischen Stabilität unterscheiden. Beide Resistserien sind für den Einsatz in der Mikro- und Nanoelektronik, insbesondere für die Verwendung als Maske in trocken- und nasschemischen Ätzprozessen zur Strukturübertragung [1-6] geeignet. Strukturauflösungen bis zu 50 nm sind erreichbar.

ma-N 2400


Ist ein einfach zu verarbeitender, nicht chemisch verstärkter Negativresist mit einem breiten Prozessfenster hinsichtlich Belichtung und Entwicklung. ma-N 2400 ist mit wässrigalkalischen Lösung entwickelbar und komplikationslos nach erfolgter Strukturübertragung entfernbar.

mr-EBL 6000


Ist ein hochempfindlicher Negativresist, der eine exzellente thermische Stabilität aufweist.

Bei Anwendung dieser Resiste auf nichtleitenden Substraten (z.B. Quarz) wird zur Vermeidung von unerwünschten Aufladungseffekten die Verwendung von wasser-löslichen leitenden Polymeren empfohlen [7,8].

  • [1] S. C. Chen et al “Parameter optimization for an ICP deep silicon etching system“ Microsyst. Technol. (2007) 13, 465–474

  • [2] M.M. Blideran et al “Improving etch selectivity and stability of novolak based negative resists by fluorine plasma treatment” Microelectronic Engineering 86 (2009) 769–772

  • [3] L. Zhou et al “Towards A thermal Optically-Interconnected Computing System using Slotted Silicon Microring Resonators and RF-Photonic Comb Generation ” Appl Phys A (2009) 95, 1101–1109

  • [4] J. Cardenas et al “Low loss etchless silicon photonic waveguides” OPTICS EXPRESS (2009) Vol. 17, No. 6, 4752

  • [5] H. Elsner et al “Evaluation of the ma-N 2400 series DUV photoresists for the electron beam exposure” Microelectron. Eng. 46 (1999), 389–392

  • [6] B. Bilenberg et al “Comparison of high resolution negative electron beam resists” J. Vac. Sci. Technol. B 24, 4 (2006), 1776 - 1779

  • [7] Ji et al “High-Throughput Nanohole Array Based System to Monitor Multiple Binding Events in Real Time” Anal. Chem. 2008, 80, 2491-2498

  • [8] K. Mohamed et al “Surface charging suppression using PEDOT/PSS in the fabrication of three dimensional structures on a quartz substrate” Microelectronic Engineering Vol. 86, Iss 4-6 (2009) 535 - 538”
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    ma-n 2400 structure02
    mr-ebl 6000 structur01
    ma-N 2400 50 nm Linien/Gräben, 100 nm Schichtdicke
    mr-EBL 6000 80 nm Struktur, 100 nm Schichtdicke

    Alle Fotos - mit freundlicher Genehmigung von HHI Berlin