ma-P 1200 ist eine Positiv-Photoresist-Serie Photoresistserie für die Anwendung in der Mikroelektronik und Mikrosystemtechnik. Die Resiste sind in einer Reihe unterschiedlicher Viskositäten erhältlich für Schichtdicken von 0,3 – 40 μm in einem Schleuderbeschichtungsschritt.

ma-P 1275 und ma-P 1275HV sind hochviskose Positiv-Photoresiste mit Schicktdicken bis 60 μm für die galvanische Strukturabscheidung in der Mikrosystemtechnik und gut geeignet für den Einsatz als Ätzmaske. Für die 3D-Strukturierung sind die Resiste einsetzbar durch Reflow von Resiststrukturen und Strukturübertragung z.B. mittels UV-Abformung oder Ätzen.

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ma-P 1200

UV-Lithographie; Ätzen, Galvanik, Ionenimplantation

ma-P 1275, ma-P 1275HV

Dicke Resiste für UV-Lithographie; Galvanik, Ätzen, Ionenimplantation, Reflow und UV- Abformung